聚苯乙烯超薄薄膜制备

研究以苯乙烯为初始原料,通过自由基本体聚合为聚苯乙烯;经付克烷化反应,使聚苯乙烯芳环上的氢亲电取代为磺酸基、羧酸基等亲水端基,从而将聚苯乙烯改性为两亲分子;再利用单分子成膜法制备纳米级聚苯乙烯超薄薄膜的制备工艺.研究了压膜和提膜速度、温度及高靶压等工艺条件对超薄薄膜成膜性能的影响,用原子力显微镜表征了聚苯乙烯超薄薄膜的形貌.20 nm厚的聚苯乙烯磺酸薄膜的表面呈现团簇结构.     

聚苯乙烯掺溴塑料靶材料的研制

介绍了部分溴阀聚苯乙烯靶材料的制备与特性。内容涉及市售聚苯乙烯的轩型凝胶渗透色谱分级，窄相对分子量分布ＰＳ与Ｂｒ２间的亲电反应及其动力学特性，Ｂｒ－ＰＳ粗产物的纯化，以Ｂｒ－ＰＳ样品的结构与性能分析。     

惯性约束聚变用合金薄膜靶制备方法

阐述了与制备惯性约束聚变（ICF）用合金薄膜靶有关的理论和方法,讨论了ICF合金薄膜靶制备中存在的问题与解决方案。对制备方法的选择、组成合金薄膜的性质与结构和成分分布的关系进行了分析及讨论。     

三氧化二铬-聚苯乙烯单层复合靶丸的制备

在聚苯乙烯(PS)中掺杂金属元素可为微球打靶过程提供诊断信息。以Cr2O3-PS复合材料为原料，采用微封装法通过两步乳化制备出掺杂Cr2O3的PS复合靶丸，Cr2O3在球壳内掺杂均匀，表面粗糙度低于30nm。     

惯性约束聚变用合金薄膜靶制备方法

阐述了与制备惯性约束聚变(ICF)用合金薄膜靶有关的理论和方法,讨论了ICF合金薄膜靶制备中存在的问题与解决方案.对制备方法的选择、组成合金薄膜的性质与结构和成分分布的关系进行了分析及讨论.     

埋点靶制备工艺研究

研究了激光惯性约束聚变（ICF）实验中一种基础基准靶埋点靶的制备工艺过程。埋点靶的制备过程主要包括CH膜的制备、埋点的定位和埋占材料的制备。其中,CH薄膜的制备及其性质是制备埋点靶的关键工艺环节。最后给出了埋点靶的制备工艺流程。     

新型硫掺杂聚苯乙烯的制备与表征

本工作研究一类新型硫掺杂聚苯乙烯的制备方法。以对氯甲基苯乙烯和苯乙烯为原料,在偶氮二异丁腈（AIBN）引发下,制备对氯甲基苯乙烯的均聚物和与不同比例苯乙烯共聚的共聚物,此氯甲基化聚苯乙烯与乙基磺原酸钾反应,即可以高产率制备不同硫掺杂聚苯乙烯。该方法操作简单,条件温和。聚合物结构经红外光谱、核磁共振氢谱表征,聚合物相对分子质量经凝胶渗透色谱分析检测。同时还对硫掺杂聚合物的成膜性能进行了初步研究,结果表明,该聚合物成膜性能良好。     

ICF分解实验中的平面调制靶和薄膜靶的研制

本工作研制了用于惯性约束聚变ICF分解实验模拟聚变靶丸表面粗糙度和驱动激光空间不均匀性对R—T不稳定性作用的平面调制靶和平面薄膜靶。以激光干涉法结合图形转移工艺获得波长20～100μm、振幅0．0～4．0μm的正弦调制图形的模板,再将调制图形转移至溴代聚苯乙烯薄膜表面,制备出ICF实验用溴代聚苯乙烯平面调制箔靶;以半导体工艺结合自截止腐蚀工艺制得厚度4μm左右的自支撑Si平面薄膜靶。Si膜的表面粗糙度为几十纳米。对所研制的两种靶型的参数进行了测量。     

溶胶-凝胶法制备惯性约束聚变靶材料研究

本文主要介绍用sol-gel法制备具有纳米结构的SiO2、TiO2和ZrO2材料。这些材料的孔洞率和比表面积甚高（孔洞率为80％－99．8％,比表面为1000m^2/g）,孔洞尺寸和体积密度极小（典型的孔洞尺寸为1－100nm,最低体积密度为10kg/m^3）;折射率n在1．1－1．9范围内可调,并在相当大的范围具有很好的光谱选择性;材料的耐温特性良好,可耐温500℃以上。这些结构和性能特点有可能为惯性约束聚变研究扩展了靶材料选择的范围。此外,就制备过程中前驱体的选择、水解度和催化剂的影响、凝胶过程和后处理工艺对材料结构特性的影响进行了讨论。     

聚合物空心微球密度匹配法制备工艺研究

以聚苯乙烯（PS）为成球材料,研究了聚合物空心微球密度匹配法制备工艺中的油相（O相）有机溶剂各及配比、O相固化温度及时间、各相溶液中固体颗粒杂质、球内封装水（W1相）的置换等因素对产品微球质量的影响。制得了直径100－500μm、壁厚2－20μm、球形度≥99％、同心度相对偏差≤5％、表面粗糙度≤20nm的PS空心微球。     

大面积有序多孔聚苯乙烯薄膜的制备及其光学性质研究

采用SiO₂模板法制备了面积为cm量级的有序多孔聚苯乙烯薄膜。扫描电镜研究表明,多孔膜具有反蛋白石结构;紫外-可见吸收光谱研究表明,聚苯乙烯多孔膜具有明显的光子带隙。与单纯的SiO₂模板相比,在SiO₂模板空隙中填充聚苯乙烯后带隙中心波长红移;去除模板后,多孔膜的带隙中心波长蓝移,且吸收峰的半高宽增大。研究结果还表明,聚苯乙烯多孔薄膜的带隙中心随着聚合时间的延长而发生明显的红移。     

CHN薄膜的制备

文章简要描述了空心阴极等离子体化学气相沉积(HPCVD)的原理，以及用HPCVD方法制备CHN薄膜的工艺和实验结果。用XPS和AFM分别分析了CHN薄膜中C和N的成分及表面形貌，并得到了一定条件下的薄膜沉积速率。     

乳液微封装技术制备聚苯乙烯空心微球

介绍了乳液微封装技术制备不同直径空心聚苯乙烯微球的工艺技术,着重研究了表面活性剂、电解质、水溶性聚合物对多重乳液的稳定性、微球的直径以及微球表面光洁度的影响。在选定的实验参数下,制备得到直径150～3000μm,壁厚0.8～15μm,表面粗糙度Ra约为4nm,微球同心度≥95%的空心聚苯乙烯微球。     

自动指示薄膜剂量计的制备及性能研究

以类丁二炔化合物为有机染色材料,添加适量光引发剂,以聚酯片为基材,成功制备了一种高灵敏度辐射变色薄膜剂量计。经过5~1 500Gy的γ射线辐照后,薄膜灵敏层颜色由辐照前的淡粉色变为辐照后的蓝色,且随着辐照剂量的增加,颜色深度逐渐加深;分光光度计测试其吸收光谱,发现其主、次吸收峰分别在670nm、613nm附近;吸收峰处的吸光度响应与吸收剂量呈良好的线性关系;薄膜配方中添加适当比例的光引发剂,能够提高其响应灵敏度;吸光度响应随敏感层厚度与有机染色材料浓度的增加而增大;室温下避光贮存100d,吸收峰处的吸光度响应几乎不变,说明此种变色薄膜的稳定性良好。     

纳米晶钛薄膜的制备及结构分析

采用磁控溅射和离子镀膜工艺在Mo基片上制备了具有不同晶粒尺寸的纯Ti薄膜，并利用X光衍射（XRD）、透射电镜（TEM）和扫描电镜（SEM）分析和观察了两类Ti膜的结构和形貌。实验结果显示：与溅射镀膜相比，离子镀膜的晶粒择优取向程度略低，Ti膜与基片结合较好；较高的基片温度有利于提高膜的致密程度，并降低膜的晶粒择优取向程序。     

制备工艺对自支撑薄膜粗糙度的影响

利用磁过滤等离子沉积技术,以甜菜碱、油酸钾、抛光NaCl单晶基片、自支撑火棉胶膜和自支撑SiN薄膜为衬底制备了自支撑Ni膜。采用原子力显微镜和场发射扫描电子显微镜对薄膜表面形态和粗糙度进行了分析。结果表明：自支撑Ni膜的粗糙度与衬底材料密切相关,等离子体的沉积角度直接影响纳米薄膜的微观结构,采用60°倾斜沉积在自支撑火棉胶膜衬底上,可获得表面粗糙度为1.5nm的自支撑Ni膜。     

Preparation and Analysis of Si_3N_4 Film

1.IntroductionSisNnisakindofhardceramic,whichhasex-cellentmechanical,opticalandelectrlcalproper-ties[l].Withtheadvantagesofexcellentwet-resistanceandthermalstability,goodinsulatingandhighstep-coverlngproperties,higherthermalcon-ductivitythanSlO2,andthecorrosionresistancetothealkalimetal[2],Si3N4filmisaperfectprotec-tivecoatingofthefinalsurfaceafterthewiringofAllineinthefabricatingprocessofthesemiconductorlntegratedclrcult[31.However,whiledepositingtheprotectivefilmsofSi3N4onthechipsofthesem…     

纳米磁性Fe3O4粉体掺杂聚苯乙烯ICF靶丸材料制备

为实现惯性约束核聚变中无接触点打靶实验构想,探索在聚苯乙烯(PS)中掺杂纳米磁性粉体,以制备磁性靶丸。采用本体聚合工艺制备了Fe₃O₄/PS磁性靶丸复合材料,通过FTIR、TG-DSC、SEM、VSM等手段对该材料进行了分析表征。结果表明：Fe₃O₄/PS靶丸复合材料的饱和磁化强度随磁性粉体含量的增加而增大;适量粉体的掺入提高了复合材料的拉伸强度和冲击强度,且随粉体含量的增加而增强;所制备的磁性靶丸复合材料悬浮时所需的外界磁场相对较弱,其磁性能满足磁悬浮的条件。