新型压电晶体La_3Ga_5SiO_(14)的生长及特性

用提拉法成功地生长了La3Ga5SiO14(LGS)单晶,用X-ray粉末衍射证明了其单晶结构,测得沿Y、Z方向的热膨胀系数分别为5×10-6K-1、3.8×10-6K-1,在453.15K时测得晶体的比热为0.90J/g·K,并在200～800nm之间测其透过谱,测得了其全部压电及弹性常数。     

La3Ga5SiO14晶体生长研究

报道了用直接法生长新型压电材料La3Ga5SiO14晶体的研究结果。采用化学计量比La3Ga5SiO14多晶料,铂丝引出晶种,中频感应加热生长晶体。对晶体生长的温场及其相应的拉速和转速进行了研究,生长出 50mm×140mm的La3Ga5SiO14晶体,并测试了部分压电性能。     

La3Ga5SiO14晶体极图及应用

介绍一种新型压电材料La3Ga5SiO14晶体绕x轴逆时针旋转y轴极图的理论公式、计算、制作及应用。简要介绍La3Ga5SiO14晶体几种切型下的性能参数和La3Ga5SiO14晶体与SiO2晶体实际切型下的性能参数比。通过论证表明:绘制的La3Ga5SiO14晶体标准极图的各个(ok·l)面满足晶体本身不消光条件,可直观、方便地计算出La3Ga5SiO14晶体的旋转角度和方向。     

La3Ga5SiO14单晶电弹常数的测量

用LCR电桥、干涉法和谐振法分别测量了La3Ga5SiO14单晶的相对介电常数，压电应变常数和弹性柔顺常数。结果为：介电常数ε11=18.27,ε33=52.26；压电应变常数d11=6.3pC/N,d14=-5.4pC/N；弹性柔顺常数S11^E=9.28pm^2/N,S33^3E=6.14pm^2/N,S12^E=-2.72pm^2/N,S13^E=-2.33pm^2/N,S14^E=-3.48pm^2/N,S44^3E=20.56pm^2/N,S66^E=24.0pm^2/N。     

La3Ga5SiO14晶体电光Q开关的研究

模拟旋光晶体在激光腔中作为电光Q开关使用时的工作状态．建立了研究旋光晶体电光效应的实验装置。通过对旋光晶体在正交偏光和平行偏光干涉实验中干涉现象的研究，得到了旋光晶体在激光腔中作为电光Q开关使用时的最佳构图，并将典型的旋光晶体La3Ga5SiO14成功地制作成了电光Q开关。     

La3Ga5.5Ta0. 5O14晶体的生长及性能研究

采用提拉法生长出了直径为φ54 mm的La3Ga5.5Ta0.5O14晶体,晶体透明,无气泡,无包裹体,无条纹.同时对晶体的压电常数、介电常数、透光光谱及其声表面波器件性能进行了测试,并绘制了晶体的极图.实验结果表明La3Ga5.5Ta0.5O14晶体具有优异的压电性能.     

Ca3NbGa3Si2O14晶体光学和热学特性的研究

用提拉法成功地生长了一种具有La3Ga5SiO14(LGS)结构的Ca3NbGa3Si2O14(CNGS)单晶;用X-射线粉末衍射证明了其具有单一相且同LGS同构的单晶结构;DSC实验表明CNGS单晶的熔点为1349.9°C。在293.15～403.15K间测得垂直于z方向的热膨胀系数为1.7×10-6/K,而在283.15和433.15K的温度范围内z方向的热膨胀几乎不变。在300.42K测得晶体的比热为0.763J/mol·K;并在190～3200nm间测其透过谱。     

新型压电材料——La3Ga5SiO14单晶

介绍了一种性能优异的新型压电材料－Ｌａ３Ｇａ５ＳｉＯ１４单晶的结构及其性能,叙述了Ｌａ３Ｇａ５ＳｉＯ１４单晶的生长条件及其原料制备方法,同时对这种晶体在声体波及声表面波领域的良好的应用前景进行了讨论。     

La3Al0.5Ga5Ta0.5O14单晶电弹常数的测量

用LCR电桥、干涉法和谐振法分别测量了La3Al0.5Ga0.5Ta0.5O14(简称LAGT)单晶的相对介电常数,压电应变常数和弹性柔顺常数,并和La3Ga5.5Ta0.5O14(LGT)作了比较。LAGT的介电常数1ε1=22.8,3ε3=72.4;压电应变常数d11=7.6 pC/N,d14=-4.37 pC/N;弹性柔顺常数s1E1=9.45 pm2/N,s3E3=5.59 pm2/N,s1E2=-2.95 pm2/N,s1E3=-2.20 pm2/N,s1E4=-2.58 pm2/N,s4E4=21.43 pm2/N,s6E6=24.80 pm2/N。     

A3BGa3Si2O14晶体的结构、光学性质的系统研究

用提拉法成功地生长了具有La3Ga5SiO14(LGS)结构的A3BGa3Si2O14(A=Ca，Sr；B=Nb，Ta)系列单晶；用X-射线粉末衍射证明了其单晶结构，并在200-3200nm间测其透过谱。     

加电旋光晶体La3 Ga5 SiO14中光的传播方程的研究

为了更好地解决用旋光晶体制作电光Q开关中的问题,需要从理论上对光的传播方程进行研究。通过对硅酸镓镧旋光晶体中电光效应和旋光效应对光的偏振态影响的研究,推导出了处于外加电场中的旋光晶体中光的传播方程的表达式,以及透过光强的表达式,并利用几种简单的光学器件在实验上得到了很好的验证。利用光的传播方程和实验的结果,推算出硅酸镓镧晶体电光系数1γ1=2.1×10-12m/V,与以前测量的结果吻合得很好;找到了利用旋光晶体制作电光开关应该满足的条件,给出了一种制作方法,在实验上得到了很好的实现,从而证实了旋光晶体作为电光开关材料的可行性。     

制备Nd3+:Gd3 Ga5O12透明陶瓷的纳米粉体

由于激光晶体的生长周期长、成本高等缺点,激励人们不断地探索新的激光材料。透明陶瓷就是最近发展起来的一种。采用溶胶-凝胶法合成了用于制备掺钕的钆镓石榴石(Nd3 ∶Gd3Ga5O12)透明激光陶瓷的多晶纳米粉体。采用X射线衍射(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)对样品的晶相和形状进行了分析。结果表明,温度为1000℃,灼烧12 h,获得单分散、形状规则、似球形的Gd3Ga5O12(GGG)纳米粉体,且随着烧结温度的提高前驱粉体粒度不断增加。荧光发射的最强峰位于1062.7 nm处,对应于Nd3 的4F3/2→4I11/2能级跃迁。     

Nd:Gd3Ga5O12晶体的生长与拉曼光谱研究

用提拉法成功生长出了Nd:Gd3Ga5O12晶体,并通过激光显微拉曼光谱对其结构进行了研究.使用Ar 激光的325.0和514.5 nm波长激发,区分开了荧光峰与拉曼峰,对出现的荧光峰进行了分析与讨论,将其中的拉曼振动峰与Gd3Ga2(GaO4)3(GGG)晶体四面体、八面体和十二面体的结构相联系,并对其振动模式进行了分类和指认,为将来进一步研究Nd:GGG晶体生长时固液边界层的结构及生长基元在边界层内的变化规律奠定了一定的基础.     

Nd3 :Gd3Ga5O12激光晶体的吸收与发光

测量了用提拉(CZ)法生长的Nd3+Gd3Ga5O12(NdGGG)激光晶体室温时的吸收光谱,其中在806 nm处的吸收系数最大(α＝5.12 cm-1),吸收截面为4.03×10-20 cm2.用806 nm激发分别得到室温和10 K时的荧光光谱和荧光寿命,其中在1.06 μm附近晶体的荧光发射强度最强,2种温度时的峰值发射截面分别为1.7×10-19 cm2和1.9×10-19 cm2.0.6 at%和1.0 at%2种Nd3+掺杂浓度的晶体,室温时的荧光寿命分别为251 μs和240 μs,10 K温度时分别为253 μs和241 μs.与NdYAG晶体的荧光寿命、浓度猝灭效应和发射截面进行了比较,对结果进行了分析与讨论.     

Cu(In,Ga)_3Se_5薄膜结构的Raman研究

讨论了Ga含量对四元有序缺陷化合物Cu(In,Ga)3Se5薄膜的晶格振动模式的影响,室温下CuIn3Se5与Cu-Ga3Se5A1模式峰位分别位于153cm-1和164cm-1,Ga含量的增加引起晶格扭曲系数以及阴离子Se位移参数的增加,相应改变了Cu-Se以及In/Ga-Se的键长及其键拉伸力学常数,从而影响了A1模式峰位的移动