一种新型的高精度神经元MOS源极跟随单元电路

提出了一种新型的神经元MOS源极跟随电路结构,该电路即使在输入信号小于阈值电压的情况下也能够完成源极跟随的功能,因而具有较高的精度.仿真和实验结果表明它比传统的神经元MOS源极跟随电路具有更高的精度     

CMOS源极跟随缓冲电路

提出用 CMOS源极跟随缓冲电路以较少的电路段数快速驱动大电容负载 .HSPICE模拟结果表明 ,在负载电容为基本栅电容的 10 0倍及 6 0 0 0倍时 ,CMOS源极跟随缓冲电路具有高于多段倒相器缓冲电路的负载驱动能力 ,且占有面积小 .从而较好地解决了高速驱动芯片内各种数据传输及外部负载的问题 .该电路结构简单 ,易于实现 ,且制作工艺与标准 CMOS工艺完全兼容 .     

CMOS源极跟随缓冲电路

提出用CMOS源极跟随缓冲电路以较少的电路段数快速驱动大电容负载．HSPICE模拟结果表明,在负载电容为基本栅电容的100倍及6000倍时,CMOS源极跟随缓冲电路具有高于多段倒相器缓冲电路的负载驱动能力,且占有面积小．从而较好地解决了高速驱动芯片内各种数据传输及外部负载的问题．该电路结构简单,易于实现,且制作工艺与标准CMOS工艺完全兼容．     

新型神经元MOS多数表决电路的研究

用多数表决电路解决图像处理中孤立噪声处理是比较直接而且可靠的方法,但是,随着变量数的增多,电路的规模急剧增大(呈指数规律),而少变量的表决电路(变量数小于4)在孤立噪声处理中又没有实用价值,为解决该问题,提出了一种新型神经元MOS多数表决电路,它更适用于变量数大于4的情况。与传统的CMOS方案相比,该电路具有速度快、结构简单、功耗低等特点。T-SPICE仿真结果证明该设计的可行性。     

用神经元MOS结构实现的一种新型匹配滤波器

在神经元MOS基本工作原理的基础上,提出了一种新型的匹配滤波器结构,并对具体电路进行了分析.与传统的匹配滤波器相比,具有结构简单的优点,大大减少了器件数目.最后给出了测试芯片的结果,验证了电路的可行性.     

用神经元MOS结构实现的一种新型匹配滤波器

在神经元MOS基本工作原理的基础上,提出了一种新型的匹配滤波器结构,并对具体电路进行了分析.与传统的匹配滤波器相比,具有结构简单的优点,大大减少了器件数目.最后给出了测试芯片的结果,验证了电路的可行性     

一种基于符号逻辑的神经元模型和电路实现

为了实现基于符号逻辑的神经网络系统,本文定义了一种逻辑神经元模型,并采用了电流型ＣＭＯＳ工艺实现辽种神经元电路的各种逻辑功能,最后通过电路模拟,证明设计的正确性。     

一种基于符号逻辑的神经元模型和电路实现

为了实现基于符号逻辑的神经网络系统,本文定义了一种逻辑神经元模型,并采用了电流型CMOS工艺实现这种神经元电路的各种逻辑功能,最后通过电路模拟,证明设计的正确性。     

新型基于源极跟随器的零极点型滤波器

提出一种新型基于源极跟随器的零极点型滤波器。提出的单支路全差分的双二阶单元采用两个前馈电容综合复数零点,用于实现连续时间零极点型滤波器。源极跟随器在电压域直接处理信号使得该双二阶单元以低功耗实现高线性度。利用CMOS0.18μm工艺级联实现了一个4阶切比雪夫Ⅱ型全差分低通滤波器。测试结果表明,滤波器带宽为2.75MHz,实现了带外下陷特性。在2V电源电压下,消耗电流为1.5mA,测得带内IIP3为5dBm。在三次谐波失真(HD3)为-46.3dB条件下滤波器的动态范围为65dB。     

一种高效MOS半波整流电路

针对传统半波整流电路的不足提出了基于 MOS工艺的改进方法及电路 .该电路利用 MOS工艺的寄生电容特性形成电荷转运 ,有效地提高了半波整流电路的整流效率 ,缩短了上电时间并在一定程度上减小了纹波系数 ,从而以较简单的电路形式改善了半波整流电路的性能 .着重分析了该电路形式的作用机理 ,并给出了相应的 Hspice模拟结果     

一种简单的高精度3阶补偿带隙电压基准源

基于普通带隙基准原理,设计了一种简单的3阶补偿带隙基准电路.这种补偿方式无需改变普通带隙基准的结构,仅增加很少的器件就能实现3阶补偿,具有电路实现简单、功耗低、容易嵌入传统带隙基准等优点.设计采用0.5 μm BiCMOS工艺,仿真结果表明,在-40℃～120℃温度范围内,5V工作电压下,该带隙基准源的输出电压为1.204 V,温度系数为1.9×10-6 V/℃,在1 kHz时,电源抑制比为58 dB.     

基于Wilson电流镜的精密压控电流源

将正负Wilson电流镜组合在一起,读取由运算放大器构成的电压跟随器的电源引线电流,得到高精度的压控电流源。通过仿真手段研究互补Wilson电流镜组合的电流跟随特性;用通用集成运算放大器和分立BJT(bipolar junction transistors)构成实验测试电路,给出精度、输出阻抗以及频率响应特性的实验测试结果。电路的带宽大大优于运算放大器的单位增益带宽积,体现了电流模电路的优势。当采用CB(complementary bipolar)工艺实现单片集成时,电路的性能更好。还给出了电路的几种改进方案,实验证明,方案是可行的。     

一种新颖的高电源抑制比亚阈值MOSFET电流基准源

基于亚阈值MOSFET,提出了一种新颖的高电源抑制比(PSRR)电流基准源。基准电路充分利用工作在亚阈值区MOSFET的I-V跨导特性和改进的具有高负反馈环路增益预电压调制,为电流基准核电路提供电源。电路设计采用SMIC 0.18μm标准CMOS数字工艺技术。在1.5 V电源电压下,电路输出1.701μA的稳定电流,在-40℃到150℃温度范围内,具有非常低的温度系数(2.5×10-4μA/℃);并且,在宽泛的频率范围内,具有很好的电源噪声抑制能力。电源抑制比在dc频率为-126 dB,在高于1 MHz频率范围内,仍能保持-92 dB。基准电路在高于1.2V电源电压下可以稳定工作,并具有很好的CMOS工艺兼容性。     

一种基于神经元MOS的直扩匹配滤波器新结构

鉴于神经元MOS晶体管的多输入信号控制以及可变阈值等特点,本文提出一种基于神经元MOS的直接序列扩频(DS)通信系统中匹配滤波器的新结构,并对其进行了MATLAB结构验证和HSPICE电路仿真。与我们前期提出的基于神经元MOS的匹配滤波器相比,新结构的匹配滤波器提高了抗干扰能力,简化了电路结构。     

新颖的双级双程输出C L波段高功率宽带光源

在分析了采用掺铒光纤(EDF)产生C波段和L波段光的基础上，进一步分析了双级双程结构实现C L波段宽带光源(BBS)的基本原理，优化设计后并通过实验用双级双程结构实现了高功率C L波段宽带放大的自发辐射(ASE)同时输出。其中，第1级采用双程前向可实现功率为19．2mW(12．93dBm)，平均波长为1552．823nm的C L(1520～1610nm之间)ASE输出；第1级采用双程后向可实现功率为21．13mW(13．25dBm)，平均波长为1552．925nm的C L(1524～1610nm之间)ASE输出，两级所用的光纤长度分别为7m(低浓度)和31m(高浓度)。对比分析两种结构输出光谱的抽运光利用效率、光滑平坦特性后，可得出第1级采用双程后向的双级双程是一种更为理想的实现C L波段高功率ASE输出的结构。     

高精度宽量程智能电流源的设计

介绍了一种闭环智能电流源的设计。该系统以单片机为中心,通过闭环控制、PID算法以实现高精度、宽量程,同时通过串行通讯口连接PC机或系统自带键盘的控制,实现了电流可预置、可步进调整、输出的电流信号可直接数字显示的功能。该电流源的性能稳定、带负载能力强,为实验教学的自动化测量提供了条件。     

一种新型的高精度迟滞比较器

基于0.18 μm CMOS工艺,提出了一种补偿电流型高精度迟滞比较器。利用两个工作在线性区的MOS晶体管间的电流差产生一个补偿电流源,将补偿电流源应用于传统内部迟滞比较器中,对迟滞电压中工艺和温度的相关项进行补偿,以获得低温漂的高精度迟滞电压。仿真结果表明,该迟滞电压具有非常低的温度系数,当迟滞电压为149.94 mV、温度从-40 ℃变化至125 ℃时,迟滞电压仅变化1.3 mV,变化幅度仅为0.87%。