SnO2纳米晶薄膜栅FET式气敏元件的研制

利用溶胶－凝胶法合成出纳米晶ＳｎＯ２薄膜,该薄膜可以利用化学腐蚀方法光刻腐蚀,因此采用传统硅平面工艺可以制作出纳米晶ＳｎＯ２薄膜栅ＦＥＴ式气敏元件,实现了制备纳米晶材料的溶胶－凝胶工艺与硅平面工艺的兼容。对器件的测试结果表明,纳米晶ＳｎＯ２薄膜栅ＦＥＴ式气敏元件可以在常温下工作,元件的漏电流在乙醇气体中减小,掺杂镧以后,漏电流变化幅度增大。     

气敏器件用SnO_2薄膜材料

采用溶胶－凝胶法以ＳｎＣｌ２·Ｈ２Ｏ和ＺｒＯＣｌ２·８Ｈ２Ｏ为原料,制备出性能优良的纳米ＳｎＯ２薄膜材料。用Ｘ射线衍射仪分析了晶相,ＴＥＭ分析了微观结构。研究了掺杂、处理温度等对其性能的影响。在此基础上制作了ＳｎＯ２薄膜气敏器件,并检测了其气敏特性。     

掺P、B对纳米Zn—0薄膜电学特性的影响

现在普遍采用ＩＴＯ薄膜 (Ｉｎ2 Ｏ3 ∶Ｓｎ)作为太阳电池的窗口材料 ,但由于Ｉｎ资源的稀缺 ,使太阳能电池的成本增加。Ｚｎ Ｏ是一种低成本材料 ,具有良好的电学、光学特性 ,因此可代替ＩＴＯ薄膜作为窗口材料。由于ＺｎＯ ｎ Ｓｉ异质结太阳电池的转化效率为6 9%～ 8 5 % ,而ＩＴＯ光电转换效率为 12 %～ 15 % ,采用液态源掺杂方法 ,取得较好效果 ,证实了掺Ｐ、Ｂ对纳米ＺｎＯ薄膜提高导电性是有效的。本文利用扫描俄歇探针等手段研究分析了掺Ｐ、Ｂ随热处理温度的变化对纳米Ｚｎ Ｏ薄膜电学特性的影响。在研制过程中 ,对掺入Ｐ、Ｂ的纳…     

SnO2薄膜的溶胶—凝胶制备及气敏性能的研究

采用非醇盐溶胶－凝胶工艺制得纳米微晶ＳｎＯ２多孔薄膜，该法易于实现ＳｎＯ２与多种添加剂的均匀掺杂。通过调整薄膜的微观结构使薄膜对Ｃ２Ｈ５ＯＨ和ＣＯ在最佳工作温度的灵敏度比调整前分别提高了３倍和１４倍。     

纳米晶SnO2气敏薄膜的制备与表征

以Sn(OH)4水合胶体为原料,采用溶胶-凝胶方法在Si片上制备了SnO2纳米晶薄膜,利用差热、热重、X光衍射以及原子力显微镜对薄膜的合成以及特性进行了分析,结果表明:在600°C条件下烧结结晶的纳米晶薄膜表面平整,具有金红石结构,平均粒度在10nm左右.以该薄膜为敏感体采用平面工艺制成的FET式气敏元件在常温下对乙醇蒸汽具有非常好的选择性.     

纳米晶SnO_2气敏薄膜的制备与表征

以 Sn( OH) 4 水合胶体为原料 ,采用溶胶 -凝胶方法在 Si片上制备了 Sn O2 纳米晶薄膜 ,利用差热、热重、X光衍射以及原子力显微镜对薄膜的合成以及特性进行了分析 ,结果表明 :在60 0℃条件下烧结结晶的纳米晶薄膜表面平整 ,具有金红石结构 ,平均粒度在 1 0 nm左右 .以该薄膜为敏感体采用平面工艺制成的 FET式气敏元件在常温下对乙醇蒸汽具有非常好的选择性 .     

纳米微晶SnO2薄膜的制备和光学性能的研究

以无机盐为原料制备得到纳米微晶ＳｎＯ２薄膜。由透射比曲线计算发现，随热处理温度的升高，薄膜的折射率、消光系数均增大。研究表明，掺Ｔｉ的ＳｎＯ２薄膜吸收边的跃迁属间接跃迁，随晶粒尺寸的减小，间接带宽增大。     

激光CVD制备SnO_2薄膜的结构及其反应机理研究

采用ＳｎＣｌ４和Ｏ２为反应源，ＡｒＦ准分子激光ＣＶＤ生长ＳｎＯ２薄膜，利用ＸＲＤ、ＵＶＴ、ＸＰＳ研究了薄膜的组成和结构，实验表明ＳｎＯ２薄膜属于四方晶系、金红石结构，薄膜的紫外可见光透射率大于９０％，吸收边波长为３５５ｎｍ，禁带宽度为３．４９ｅＶ。最后，对ＳｎＯ２薄膜的反应机理进行了讨论     

MOD─SnO＿2气敏材料的TEM、SEM分析

分别用ＴＥＭ、ＳＥＭ分析了ＭＯＤ－ＳｎＯ＿２粉末和薄膜，结果表明，根据热处理条件的不同，晶粒尺寸在几十纳米到微米之间；如果控制旋涂薄膜的厚度小于１００ｎｍ，并进行陡然升温热处理，则簿膜光滑无裂纹；即使得到的ＳｎＯ＿２膜存在微裂纹，但是由于微裂纹形成的颈部尺寸比薄膜厚度大得多，故其气敏特性仍然应当由膜厚决定。     

Fe_2O_3-SnO_2双层薄膜对氨气敏感特性及其机理研究

本文报道了以Ｆｅ（ＣＯ）５和ＳｎＣｌ４为源，采用ＰＥＣＶＤ技术淀积Ｆｅ２Ｏ３－ＳｎＯ２双层薄膜，将该薄膜淀积在陶瓷管上，对氨气的敏感特性进行了测量，并讨论了敏感机理．