Co_xFe_（3－x）O_4薄膜的湿法制备及性能

提出了在碱性溶液中通过加入添加剂在涤纶（ＰＥＴ），玻璃，铜片等基体上快速制备Ｃｏ－ｘＦｅ＿（３－ｘ）Ｏ＿４磁性薄膜的方法。实验结果表明，湿法制备的薄膜具有多晶的尖晶石结构，随着Ｃｏ含量的增高，矫顽力逐渐增大，耐蚀性良好。     

ZnxFe3—xO4的制备及性能

采用合适加剂在碱性溶液中制备了ＦｅＺｎ铁氧体，研究了其形成机理及磁性能，提出ＦｅＺｎ铁氧体的形成机理为：Ａｎ＾２＋＋２Ｆｅ＾３＋＋８０Ｈ＾－→ＺｎＦｅ２Ｏ４＋４Ｈ２Ｏ Ｆｅ＾２＋＋２Ｆｅ＾２＋＋８０Ｈ＾－→Ｆｅ３Ｏ４＋４Ｈ２Ｏ。     

基片表面的磁场对磁控溅射法制备Fe—N薄膜特性的影响

利用反应磁控溅射方法制备了Fe-N薄膜,发现未退火的薄膜基本处于非晶或微晶状态,退火或在沉积时对基片施加一磁场,可使晶粒变大,并出现大对应内部存在应力的γ－Fe4N的（110）界面的择优取向,特别是外加的磁场使得Fe-N薄膜具有明显改善的磁性能,作利用磁场中带电粒子受约运动的观点解释了这一现象。     

双离子束溅射法制备铁氮薄膜

使用双离子束溅射法制得了铁氮薄膜,随着基片温度的变化,薄膜的成分是ε－Fe2-3N,γ′－Fe4N或是二相的混合物,薄膜的晶粒尺寸随基片温度的升高而增大。以振动样品磁强计（VSM）测定了薄膜的磁性能。另外,研究了在基片温度为160℃时,改变主源中通入N2／Ar的比例对薄膜成分的影响。     

Sol-gel法制备CoxFe3-xO4薄膜的结构磁性及温度特性

采用溶胶一凝胶旋转包覆法在SiO2衬底上制备了CoxFe3-xO4(x=0.2～0.8)钴铁氧体薄膜.样品的磁性、结构及表面形貌分别采用振动样品磁强计(VSM)、X射线衍射仪(XRD)和原子力显微镜(AFM)进行测量与分析,并对Co0.8Fe2.2O4薄膜进行了高温结构和磁性原位测量.室温测量结果表明,随Co2 含量增加,样品中的尖晶石相衍射峰逐渐增强,至x=0.8时样品形成单一的尖晶石结构,同时获得较高的磁性,矫顽力达到1.56×105A/m,并且薄膜的晶粒得到细化.高温原位测量结果表明,在500 ℃高温下样品的线膨胀系数为1.3×10-5K-1,表明Co0.8Fe2.2O4薄膜结构具有良好的热稳定性.     

低温制备Pb(Zr0.52Ti0.48)O3铁电薄膜及其性能研究

采用脉冲激光沉积技术（PLD）在（100）p-Si衬底上,低温淀积、快速退火成功地制备了具有完全钙钛矿结构的多晶PZT铁电薄膜,所制备的PZT铁电薄膜致密、均匀,表现出良好的介电和铁电性能,其介电常数和介电损耗100kHz下分别为320和0.08,剩余极化Pr和矫顽场Ec分别为14μC/cm^2和58kV/cm,＋5V电压下漏电流密度低于10^-7A/cm^2。10^7次极化反转后剩余极化仅下降10％,具有较好的疲劳特性。     

Pb1-xLaxTiO3薄膜的制备及特性研究

用溶胶－凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)基底上制备Pb1-xLaxTiO3(PLT,x≤0．2）薄膜,研究薄膜的结构及其介电、铁电性能。在600℃下退火1h的PLT薄膜表现出单一的钙钛矿结构,（100）择优取向明显。在室温下PLT薄膜有典型的电滞回线。在x≤0.2（摩尔比）的范围内,PLT薄膜的矫顽场、剩余极化强度都随着La的增加而降低,相对介电常数则随着La的增加而增加。     

高饱和磁化强度FeCoN薄膜的制备

制备条件对ＦｅＣｏＮ薄膜的结构与磁性有重要的影响。选择合适的基片温度和退火方式,可以用溅射方法制备出具有高饱和磁化强度的ＦｅＣｏＮ薄膜。     

FePtAg颗粒薄膜的制备及性能表征

采用磁控溅射方法在自然氧化的单晶Si(100)基片上制备了FePtAg颗粒薄膜.通过调整靶材的溅射速率、控制掺杂Ag元素的含量,选择适当的热处理工艺,获得了晶粒尺寸约5nm,分布均匀的FePt颗粒薄膜,矫顽力为3.2×105A/m,磁滞回线具有良好的矩形度,薄膜内部无交换耦合作用,适用于高密度磁记录介质材料.     

FeS2薄膜的制备和性能

研究了不同热硫化条件下用纯Ｆｅ膜反应形成的ＦｅＳ２多晶薄膜成分、结晶形态和电阻率的变化规律，结果表明，在４００℃等温２０～３０ｈ时，生成的ＦｅＳ２比较充分，薄膜中的Ｆｅ、Ｓ含量接近ＦｅＳ２计量成分，随硫化温度升高，ＦｅＳ２晶粒明显增大，电阻率显著上升，当在４００℃硫化充分形成ＦｅＳ２晶粒后，继续延长等温时间对组织形态无明显影响。     

铁氧化物薄膜气敏材料的制备及性能研究评述

本文综合介绍近年来在铁氧化物薄膜所敏材料制备方法、性能方面的研究新进展，探讨了各种方法的特点。提出了今后铁氧化物气敏传感器的研究及改进方向。     

AlN的性能及其粉体与薄膜的制备

氮化铝（ＡｌＮ）是非氧化化性高功能陶瓷材料，具有许多优异的物理化学性质，日益被人们所重视，评述了ＡｌＮ粉末和Ａｌｎ薄膜的制备，应用。     

平面射频磁控制射法制备YSZ薄膜及性能

研究了应用射频磁控溅射尖不同基板上制备ＹＳＺ薄膜和工艺条件对其微观结构的影响。结果表明,在清洁的基板上制备的ＹＳＺ薄膜经６００℃以蝗,薄膜表面致密均,无裂纹,薄膜与基板的结合紧密,薄膜具有较高的电导率,完全可以作为固体电解质使用。     

Ti3O5薄膜的制备

Ｔｉ３Ｏ５是ＴｉＯｘ材料中相对较稳定的晶型,是一种潜在氧敏材料。与传统的ＴｉＯ２、ＺｒＯ２材料相比,具有阻温特性好的特点。通过Ｈ２还原ＴｉＯ２来制备Ｔｉ３Ｏ５薄膜,主要研究了不同原还温度和保温时间对薄膜晶相组成的影响。并对Ｔｉ３Ｏ５薄膜的导电性、电阻－温度稳定性及在氧化气氛中的晶格稳定性作了初步分析。     

TiAlN硬质薄膜的制备工艺及结构性能研究进展

硬质TiAlN薄膜作为最有前途的TiN薄膜替代材料,具有比TiN薄膜更高的硬度、低摩擦因数、良好的高温稳定性和耐腐蚀性等优异性能,在石油、刀具、模具、电力、航空发动机等领域得到广泛应用。本文综述了TiAlN薄膜近年来国内外的应用及发展情况,着重阐述了TiAlN薄膜的制备方法,以及工艺参数对TiAlN薄膜性能的影响。同时对TiAlN硬质涂层的结构和性能进行了全面介绍,指出了TiAlN硬质薄膜性能优化的方法,并对TiAlN硬质薄膜的研究以及应用方向进行了展望。TiAlN硬质薄膜会随着科研人员的进一步深入研究以及应用的需求向复合化、多元化、纳米多层结构方向发展。     

Fe-Al-N薄膜的制备和磁性能

用双离子束溅射法在(100)硅片和NaCl单晶基片上制备出FeAlN薄膜，研究了主源气氛和基片温度对FeAlN薄膜的结构及磁性能的影响。在基片温度较高或主源中氮的含量较低时，FeAlN薄膜有较高的饱和磁化强度Ms．加入Al使薄膜的晶粒细化，也使其矫顽力下降，热稳定性提高．在500℃退火后，A1的原子分数为10．0％的FeAlN薄膜仍具有较好的软磁性能，饱和磁化强度Ms和矫顽力Hc分别为2.02T和0．96kA／m．     

锆钛酸铅铁电薄膜的制备及性能研究

本文用无机锆盐代替锆的醇盐，研究了溶胶－凝胶技术制备锆钛酸铅（简称ＰＺＴ）铁电薄膜的热处理工艺、结构和电性能。研究结果表明，在Ｓｉ单晶基片上制备的ＰＺＴ薄膜为钙钛矿型结构的陶瓷薄膜，其晶粒细小、致密，且具有良好的铁电性能，适合于制备铁电存贮器。     

SiCN薄膜的制备及其性能研究

利用射频溅射法在Si衬底上制备了SiCN薄膜，并利用X射线衍射（XRD）、红外吸收谱（FTIR）和X射线光电子谱（XPS）对薄膜的结构、成份及化学键合状态进行了分析。结果表明，室温制备的SiCN薄膜为非晶状态，并形成了Si-C、Si-N和C－N键；而在高温下（衬底温度为800℃），薄膜中含有SiCN的晶体成分。此外，还利用原子力显微镜（AFM）对薄膜的表面形貌进行了研究，并进一步研究了样品的场发射性能。在场强为24V／μm时，最大发射电流可达3.3mA/cm^2。