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1.
用ArF脉冲准分子激光在SOI和Pt/SOI衬底上沉积了Pb(Zr,Ti)O_3铁电薄膜,并用快速退火进行热处理。x射线衍射、卢瑟辐背散射等分析表明:所结晶的薄膜是以(100)和(110)为主要取向的多晶膜,且结晶情况与热处理温度和时间密切相关;PZT薄膜呈现铁电性,其剩余极化Pr=15μc/cm ̄2,矫顽电场Ec=50kV/cm;并且具有较高的介电常数和较高的电阻率。 相似文献
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研究了用固相法制备的掺(Sr,Pb)TiO3陶瓷的热敏特性。结果表明,掺Nd的(Si,Pb)TiO3陶瓷具有良好的NTC-PTC复合热敏特性,主要参数:Tc=123℃,pRT=150Ωcm,pmin=15.44Ωcm,α(-)50=-3.06%/℃,α(+)50=7.57%/℃,降阻后材料仍为典型的ABO3型钙肽矿结构;Nd^3+一部分以施主形式进入A位,一部分仍以Nd2O3的形式残留在试样中。S 相似文献
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应用氧离子束辅助准分子脉冲激光沉积薄膜技术,先在NiCr合金(Hastelloy c-275)基底上在室温下淀积具有平面织构的钇稳锆(YSZ) 缓冲层薄膜,再在 YSZ/NiCr基底上在 750℃下制备具有平面织构和高临界电流密度的 YBa2Cu3O7-X(YBCO)薄膜、 YSZ和 YBCO薄膜都为 c-轴取向和平面织构的, YSZ(202)和 YBCO(103)的 X射线扫描衍射峰的全宽半峰值分别为 18'和 11'.YBCO薄膜的临界温度和临界电流密度分别为 90K(R=0)和 7.9x105A/cm2(77K,零磁场). 相似文献
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溶胶—凝胶技术制备Bi4Ti3O12铁电薄膜的研究 总被引:3,自引:0,他引:3
采用溶胶-凝胶技术在Si单晶基片上制备了具有层状钙钛矿型结构的Bi4Ti3O12x铁电薄膜,讨论了回火温度与时间对薄膜结构的影响,X射线衍射分析表明,经700℃和700℃以上温度回火的薄膜为具有层状钙矿型结构的Bi4Ti3O12多晶薄膜,该薄膜的电滞回线测试呈出剩余极化强度Pr=5μC/cm^2,矫顽场Ec=130kV/cm。 相似文献
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无Co混合导电型陶瓷透氧膜的制备和性质研究 总被引:2,自引:0,他引:2
首次合成了Sr10-n/2BinFe20Om(n=2,4,6,8,10等)系列氧化物透氧膜,它们具有较高的透氧能力,其中,样品n=10在1100K时的透氧率为0.90ml(STD)/(cm2·min),比Sr1-xBixFeO3高约两倍.Sr1-xBixFeO3(x=0.1,0.3,0.5)系列的透氧率随Bi含量增加而增大.通过两个系列氧化物的XRD和化学组成的对比,发现Bi离子含量和晶格空位浓度对透氧能力大小起决定性作用. 相似文献
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黄铜矿型CulnSe2(CIS)多晶薄膜具有优良的光伏特性。在对现有制备工艺进行了对比分析的基础上,首次采用sol-gel法制备了Cu2ln2O5(CIO)薄膜,经Se化获得了结构均匀、表面平整、组成接近于化学计量比的CIS薄膜电阻率介于10^5~10^6Ω.cm之间,与国外采用其它高成本工艺制备的薄膜性能相当。基于上述实验,对Se化CIO法制备CIS半导体薄膜的机理及材料的光伏性能进行了分析。 相似文献
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脉冲激光沉积SrBi2Ta2O9铁电薄膜电容特性研究 总被引:2,自引:0,他引:2
用PLD方法成功地制备了SBT铁电薄膜,并制作成Pt/SBT/Pt薄膜电容器。SBT薄膜的晶面取向以(008)和(115)为主。在5V电压下,极化反转,并且得到较饱和的电滞回线,剩余极化强度和矫顽电场分别为84μC/cm2和57kv/cm。IV特性测试显示两个对称的双稳峰,并得到零电压下,面积为314×104μm2,厚度为035μm的电容器,电容约为560pF,介电常数约为600。疲劳测试表明Pt/SBT/Pt具有优良的抗疲劳特性。 相似文献
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CeO2-Y2O3固体氧化物燃料电池的电化学性能 总被引:4,自引:0,他引:4
以Y2O3掺杂的CeO2为固体电解质,制备了电解质支撑的固体氧化物燃料电池。测定了H2-O2电池的电压-电流密度(V-I)和输出功率-电流密度(P-I)关系曲线。为抑制CeO2基材料的电子导电性的影响,采用溶胶凝胶技术,在阳极与电解质间制备了一层1μm厚的YSZ薄膜,750℃时,电池开路电压由0.73V上升到0.82V,最大输出功率密度从36mW/cm^2增加到54mW/cm^2,增大50%,证明YSZ阻挡膜确定能改善电池的电化学性能。 相似文献
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等离子体辅助反应式脉冲激光熔蚀制备AlN薄膜的低温生长 总被引:1,自引:0,他引:1
使用等离子体辅助反应式脉冲激光溅射沉积薄膜的方法在Si(111)和Si(100)基片上已经成功地低温制备出AlN多晶膜。实验表明,当脉冲能量密度DE=1.0J·cm-2,脉冲频率f=5Hz,氮气气压PN2=1.33×104Pa,基底温度tsub=200℃,放电电压V=650V,基靶距离dS-T=4cm时薄膜的生长速度等于6nm/min。AlN薄膜的折射率为2.05,和基底的取向关系分别为:AlN(110)∥Si(111)和AlN(100)∥Si(100)。 相似文献
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用双离子束辅助沉积(IonBeamAsistedDeposition,IBAD)方法在Ni-Cr合金上合成了具有(00l)择优取向,平面双轴排列的YSZ膜(Y2O3-ZrO2)作为YBCO超导膜缓冲层。辅助轰击离子束方向与衬底法线的夹角540左右时可获得最佳的(00l)择优效果。8000C高温退火后其结构有较大的改善。在其上用MOCVD方法生长的YBCO膜的Tc=88K,Jc=10×104A/cm2(0T,77K),并且从Φ扫描的结果说明了YSZ缓冲层上YBCO膜的生长机制。 相似文献
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RAlO3(R=稀土元素)化合物的结晶学研究 总被引:1,自引:1,他引:0
藉助于微机控制的线性扫描系统LS-18和TREOR、PIRUM程序对SmAlO3和GdAlO3的X射线射Guinier-Hagg照相底片数据进行了处理,并精密测定了它们的晶胞参数,SmAlO3属四方晶系,a=5.2876(2)A,c=7.4858(7)A,GdAlO3属正交晶系,a-5.2511(3)A,b-5.3017(2)A,c=7.4450(3)A。言语中对钙钛矿结构的RAlO3(R=稀土元 相似文献
14.
用脉冲激光淀积方法在Pt/TiO2/SiO2/Si(001)衬底上制备了掺Ta的PZT薄膜,此薄膜显示了理想的铁电性。漏电流特性表明这种异质结构中Schottky场发射机制起主要作用。扫描电镜形貌照射表明PZT薄膜结晶很好并且异质结构界面无明显扩散。 相似文献
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铁砂中Si的含量对永磁铁氧体结晶形貌和磁性能的影响 总被引:2,自引:0,他引:2
用不同TFe和SiO2含量的精铁砂代替Fe2O3,制备永磁铁氧体,通过扫描电镜形貌观察和宏观磁性的测量分析,表明:当铁砂中的TFe含≥71.5%,SiO2含量≤0.24%,酸不溶物含量≤0.6%时,可用于生产高性能永磁铁氧体,其性能达Br=0.424T,Hc=192kA/m,(BH)max=31.2kJ/m^3。 相似文献
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用溶胶—凝胶技术及回旋法,在石英玻璃和单晶si基片上制备PLZT(28/0/100)多晶薄膜;在SrTiO3和α-A12O3单晶基片上外延生长择优取向薄膜.其外延关系分别为(100)PLZT(28/0/100)//(100)SrTiO3和(100)PLZT(28/0/100)//(0001)Al2O3.用IR,XRD.RHEED,SEM和SIMS分析凝胶中杂质、凝胶的分子结构和薄膜的显微结构.结果表明,用溶胶—凝胶技术能制备出显微结构良好的多组份陶瓷薄膜. 相似文献
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交联型聚醚聚氨酯的表征、力学性能及其碱金属盐络合物的导电性能 总被引:1,自引:0,他引:1
采用三羟甲基丙烷(TMP)作交联剂与聚乙二醇(PEO-1540)和甲苯二异氰酸酯(TDI)反应,得到了具有较好力学性能的交联型聚醚聚氨酯(PEU),该聚合物与LiClO4的结合物具有较高的室温电导率(σ30℃=1.87×10 ̄(-4)S/cm)。采用全反射红外光谱(ATR-IR)对聚合物的结构进行了表征。对聚合物的组成、不同TDI类型及络合盐浓度对聚合物力学性能及其络合物电导率的影响进行了探讨。低度交联聚合物的络合物,其电导率与温度的关系符合建立在自由体积理论上的VTF方程,表明络合物中离子的传导主要是在无定形区域进行,与自由体积有关。 相似文献
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常压MOCVD制备MgO薄膜的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
本文首次报道用常压金属有机化学气相沉积(AP-MOCVD)在Si(100),SiO2/Si(100)和Pt/Si(100)衬底上外延高质量的MgO薄膜。研究了衬底温度与薄膜的取向性关系和MgO薄膜的潮解特性。高纯magnesiumacetylacetonate[bis(2,4-pentanetane-diono)magnesium][Mg(CH2COCH2COCH3)2]作为金属有机源,扫描电镜(SEM),透射电镜(TEM)和X-RAY衍射实验显示,在较低的衬底温度(~480℃)下一次淀积成单晶膜。薄膜均匀,致密,结晶性和取向性很好,衬底温度(Ts)在400℃到680℃之间,在Si(100)衬底上生长的MgO薄膜都具有[100]取向,在Si(100)、SiO2/Si(100)和Pt/Si(100)衬底上生长的MgO薄膜也都具有[100]取向。 相似文献