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基于热力学平衡理论,对在电子回旋共振等离子体增强金属有机化学气相沉积系统中的Ga N薄膜生长给出了一个化学平衡模型.计算表明,Ga N生长的驱动力Δp是以下生长条件的函数: 族输入分压,输入 / 比,生长温度.计算了六方和立方Ga N的生长相图,计算结果和我们的实验结果显示出一定的一致性.通过分析,解释了高温和高 / 比生长条件适合六方Ga N的原因.上述模型可以延伸到用于Ga N单晶薄膜生长的类似系统中. 相似文献
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MOVPE生长GaN的准热力学模型及其相图 总被引:1,自引:1,他引:1
本基于准热力学平衡模型对以TMGa和NH3为源的MOVPE生长GaN的过程进行了分析,并在此基础上计算了MOVPE生长GaN的相图,GaN的MOVPE相图由GaN(s)单聚集相区,GaN(s)+Ga(l)双凝聚相区,表面会形成Ga滴的两个腐蚀区构成,本着重讨论了生长温度,反应室压力,载气组分,NH3分解率和V/Ⅲ比对GaN单凝聚相区边界的影响。 相似文献
3.
相图--解释金属化层稳定性和薄膜反应的热力学方法 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了计算相图的起因与发展 ,综述了利用 Gibbs生成自由能数据绘制简化的三元、四元相图的热力学方法 ,尤其是确定相图中直达连线的思想方法 ,最后给出了利用相图来解释金属化层稳定性和薄膜反应的应用实例。 相似文献
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对在SiC衬底上采用MOCVD方法制备的GaN和GaN :Mg薄膜进行X射线衍射 (XRD)、扫描电镜 (SEM)和拉曼散射光谱的对比研究发现 :两种样品均处于张力作用之下 ,但是GaN∶Mg样品却由于Mg的掺杂会在样品中引入更多的缺陷和位错加剧薄膜的无序化程度 ,致使薄膜质量变差 ;其次因为Mg原子半径比Ga原子半径大 ,所以当Mg替代Ga以后会引发压力应力 ,从而使薄膜张力减小 ,最后通过计算说明对于GaN :Mg样品而言 ,除了载流子以外 ,薄膜质量同样也会对A1(LO)模式产生影 相似文献
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提出一个以TMGa、TMAl、TMIn和NH3为源,用MOVPE方法生长GaxAlyIn1-x-yN四元合金的准热力学模型.该模型假设四元合金是由氨和Ⅲ族元素之间反应合成的,其特点是考虑了NH3的分解效率,并用N、H、Ga、Al及In的摩尔分数代替惯用的分压来表示质量守衡方程.计算了各种生长条件对于与GaN晶格匹配的GaxAlyIn1-x-yN四元合金与注入反应室的Ⅲ族金属有机化合物之间关系的影响.计算表明,几乎所有达到生长表面的Al和Ga都并入到GaxAlyIn1-x-yN四元合金中,而In则富集在气相.为增强铟的并入,应采用低的生长温度,高的Ⅴ/Ⅲ比,氮载气而且须要设法降低到达生长界面前氨的分解. 相似文献
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提出一个以 TMGa、TMAl、TMIn和 NH3为源 ,用 MOVPE方法生长 Gax Aly In1 - x- y N四元合金的准热力学模型 .该模型假设四元合金是由氨和 族元素之间反应合成的 ,其特点是考虑了 NH3的分解效率 ,并用 N、H、Ga、 Al及 In的摩尔分数代替惯用的分压来表示质量守衡方程 .计算了各种生长条件对于与 Ga N晶格匹配的Gax Aly In1 - x - y N四元合金与注入反应室的 族金属有机化合物之间关系的影响 .计算表明 ,几乎所有达到生长表面的 Al和 Ga都并入到 Gax Aly In1 - x - y N四元合金中 ,而 In则富集在气相 .为增强铟的并入 ,应采用低的生长温度 相似文献
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在Si(111)衬底上采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)技术外延生长GaN薄膜,对外延生长所得GaN薄膜的晶体结构和表面形貌进行表征,并研究SiNx插入层对GaN薄膜的晶体质量和表面形貌的影响.结果表明,在Si衬底上生长GaN薄膜过程中引入SiNx插入层可使GaN薄膜的(10-12)面的X-射线回摆曲线的半峰宽(FWHM)值从974.01减小到602.01arcsec;表面凹坑等缺陷减少、表面平整度提高.可见,SiNx插入层对在Si衬底上外延生长GaN薄膜的晶体质量和表面形貌有着重要的影响. 相似文献
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摘要:本文利用MOCVD方法在(0001)取向的蓝宝石衬底上实现了不同生长温度条件下的InGaN薄膜的制备。通过改变生长温度实现了InGaN薄膜中In组分可控。通过XRD、SEM、AFM等测量手段研究了生长温度和组分、形貌、缺陷等性质的关系。对比SEM和AFM形貌图像提出并探讨了3种缺陷坑(大V型坑,In-rich坑和热腐蚀坑)模型以及形成机制。通过研究不同生长温度的InGaN薄膜样品,发现较高生长温度对InGaN薄膜形貌质量和缺陷控制有至关重要的作用。 相似文献
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The initial growth conditions of a 100 nm thick GaN layer and Mg-surfactant on the quality of the GaN epilayer grown on a 6H-SiC substrate by metal-organic vapor phase epitaxy have been investigated in this research. Experimental results have shown that a high Ⅴ/Ⅲ ratio and the initially low growth rate of the GaN layer are favorable for two-dimension growth and surface morphology of GaN and the formation of a smoother growth surface. Mg-surfactant occurring during GaN growth can reduce the dislocations density of the GaN epilayer but increase the surface RMS, which are attributed to the change of growth mode. 相似文献
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以动态背景中红外运动目标为研究对象,针对二维初级运动检测器在时域上对运动敏感而引起目标运动矢量受背景变化干扰的问题,提出一种结合时域中生物视觉二维初级运动检测器和空域中区域生长方法的运动检测方法。该方法利用时域中二维初级运动检测器检测出运动矢量并将幅值最大的运动矢量作为区域生长的种子点,利用空域中运动目标具有较高红外辐射的图像特性,通过区域生长法,将热辐射特性强于背景的目标分割出来。仿真实验结果表明:该方法在去除背景干扰的同时提取出动态背景中的运动目标,与其他方法相比具有较高的信杂比。 相似文献
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利用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上生长出具有一定Mn含量的GaMnN稀磁半导体薄膜.RHEED图像呈现清晰的斑点状点阵,表明薄膜为单晶,表面不是很平整,为三维岛状生长模式.X射线衍射分析表明薄膜为六方结构,沿c轴方向生长,结晶性良好.AFM显示薄膜是由许多亚微米量级的晶粒按一致的取向规则堆砌而成的.超导量子干涉仪(SQUID)测量显示在室温下薄膜依然具有铁磁性,居里温度约为400K. 相似文献
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利用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)技术,在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上生长出具有一定Mn含量的GaMnN稀磁半导体薄膜.RHEED图像呈现清晰的斑点状点阵,表明薄膜为单晶,表面不是很平整,为三维岛状生长模式.X射线衍射分析表明薄膜为六方结构,沿c轴方向生长,结晶性良好.AFM显示薄膜是由许多亚微米量级的晶粒按一致的取向规则堆砌而成的.超导量子干涉仪(SQUID)测量显示在室温下薄膜依然具有铁磁性,居里温度约为400K. 相似文献
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A quasi sub-subregular solution model is used to describe the thermodynamic properties of the liquid phase in the In-Sb and
Ga-Sb systems. The In-Sb and Ga-Sb phase diagrams are, then, calculated from the optimized model parameters for the liquid
phases and the Gibbs energies of formation of the InSb and GaSb phases obtained from the literature. The calculated phase
diagrams and thermodynamic properties are in reasonable agreement with the experimental data. Our calculations are also compared
with those reported in the literature using associated solution models for the liquid phases.
On leave from Indian Institute of Technology, Kanpur, UP, 208016, India 相似文献