硫化锌薄膜的制备和结构分析

用常规分舟热蒸发法在玻璃衬底上制备硫化锌薄膜，用X射线衍射和透射电子显微镜研究该薄膜的晶体结构，发现硫化锌薄膜与流化锌粉末在晶体结构上存在差异，实验证实硫化锌晶体是具有高于性的共价键晶体。     

溅射法制备硫化锌薄膜的XPS剖析

用Ｘ射线光电子能谱（ＸＰＳ）技术，测量了射频磁控溅射法（ＲＦＭＳ）制备的硫化锌薄膜（ＺｎＳ：Ｅｒ＾３＋）的表面及内部构态，认为氧吸附形成的表面构态是产生薄膜界面态和界面陷阱能级的主要原因，对研究器件的激发过程有参考意义     

掺铒硫化锌交流电致发光薄膜的表面结构

对研制的掺铒硫化锌交流电致发光薄膜,进行了表面的 Ｘ 射线衍射（ Ｘ Ｒ Ｄ） 、 Ｘ 射线光电子能谱（ Ｘ Ｐ Ｓ） 及发光亮度测量。研究认为薄膜多晶的沉积有择优取向的趋势,表层碳、氧主要来源于吸附与玷污,绝缘层选择高介电常数、低电阻率的材料,可进一步提高器件质量     

热蒸发制备的硫化锌薄膜的结构分析

用双舟热蒸发制备了掺稀土硫化锌薄膜，用Ｘ射线衍射技术对硫化锌粉末和所制薄膜的晶体相结合进行研究，发现硫化锌薄膜的晶体结构与硫化锌粉末的晶体结构不同。薄膜晶体的生长受诸多因素影响，有择优取向生长趋势，是二维层状结构沿ｃ轴方向的密堆积。     

热氧化法制备ZnO薄膜及其特性研究

用热氧化金属Zn膜的方法在Si(111)衬底上制备ZnO薄膜。X射线衍射结果表明,500℃氧化的样品的结晶性能最好。随氧化温度的升高,薄膜内的应力方向在450~500℃之间发生转变,从沿c轴的张应力变为压应力。500℃氧化的样品的室温光致发光(PL)谱中,紫外峰的半高宽为94.8meV,其强度与深能级发射强度之比高达162。氧化温度超过700℃后,样品的PL谱以深能级发射为主,对此现象产生的原因进行了讨论。     

半导体异质结构材料的X射线晶体衍射测试分析

本文介绍Ｘ射线晶体衍射的测试原理，讨论了半导体薄片异质结构材料Ｘ射线晶体衍射测量中正、负失配，晶片微弯曲，摇摆曲线的对称性，复杂曲线的分解、干涉带等问题。指出了晶体衍射测试结果对ＭＯＣＶＤ、ＬＰＥ工艺调整的重要性。     

硫化锌薄膜的微结构剖析

用Ｘ射线衍射和Ｘ射线光电子能谱技术,对分舟热蒸发法研制的掺铒（Ｅｒ）硫化锌直流电致发光薄膜及硫化锌粉料进行剖析,获得薄膜表面及粉料的构态信息,讨论了影响微晶薄膜质量的主要因素。     

用5晶（7晶）X射线衍线仪研究半导体薄膜材料

５晶（７晶）Ｘ射线衍射仪非常适合于高级半导体单昌，特别是Ⅲ－Ⅴ族和Ⅱ＝Ⅵ经合物半导体及其异质体外延层的特性分析。本文将简单地介绍５晶（７晶）Ｘ射线衍射仪，以及在半导体薄膜研究中的结果。     

硅基硫化锌薄膜的溅射法生长技术

利用射频磁控溅法在Si衬底上制备ZnS薄膜,用X射线衍射技术对薄膜的结构相变进行研究,揭示了Si衬底上ZnS薄膜的微观结构和相变特征与溅射功率的关系,为寻找高新发光材料提供依据。     

提高乳房照相质量的薄膜阵列半导体探测器

SPire CorP公司从与美国军事医学研究司令部的合同中获得经费80万美元,并利用4年时间研制镉锌碲(CdZnTe)薄膜探测器,用于数字化乳房照相诊断。根据Spire公司的分析,研制的大面积、自扫描、平面X射线探测器阵列比现有的基于闪烁仪X射线探测系统更为有效,它产生一个逼近乳房形像的直接X射线照片,     

硫化锌薄膜的原子层沉积生长及表征

为满足硫化锌(ZnS)薄膜在光学薄膜领域进一步应用的要求,基于原子层沉积(Atomic Layer Deposition, ALD)技术在130℃温度下以二乙基锌(DEZ)和硫化氢(H2S)为反应源,在砷化镓(GaAs)衬底表面沉积了ZnS薄膜。用扫描电子显微镜(Scanning Electron Microscope, SEM)分析了样品的表面形貌和膜界面特性,用X射线衍射仪(X-ray Diffraction, XRD)分析了薄膜的结构特性,并通过X射线光电子能谱(X-ray Photoelectron Spectroscopy, XPS)分析了薄膜的化学成分。研究了厚度对薄膜结构和形貌的影响。结果表明,得到的ZnS薄膜为多晶结构,薄膜的厚度随循环数线性增加,速率为1.45 ?/cycle。对在75℃温度下烘烤48 h后的薄膜进行了XPS分析,得出的Zn/S比为1.07:1,表明烘烤除去了薄膜中残存的H2S。以较短生长时间得到的较薄的薄膜具有更好的表面平整度和更致密的结构。     

液相外延生长Hg1—xCdxTe薄膜及其特性分析

报道了用液相外延技术生长Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ薄膜的工艺及分析薄膜特性的方法，结果Ｈｇ气压，过冷度，降温速率及退火条件等因素对液相外延薄膜的性能有很大影响，由Ｘ射线双晶回摆曲线可定量分析点阵失配度及外延层的组份，由红外透射光谱确定外延层组份的纵向分布。     

采用X射线测量硬质薄膜宏观内应力的拉伸法

本文讨论了一种采用拉伸释放薄膜宏观内应力的Ｘ射线应力测量方法，并用此方法测量了含有梯度过渡层的ＴｉＮ薄膜的内应力。     

用RHEED方法分析半导体薄膜特性

在讨论ＲＨＥＥＤ原理的基础上，介绍了组建的ＲＨＥＥＤ和其附属的真空系统，并用此装置得到了Ｓｉ薄膜的ＲＨＥＥＤ衍射花样。本文还对实验条件和实验结果进行了简单的分析和介绍。     

X射线衍射、X射线光电子能谱对PtSi薄膜形成机理的研究

促使物相尽可能地向Pt2Si和PtSi 转化,是PtSi薄膜工艺研究中的重要工作。文中通过用X射线衍射（ XRD）、X射线光电子能谱（XPS）微观分析手段对PtSi薄膜形成物相分步观察,研究了长时间变温退火、真空退火以及真空和保护气体（N2和H2）退火等工艺条件对溅射PtSi薄膜物相形成的影响。结果表明,氢气气氛退火能提高薄膜质量;真空退火可以减少氧元素对成膜的影响。     

硫化锌的光电子发射结构

对硫化锌粉料、硫化锌半导体微晶薄膜进行了Ｘ射线光电子发射谱剖析。获得粉料、薄膜表层及表层下的电子态信息，揭示了硫化锌粉料、薄膜微结构与电致发光性能的关系。     

用于Gb级DRAM的TiO2薄膜结构的研究

运用反应磁控溅技术制备了应用于Ｇｂ级ＤＲＡＭ中的ＴｉＯ２薄膜。本文报道了对该薄膜进行Ｘ射线衍射结构分析所得到的详细结果，并给出了薄膜结构同热处理条件之间的关系。     

射频磁控溅射制备ZnO纳米薄膜的研究

采用磁控溅射的方法来制备ZnO纳米薄膜.薄膜的晶体特性以及表面结构主要通过X射线衍射、扫描电子显微镜及原子力显微镜来进行表征.     

射频磁控溅射制备ZnO纳米薄膜的研究

采用磁控溅射的方法来制备ZnO纳米薄膜。薄膜的晶体特性以及表面结构主要通过X射线衍射、扫描电子显微镜及原子力显微镜来进行表征