金属离子掺杂对TiO_2薄膜性能的影响

以钛酸丁酯为主要原料,在乙醇-水体系中采用溶胶-凝胶法,制备掺杂Li+、Mg2+、Al3+三种金属离子的溶胶前驱体,利用浸渍提拉法制备TiO2薄膜。结果表明,掺杂金属离子的薄膜的最大吸收波长均在300~310 nm处;掺杂Li+、Mg2+的薄膜的吸收光谱发生蓝移,且随掺杂量的增多蓝移现象减弱;掺杂Al3+的发生红移,且随掺杂量的增多红移现象减弱。掺杂Mg2+的吸光性能较好。扫描电镜照片表明试样的表面平整,颗粒均匀。     

Sb掺杂SnO2增反射薄膜的制备及性能研究

为提高玻璃的保温性能,以SnCl5.HO和SbCl为主要原料,采用溶胶-凝胶法制得SnO增反射薄膜,对该样品4232的性能研究结果表明,该薄膜可见光透过率可达90%,而对红外光谱具有良好的反射性。     

硅掺杂和硅钒共掺杂对TiO2光催化性能的影响

采用溶胶-凝胶法在玻璃表面制备了一定厚度(约120 nm)的掺硅TiO2薄膜,在配制原始溶液时,所用钛酸四丁酯、正硅酸乙酯、乙醇、水和硝酸的摩尔比为1∶y∶25∶1∶0.2.用扫描电子显微镜观察其表面形貌,用X射线衍射表征其结构.以甲基橙溶液为体系,考察掺杂后TiO2薄膜的光催化性能.结果表明当y≤0.3时,随硅掺入量的增加,TiO2薄膜的光催化性能提高;当y>0.3时,硅的掺入使TiO2薄膜的光催化性能降低.另外,用相同方法制备了钒硅共掺杂的TiO2薄膜,发现钒硅共掺杂可以进一步提高TiO2的光催化性能.     

厚度对溶胶-凝胶法制备锂掺杂ZnO薄膜性能的影响

采用溶胶-凝胶旋涂法在玻璃衬底上制备了不同厚度的ZnO:Li半导体薄膜.采用X射线衍射仪和扫描电子显微镜分析了薄膜的物相结构和形貌,用Hall效应测量仪常温下测量薄膜的电学性能.结果表明:该薄膜具有高度的c轴择优取向性,所有薄膜只有1个(002)衍射峰,并且衍射强度随着膜厚增加而加强.ZnO:Li薄膜晶粒呈柱状,晶粒直径不随膜厚改变,约为40 um.ZnO:Li薄膜为P型导电,薄膜越厚,其电学性能与晶体结晶越好,(002)方向择优取向生长越明显.电阻率随着膜厚增加而减小,最小的电阻率为1.32×102(Ω·cm).载流子-空穴浓度为3.546×1016/cm3,迁移率为1.34cm2/(V·s).ZnO:Li薄膜在可见光范围内的透过率达到90%,薄膜对紫外光的吸收与厚度有关.     

溶胶-凝胶法制备SiO2-TiO2纳米复合薄膜的结构及光学性能研究

采用ｓｏｌ－ｇｅｌ工艺制备了（－ｘ）ＳｉＯ２－ｘＴｉＯ２（ｘ＝５％,８％,２０％,３０％,４０％,５０％摩尔分数）纳米复合薄膜,Ｘ射线衍射及折射率测量表明,随着ＴｉＯ２摩尔分数的增加,薄膜的折射率呈线性增加,而ＴｉＯ２的析晶温度则降低,随着薄膜热处理的提高,其折射率亦增加,主要来自于薄膜结构转变的贡献,即由非晶态转变为锐钛矿相,由锐钛矿转变为金红石与锐钛矿两相共存两转变为完全的金红石相结构,并诱导     

SnO_2/ZnO/铝箔复合薄膜的制备及光催化性能研究

采用溶胶-凝胶法在玻璃片/铝箔上制备SnO2/ZnO复合薄膜,以甲基橙水溶液模拟有机污染物,在可见光及紫外光下研究了SnO2/ZnO薄膜的光催化降解性能。实验结果表明:以铝箔为载体比以玻璃为载体时降解效率要有明显提高;当Sn Cl4在溶胶中的质量浓度为0.05 g/m L时,SnO2/ZnO/铝箔的降解效率最高;光照2 h时,在紫外光照射下降解效率为98.91%,可见光照射下降解效率达到了82.62%。     

氨处理溶胶——凝胶SnO_2薄膜特性研究

采用溶胶 凝胶 (Sol Gel)法制备SnO2 薄膜 ,通过对薄膜的不同处理方式 (热处理、氨处理和未处理 )所获得的SnO2 薄膜的比较 ,研究了氨处理SnO2 薄膜的结构、抗机械损坏能力、光学及电学特性。实验结果表明氨处理溶胶 凝胶SnO2 薄膜不仅具有较好的抗机械损坏能力 ,同时也具有良好的光学和电学性能     

溶胶-凝胶法制备掺杂银的TiO2薄膜与光催化性能的研究

论述了用溶胶—凝胶法在普通钠钙硅玻璃基片涂单一的TiO2膜和掺银的TiO2膜的工艺过程．探讨了热处理过程膜结构的转化、影响膜质量的各种工艺因素，并对两种膜的光催化性能做了比较。结果表明：适当选择涂液成分、热处理温度，可以在普通玻璃基片上制备性能优良的膜层，其掺银膜层的光催化性能优于单一的TiO2膜，而且膜层化学稳定性和强度都较高。     

钇掺杂硅酸锆薄膜的制备及其抗氧化性能研究

通过溶胶-凝胶法在SiC基底上制备了钇掺杂硅酸锆薄膜。采用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析技术分别对样品的物相和形貌进行了表征,并测试了抗氧化性能。实验结果表明,未进行钇掺杂时,硅酸锆薄膜中存在t-ZrO₂和m-ZrO₂杂质相,1300℃氧化102 h后SiC基底增重0.03%。相比之下,钇掺杂后硅酸锆薄膜中仅存在t-ZrO₂杂质相,当钇掺杂量为2%时,氧化后SiC基底的质量变化仅为0.027%。这是由于钇掺杂防止了ZrO₂相转变,提升了薄膜的整体稳定性,但掺杂量大于3%时会影响硅酸锆的合成。     

nAERO法制备F掺杂SnO_2薄膜的结构与性能研究

采用nAERO辅助气溶胶薄膜沉积技术制备SnO_2∶F薄膜玻璃(FTO),研究了F掺杂量对SnO_2∶F薄膜结构和性能的影响,分别利用X射线衍射仪、扫描电镜、雾度测量仪、方阻测量仪、Lambda750分光光度计对所生产的玻璃薄膜的结构、形貌等进行了研究,讨论了F掺杂量对雾度、透过率、反射率、方阻等薄膜性质的影响。     

制备工艺对SnO2:Sb透明导电膜性能的影响

将SnO2：Sb和SbCl3分别溶解于乙醇中，搅拌至完会溶解，以不同的Sb／Sb混合制备得到溶胶后，分别采用浸渍提拉、喷涂、旋涂工艺制备透明导电膜，并考察了不同制备工艺及热处理温度对膜的厚度、薄膜方块电阻以及对薄膜透光率的影响，运用XRD、SEM、TEM对所制备的透明导电膜进行了分析表征。     

热处理温度对MoO_3薄膜的结构及光致变色性能的影响

采用溶胶-凝胶浸渍提拉法制备MoO3光致变色薄膜。用色差计表征了材料的光致变色性能,并结合X射线衍射、扫描电镜、紫外-可见吸收光谱研究了热处理温度对其微观结构及性能的影响。结果表明:制备的产物为斜方相MoO3;随热处理温度的升高,MoO3薄膜光致变色性能先增后减。当温度为500℃时,薄膜的结晶度最大,颗粒粒径最小,比表面积较大;色差值最大为1.2330。在该温度下激发波长向长波长移动,薄膜的吸收光波区域变宽,从而使MoO3薄膜的光致变色性能提高。     

Pb用量对锆钛酸铅薄膜微观结构和铁电性能的影响

在Pt/Ti/SiO2/Si基片上,通过多次匀胶旋涂-预热处理工艺制备了PbTiO3(PT)无机薄层夹心的锆钛酸铅(lead zirconate titanate,PZT)薄膜,然后经650℃退火处理得到了所需的具有钙钛矿结构的PZT铁电薄膜.用X射线衍射、原子力显微镜表征了PZT铁电薄膜微观结构,并测试铁电性能.结果表明:制备PT层时的Pb用量对得到的PZT铁电薄膜的微观结构和铁电性能有重要影响.当Pb过量15%(摩尔分数)左右时,得到的PZT铁电薄膜不仅晶界清晰,晶粒尺寸分布均匀,具有纯钙钛矿结构,而且铁电性能优异,剩余极化强度Pr=21μC/cm2,矫顽场Ec=37kV/cm.     

磁控射频溅射Cu掺杂SnO2薄膜的气敏光学特性研究

采用磁控射频溅射的方法,在玻璃基片上制备SnO2及其掺杂薄膜。采用AFM和XRD分析薄膜的表面形貌与结构,对掺Cu的SnO2薄膜在常温丙酮气氛作用下,用UV分光光度计进行了气敏光学特性测试,研究结果表明：薄膜在常温下对丙酮气体具有明显的敏感效应,其反射率在可见光范围的某些波段有20%的变化。     

UV-Vis光谱研究Al3+,Zn2+,Cu2+掺杂对TiO2薄膜光学禁带宽度的影响

通过采用溶胶一凝胶法制备了稳定的TiO2溶胶，在此基础上制备了Al^3＋，Zn^2＋，Cu^2＋等金属离子氧化物掺杂的复合TiO2薄膜。采用X射线衍射、紫外一可见分光光度计以及NKD-7000W薄膜分析系统对所得薄膜晶相组成、光学性质以及禁带宽度等进行了表征。结果表明，这些金属氧化物与TiO2的复合薄膜体系中，形成了单一的锐钛矿相TiO2，与纯TiO2薄膜相比，复合薄膜中TiO2纳米粒子平均尺寸在一定程度上减小了。同时，复合TiO2薄膜的光学透过率以及光学禁带宽度均随着添加量的增加而规律性变化。     

掺杂Sb对SnO2透明导电膜导电性的影响分析

采用溶胶凝胶法制备透明导电膜,并考察了Sb的掺杂量、热处理温度对薄膜方块电阻以及对薄膜透光率的影响。在SnO_2掺杂1．0%(wt)Sb能显著提高薄膜的电导性,制得的透明导电膜表面电阻率最低为ρ=16×10~(-3)Ω·cm,且薄膜的连续性、致密性好,透光率达到90%以上。     

电致发光用SnO2:Sb透明导电膜的制备及性能

采用溶胶凝胶法浸渍提拉工艺制备透明导电膜,并考察了Sb3 的掺杂量、膜的厚度、热处理温度对薄膜电阻的影响,以及不同的处理方法对薄膜透过率的影响,制得透明导电膜的电阻率最低可达ρ=16×10-3Ω·cm,薄膜连续性、致密性好,平均透光率达到90%以上。对所制备的透明导电膜用XRD、FT-IR、SEM、TEM进行了分析表征。     

LaNiO_3薄膜材料氧敏性能的研究

采用硝酸盐为原料、柠檬酸为螯合剂的无机盐溶胶 -凝胶 (ISG)法合成LaNiO3系稀土复合氧化物陶瓷薄膜 ,并且对LaNiO3薄膜在高温还原气氛下的结构稳定性及氧敏机理进行了探讨 .为了进一步提高薄膜的氧敏性能 ,对LaNiO3薄膜进行了贵金属Pt掺杂和Ce掺杂改性 ,制备的Pt/Ce/LaNiO3掺杂改性薄膜在较宽的温度范围内 (3 0 0～ 80 0℃ ) ,对氢气和氧气都具有较好的响应速度 ,并且对气氛循环变化的响应具有重复性和一定的抗老化能力     

蓝宝石衬底上SiO2薄膜的制备与光学性能

以硅单晶为靶材,高纯的Ar和O2气分别为溅射气体和反应气体,采用射频磁控反应溅射法,在蓝宝石衬底上制备了SiO2薄膜,溅射的工艺参数范围是：射频功率为50～100W,样品托背面温度为25～400℃,沉积速率为4～6nm／min。对影响薄膜质量的工艺参数进行了分析,探索出使蓝宝石镀膜后的红外透过率有最大幅度提高的最佳工艺条件。结果表明,所制备的SiO2薄膜与蓝宝石衬底结合牢固;在3～5μm波段对蓝宝石衬底有明显的增透作用。与其它镀膜技术相比,射频磁控反应溅射法可以在较低的温度下制备出SiO2薄膜。