非均匀沟道DMOS器件阈值电压模型

提出了DMOS器件的二维电荷阈值电压模型。基于沟道区杂质的二维分布,求解泊松方 程,得到沟道区中耗尽电荷总量,给出DMOS二维阈值电压模型的解析式。该模型的解析解与实验 结果和数值解相吻合。并对DMOS的短沟效应和阈值电压与沟道表面扩散浓度、沟道结深和沟道 长度等参数的关系进行了深入分析,给出了短沟DMOS器件阈值电压的解析式。文中还给出了沟 道表面掺杂浓度在2.0×1016cm-3到10.0×1016cm-3范围内DMOS器件的阈值电压简明计算式。该 模型解决了习用的DMOS器件阈值电压模型解析值比实验结果大100％以上的问题。     

DMOS阈值电压二维模型

提出了DMOS器件的二维阈值电压模型 ,分析了耗尽层宽度的变化 ,并得到了模型的数学表达式 .模型的解析解与实验结果和二维仿真器MEDICI的数值解相吻合 .给出了沟道表面扩散浓度在 2e16～ 10 e 10 16cm-3 范围内DMOS器件的阈值电压简明计算式 .该模型的提出解决了以往所用的DMOS阈值电压模型计算很不准确的问题 .     

短沟DMOS阈值电压模型

该文提出了短沟DMOS阈值电压模型。基于沟道区耗尽电荷的二维分布,计算沟道区中耗尽电荷总量,由此给出短沟DMOS阈值电压模型的计算式。该模型的解析解与二维仿真器MEDICI的数值解吻合。分析表明,DMOS沟道长度小于0.80m,就应考虑短沟效应。     

DMOS辐照正空间电荷阈值电压模型

提出了一种DMOS辐照正空间电荷闽值电压模型。基于沟道杂质的非均匀分布，借助镜像法，导出辐照正空间电荷与沟道电离杂质的二维场和二维互作用势；求解泊松方程，由此给出DMOS辐照正空间电荷阈值电压模型表示式。该模型的解析解与MEDICI仿真的数值解吻合。     

隐埋层中二维效应对全耗尽SOI非对称HALO结构阈值电压的影响

在非对称HALO结构的全耗尽SOI二维阈值电压解析模型的基础上,对阈值电压受隐埋层中二维效应的影响进行了讨论.通过与一维模型的比较,说明在深亚微米SOI MOSFET器件中隐埋层的二维效应会导致器件提前出现短沟道效应.新模型结果与二维数值模拟软件MEDICI吻合较好.     

隐埋层中二维效应对全耗尽SOI非对称HALO结构阈值电压的影响

在非对称HALO结构的全耗尽SOI二维阈值电压解析模型的基础上,对阈值电压受隐埋层中二维效应的影响进行了讨论.通过与一维模型的比较,说明在深亚微米SOI MOSFET器件中隐埋层的二维效应会导致器件提前出现短沟道效应.新模型结果与二维数值模拟软件MEDICI吻合较好.     

异质栅单Halo沟道SOI中隐埋层对器件特性的影响

研究异质栅单Halo沟道SOI MOS器件的隐埋层中二维效应对器件特性,如电势分布、阈值电压等的影响,仿真结果表明,隐埋层中的二维效应会引起更明显的SCE及DIBL效应.在考虑隐埋层二维效应的基础上,提出了一个新的二维阈值电压模型,能较好地吻合二维器件数值模拟软件Medici的仿真结果.     

全耗尽SOI MOSFETs阈值电压解析模型

提出了一种新的全耗尽SOI MOSFETs阈值电压二维解析模型.通过求解二维泊松方程得到器件有源层的二维电势分布函数,氧化层-硅界面处的电势最小值用于监测SOI MOSFETs的阈值电压.通过对不同栅长、栅氧厚度、硅膜厚度和沟道掺杂浓度的SOI MOSFETs的MEDICI模拟结果的比较,验证了该模型,并取得了很好的一致性.     

全耗尽SOI MOSFETs阈值电压和电势分布的温度模型

提出了一个全耗尽SOI MOSFETs器件阈值电压和电势分布的温度模型. 基于近似的抛物线电势分布模型,利用适当的边界条件对二维的泊松方程进行求解. 同时利用阈值电压的定义得到了阈值电压的模型. 该温度模型详细地研究了电势分布和阈值电压跟温度之间的变化关系,同时还近似地探讨了短沟道效应. 为了进一步验证模型的正确性,利用SILVACO ATAS软件进行了相应的模拟. 结果表明,模型计算与软件模拟吻合较好.     

全耗尽SOI MOSFETs阈值电压和电势分布的温度模型

提出了一个全耗尽SOI MOSFETs器件阈值电压和电势分布的温度模型.基于近似的抛物线电势分布模型,利用适当的边界条件对二维的泊松方程进行求解.同时利用阈值电压的定义得到了阈值电压的模型.该温度模型详细地研究了电势分布和阈值电压跟温度之间的变化关系,同时还近似地探讨了短沟道效应.为了进一步验证模型的正确性,利用SILVACO ATAS软件进行了相应的模拟.结果表明,模型计算与软件模拟吻合较好.