掺铝钛酸锶薄膜及其与CrOx复合膜的制备及氧敏性能的研究

以ＴｉＣｌ４,ＳｒＣｌ２．６Ｈ２Ｏ为主要原料,采用溶胶－凝胶法制备出掺Ａｌ＾３＋的钛酸锶薄膜,分析了薄膜的表面形貌和晶相组成,并比较了铝含量不同的ＳｒＴｉ１－ｘＡｌｘＯ３－δ薄膜的氧敏性能,实验结果表明：掺摩尔分类为０．０１的铝的钛酸锶薄膜表现出较高的氧敏性,但是,铝的掺入并没有消除钛酸锶薄膜的半导体特在中性气氛附近从ｎ型向ｐ型转变。在此基础上,又合了了ＳｒＴｉ０．９９Ａｌ０．０１Ｏ３－δ－ＣｒＯ     

掺杂Mg2+对钛酸锶薄膜氧敏性能及电阻温度系数的影响

利用溶胶-凝胶的方法制备钛酸锶氧敏薄膜，该薄膜是制造电阻型氧敏传感器的一种潜在材料。在钛酸锶中掺杂不同含量的镁离子，形成SrTil-xMgxO3薄膜，其中Mg的含量，即x值分别为0，0．05，0．10，0．15，0．20，0．25，0．30。镁在钛酸锶中取代钛位，形成受主掺杂。测试不同氧分压(0～10^5Pa)、温度(600～800℃)下薄膜的电阻。发现掺镁的钛酸锶在氧化气氛下是p型半导体。并且当x值（镁的含晨）在0．10～0．15之间、较低氧分压下，薄膜的电阻温度系数接近零。此外，还从缺陷化学反应角度讨论了此现象出现的原因。     

LaNiO_3薄膜的制备及其氧敏特性的研究

本文以Ｌａ（ＮＯ_３）_３·６Ｈ_２Ｏ和Ｎｉ（ＮＯ_３）_２·６Ｈ_２Ｏ为配位前驱体,采用柠檬酸为螯合剂,利用溶胶－凝胶法合成了钙钛矿型稀土复合氧化物ＬａＮｉＯ_３薄膜,研究了薄膜的氧敏特性及烧结温度对薄膜氧敏特性的影响。     

La2-xSrxNiO4薄膜的制备及氧敏特性的研究

本实验采用无机盐为原料的溶胶－凝胶法制备了复合氧化物La2-xSrxNiO4薄膜，研究了它的阻温特性和氧敏特性，并采用XRD，SEM，AFM（原子力显微镜）等对该薄膜的结构进行了表征。     

钙钛矿型薄膜材料氧敏性能的研究

以硝酸盐为原料 ,柠檬酸为络合剂 ,采用无机盐溶胶—凝胶法 (ISG)合成了钙钛矿型稀土复合氧化物LaBO3 (B为Ni、Fe、Cr)陶瓷薄膜 ,并研究了它们的氧敏性能。电阻—温度曲线表明 ,LaFeO3 和LaCrO3 陶瓷薄膜为半导体特性 ,而LaNiO3 陶瓷薄膜具有类金属特性 ,并且LaBO3 薄膜材料的氧敏性能主要由B位离子的d电子特性所决定 ,即B位离子越活泼 ,则其氧敏性能越好     

氧化钛电阻存储薄膜的电学性能研究

采用溶胶凝胶法制备氧化钛薄膜,测试其电学性能,测试结果表明,氧化钛薄膜具有电阻反转特性,但重复性不稳定.使用原子力显微镜在微观状态下观察可知,随着施加电压的增大,表面析出物的量会增加,其影响薄膜的电学性能测试,会导致薄膜测试处的顶电极破坏使整个样品击穿;但表面析出物为何种物质,有待进一步研究.     

LaNiO3薄膜材料氧敏性能的研究

采用硝酸盐为原料,柠檬酸螯合剂的无机盐溶胶－凝胶（ISG）法合成LaNiO3系烯土复合氧化物陶瓷薄膜,并且对LaNiO3薄膜在高温还原气氛下的结构稳定性及氧敏进行了探讨,为了进一步提高薄膜的氧敏性能,对LaNiO3薄膜进行了贵金属Pt掺杂和Ce掺杂改性,制备的Pt/Ce/LaNiO3掺杂改性薄膜在较宽的温度范围内（300－800℃）,对氢气和氧气都具有较好的响应速度,并且对气氛循环变化的响应具有重复性和一定的抗老化能力。     

LaNiO_3薄膜材料氧敏性能的研究

采用硝酸盐为原料、柠檬酸为螯合剂的无机盐溶胶 -凝胶 (ISG)法合成LaNiO3系稀土复合氧化物陶瓷薄膜 ,并且对LaNiO3薄膜在高温还原气氛下的结构稳定性及氧敏机理进行了探讨 .为了进一步提高薄膜的氧敏性能 ,对LaNiO3薄膜进行了贵金属Pt掺杂和Ce掺杂改性 ,制备的Pt/Ce/LaNiO3掺杂改性薄膜在较宽的温度范围内 (3 0 0～ 80 0℃ ) ,对氢气和氧气都具有较好的响应速度 ,并且对气氛循环变化的响应具有重复性和一定的抗老化能力     

LiCl/SiO2薄膜的制备及湿敏性能

采用溶胶－凝胶工艺,制备了ＬｉＣｌ／ＳｉＯ２多孔薄膜湿敏薄材料,薄膜采用提拉法在氧化铝基片上制成,用ＳＥＭ技术对薄膜的孔结构和表面形貌进行了观察,用ＸＲＤ技术研究了热处理温度对ＬｉＣｌ／ＳｉＯ２凝胶结晶行为的影响,研究了ＬｉＣｌ／ＳｉＯ２薄湿敏特性。     

稀土───SnO_2薄膜气敏特性的研究

本文用真空镀锡膜、氧化和化学浸渍技术研制了稀土氧化物的ＳｎＯ_２薄膜气敏元件，并测试了薄膜的气敏特性，实验表明，元件对乙醇、丙酮蒸气的灵敏度高、线性范围宽，而对苯、丁烷、液化石油气、ＮＨ_３、Ｈ_２和煤气等不敏感。     

氧化钒薄膜的成分及相转变的研究

采用溶胶-凝胶浸渍法制备了V_2O_3凝胶薄膜,利用XPS及AES分析了不同条件下热处理得到的薄膜的表面成分。实验证明在真空6.67Pa下400℃至500℃热处理2h,得到了具有热诱导可逆相转变效应的VO_2薄膜,相转变后近红外区域内薄膜的透过率明显降低,分析了热处理制度与相转变之间的关系。     

WO3薄膜材料的气敏性能

研究了WO3薄膜材料的制备工艺、气敏性能和贵金属表面改性。以钨酸为原料、加入有机络合剂的无机盐溶胶-凝胶(inorganic solgel method,ISG)法合成了WO3薄膜。确定了最佳ISG工艺制度,即以柠檬酸为络合剂,10次成膜,预处理温度为600℃,烧成温度为650℃。实验结果表明：WO3是一种n型半导体,其最佳工作温度为550℃。通过掺杂贵金属制备了Pt/WO3薄膜材料,有效地改善了薄膜的气敏性能,可以在600℃下获得高达4100的灵敏度。WO3的气敏机理为表面控制型。     

用作炭薄膜前驱体的几种高聚物薄膜热稳定性和动力学规律的研究

采用热失重分析法对用作炭薄膜前驱体的几种高聚物薄膜试样在氩气气流中的热裂反应进行了研究。实验结果表明,这几种聚酰亚胺薄膜热稳定性均很高,在３５０℃以前没有失重现象,热裂解反应进行得最激烈的温度区间为５５０－７００℃,这也是热解炭化阶段的关键温度区间。研究了试样在该温度区间的热解动力学反应,并对其活化参数进行了一定的讨论。     

Ti／TiN多层膜显微结构的研究

用透射电镜研究了Ti/TiN多层膜的显微形貌,并用X射线衍射与透射电镜的微束电子衍射相结合的方法获得多层膜的晶体结构、相组成及其空间分布的信息。证明了Ti/TiN多层膜有明显的分层结构,在每对相邻的Ti层和TiN层之间,均存在Ti_2N界面过渡层,在膜基界面处存在FeTi过渡层。多层膜的晶粒呈纤维状,其尺寸随单层厚度的降低而减小,此即多层膜的晶粒细化效应,它伴随着膜层硬度的增加。     

溅射总压对氧化钒薄膜的结构及电致变色性质的影响

采用高频磁控溅射工艺制备了两种不同性能的V2O5薄膜,并研究了溅射总压对其微观结构、循环伏安特性及电致变色特性的影响。结果表明：当功率一定（3．8W·cm^-2)时,在高气压沉积的V2O5薄膜中出现了微晶相,而在低气压沉积的薄膜中为非晶相。从循环伏安过程中实时记录的透过率变化曲线可见：随着Li^ 离子和电子的双重注入,薄膜在某一波长处的透过率前一阶段是增加或降低,而后一阶段却相反。含微晶相的薄膜上述现象更为明显,而且其储存Li^ 离子的容量也要大许多。应用能带结构理论定性地解释了V2O5薄膜复杂的电致变色现象。     

氧化锡氧化铌共掺杂二氧化钛氧气响应特性的稳定性

研究了氧化锡(SnO2)、氧化铌(Nbb2O3)共掺杂二氧化钛(TiO2)作为厚膜用氧传感器材料的响应特性.X射线衍射分析表明:适量掺杂使厚膜晶粒保持金红石结构,晶胞参数有所增大.扫描电子显微镜显示:厚膜在1 280℃左右长时间(11 h)保温,晶粒仍保持适度尺寸.X射线光电子能谱分析表明;较低的Nb掺杂浓度导致晶粒表面产生高浓度金属缺位(Vm),低温端(300 ℃)的氢气响应时间变短;高温端(600 ℃)的氧气响应时间急剧增大.Nb掺杂浓度较高时,低温端(300 ℃)氢气响应时间变长;高温端(600 ℃)氧气响应时间变短,但仍保持着响应特性的稳定性.结果表明:用摩尔分数x(Sn)=2.31%,x(Nb)=0.48%的组分,既能在同一结构下适度增加晶胞参数,又能相应提高掺杂浓度,可获得工作温度范围(300～600 ℃)内灵敏度和响应速度长期稳定的厚膜材料.