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陶瓷材料新术语诠释(十六) 总被引:1,自引:0,他引:1
脉冲电流烧结是上世纪80年代末、90年代初发展起来的一种新型快速烧结技术。由于它以脉冲电流作为烧结的动力源,通过脉冲电流对样品加热使其烧结,可以称为脉冲电流烧结技术。 相似文献
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放电等离子烧结氮化铝透明陶瓷的研究 总被引:9,自引:2,他引:9
采用放电等离子烧结(spark plasma sintering,SPS)技术烧结氮化铝,在不加任何添加剂的条件下,1800℃,4~20min烧结制备了透明的氮化铝陶瓷。XRD,SEM,EPMA和TEM等测试结果表明,制备出的氮化铝陶瓷纯度较高、晶粒细小、结构均匀,具有良好的透光性能。充分说明SPS技术可应用于透明陶瓷的制备。与此同时,测试结果显示,AlN陶瓷中还含有少量的缺陷,包括位错、层错、气孔、第二相包裹体,这些缺陷无疑会对陶瓷的透光性能产生一定的影响。 相似文献
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放电等离子烧结工艺制备Ti2AlC材料的研究 总被引:4,自引:0,他引:4
以元素粉钛、铝、碳为原料,采用放电等离子烧结工艺在1100℃的温度下成功地制备了高纯、致密Ti2AlC材料。合成材料的x-射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)分析的结果表明:多晶体Ti2AlC形貌为板状结晶,晶粒大小平约为20μm,厚度在3—5μm。 相似文献
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硅化镁热电材料的放电等离子反应烧结 总被引:1,自引:0,他引:1
硅化镁(Mg2Si)是一种窄带隙n-型半导体,具有高的电导率和低的热导率且无毒无污染、耐腐蚀,是很有潜力的环境友好型中温域热电材料.实验用高纯镁(Mg)粉和硅(Si)粉,系统研究了放电等离子烧结制备Mg2Si热电材料的工艺过程.测试了样品的密度.用X射线衍射、场发射扫描电镜表征了样品的相组成和显微结构.结果表明:Mg,Si完全固相反应的温度为823K,适度过量的Mg含量对纯相Mg2Si的获得非常重要.823K,250MPa,30min条件下制各样品的相对密度达到97%,但样品表面容易产生裂纹.经823K,6MPa,10min完全反应的Mg2Si在1 023 K,20 MPa,10 min条件下进行二次烧结,获得了结构均匀、相对密度为98T的Mg2Si块体热电材料. 相似文献
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脉冲电流热加工(pulse electric current heat treatment,PECHT)具有低温、快速的特点。研究了脉冲电流烧结过程中温度和脉冲比对Fe烧结体性能的影响,并与相同温度、压力和保温时间下辐射加热热压烧结的Fe烧结体进行了比较。结果表明:脉冲电流烧结在较低温度下样品就能获得更高的致密度。脉冲比(ON/OFF)对烧结有很大影响,说明脉冲电流加热促进了颗粒之间的原子扩散。同时,脉冲电流加热烧结和辐射加热烧结过程中Al2O3和Cu的收缩曲线也为脉冲电流加热条件下扩散加强提供了佐证。2种加热条件下接触线之间原子扩散的研究表明:脉冲电流加热促进了原子的扩散。 相似文献
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纯B4C和掺碳B4C的烧结机制 总被引:9,自引:0,他引:9
研究了中位粒径为0.42μm的纯B4C和掺碳B4C的烧结致密化过程。根据烧结温度和保温时间对线收缩率的影响。得出了它们的烧结动力学方程;由特征指数n值对比研究了它们的烧结致密机制。纯B4C的烧结致密机制为体扩散和晶界扩散,而掺碳B4C的烧结机制主要为晶界扩散,因此,掺碳对B4C起到了活化烧结的作用,在2160℃烧结45min,掺碳B4C烧结后相对密度大于90%,掺入的碳除了固溶于B4C晶格中之外,其它均以游离石墨形式存在,不形成新相。掺碳还导致B4C晶粒尺寸大大减小。 相似文献
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谷忠昭 《感光科学与光化学》2003,21(5):357-376
接着以前的几篇文章,作者从光吸收、潜影形成效率、最小潜影中心的尺寸以及材料储存期的稳定性角度,分析了卤化银感光材料已达到的性能现状.潜影形成的效率取决于由吸收的光子产生的量子产率、敏化中心对电子的俘获和光电子与正空穴间的复合.可以肯定,感光材料的性能提高尚有很大的余地.依据上述的考察及其与静态数字照相的比较,可预测未来世界的卤化银感光材料生产的发展会趋缓.有一点应清楚,感光科学与技术彼此间已互动促进了许多年,生产出了高精细、高复杂的感光材料,此类科学与技术不是一些后来者能轻而易举超越的,而且它们所取得的各项进展无不依赖于感光科学和技术学会的种种活动. 相似文献
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用放电等离子烧结(spark plasma sintering,SPS)技术,以质量分数(下同)为9%氮化铝(A1N),3%氧化镁(MgO)为烧结助剂,在1850℃烧结5min,成功制备了半透明氮化硅(Si3N4)陶瓷.半透明Si3N4陶瓷在中红外波段表现出良好的透过率,最大透过率为66.4%.SPS的快速致密化过程保证了烧结体具有良好的晶体结构,有利于提高透过率.SPS快速的烧结过程和A1N和MgO的加入能够有效抑制烧结过程中Si3N4陶瓷由α相向β相的转变,是制备光学性能良好的Si3N4陶瓷的关键.报道了半透明Si3N4陶瓷的其他性能.光学性能与其他性能的结合,势必大大拓宽Si3N4陶瓷的应用领域. 相似文献
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放电等离子制备Ti3AlC2/TiB2复合材料及性能 总被引:1,自引:0,他引:1
采用放电等离子烧结(spark plasma sintering,SPS)工艺制备了Ti3AlC2/TiB2复合材料,并研究了复合材料的性能.研究表明:在1 250℃,30MPa烧结8min,可以获得相对密度达98%以上的致密Ti3AlC2/TiB2块体材料;在Ti3AlC2中添加TiB2能大幅度提高材料性能,当TiB2含量为30%(体积分数,下同)时,Ti3AlC2/30%TiB2复合材料的Vickers硬度达到10.39GPa,电导率为3.7×106 S/m;当TiB2含量为10%时,抗弯强度为696MPa,断裂韧性为6.6MPa·m1/2.用电子显微镜对复合材料的显微结构分析表明:Ti3AlC2/TiB2复合材料的晶粒为层状结构. 相似文献
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燃烧合成AlN粉体的放电等离子烧结及其导热性能 总被引:1,自引:1,他引:0
利用放电等离子烧结(spark plasma sintering,SPS)工艺研究了燃烧合成法制备的2种具有不同形貌的AlN粉以及1种碳热还原氮化法制备的市售亚微米级AlN粉的烧结性能、致密化机理以及导热性能。结果表明:燃烧合成法制备的AlN纳米晶须状粉末具有与亚微米级标准市售AlN粉末同样优异的烧结性能,都能够在无烧结助剂情况下在1600℃的较低温度下烧结致密。在烧结过程中,由于燃烧合成AlN粉自身的高化学活性和SPS产生的等离子体活化作用,使得AlN粉以自身的分解-再结晶-凝聚机制进行致密化,导致晶界强度很高,断裂时以穿晶断裂为主;而在市售AlN粉末烧结过程中以表面扩散机制致密化,在晶界处形成了AlON相,降低了晶界强度,因此以沿晶断裂为主。AlN原料的氧含量对热导率的影响很大。由于燃烧合成AlN粉体的氧含量较碳热还原法制备的市售AlN粉体略高,导致其烧结试样热导率略低。 相似文献
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放电等离子烧结制备Ca3Co4O9陶瓷及其电学性能 总被引:1,自引:0,他引:1
采用化学共沉淀与放电等离子烧结相结合的方法制备了Ca3Co4O9陶瓷.通过X射线衍射,红外光谱仪,扫描电镜等表征手段,探讨了Ca3Co4O9的形成过程,研究了不同制备工艺对陶瓷的物相,显微结构和性能的影响.实验结果表明共沉淀前驱物800℃预烧6
h或8 h后,再经放电等离子850℃,压力30 MPa下烧结5 min,可以获得纯相Ca3Co4O9陶瓷;800℃预烧6
h的烧结体密度为4.53 g/cm3,800℃预烧8 h的烧结体密度为4.78 g/cm3;前驱物预烧8
h后再经放电等离子烧结的块体具有较好的电学性能.700℃时,电阻率为8.30×10-5
Ωm,Seebeck系数为182μV/K.电导率和Seebeck系数在目前Ca-Co-O材料中是较高的. 相似文献
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复合材料挖补修理技术研究现状与发展趋势 总被引:2,自引:0,他引:2
复合材料在航空器上的大量应用导致了对高效可靠的复合材料结构维修技术的迫切需求。针对挖补修理这一先进的复合材料结构修理技术,首先给出了复合材料挖补修理技术体系;分析总结了挖补修理各个关键技术环节的研究现状;最后对挖补修理技术存在的问题及未来的发展方向进行了展望。复合材料挖补修理技术将为设计、制造、运营等航空器全生命周期的各阶段提供技术支持,可有效提高航空器的安全性和降低成本。 相似文献
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双极膜制酸制碱电流效率的测定 总被引:1,自引:0,他引:1
双极膜制酸碱的电流效率是反映双极膜性能的重要参数,它主要取决于双极膜阴,阳膜层对离子的选择性。本文设计了测试双极膜阴、阳膜层对离子的选择性和制酸制碱电流效率的简单、可靠方法,并用该方法完成了自制双极膜和上海产异相双极膜电流效率的测试实验。 相似文献