Te—Se—I玻璃及添加As和Ge元素的结构,性能与量子化学计算研究

用自洽场离散变分Ｘα（ＳＣＦ－Ｘα－ＤＶ）量子化学计算方法研究了Ｔｅ－Ｓｅ－Ｉ玻璃及添加Ａｓ和Ｇｅ元素的体系，讨论了结构、性能与化学键之间的关系。计算表明离子键和共价键强度的次序都是Ｇｅ－Ｓｅ〉Ａｓ－Ｓｅ〉Ｔｅ－Ｓｅ，与相应的玻璃转变温度的实验结果一致。含有一配位碘原子的Ｔｅ－Ｉ键比含有二配位碘原子的Ｔｅ－Ｉ键强。Ａｓ－Ａｓ和Ａｓ－Ｉ键比两类Ｔｅ－Ｉ键都强。较强的Ａｓ－Ａｓ和Ａｓ－Ｉ键取代较弱的Ｔ     

La_（1．85）Sr_（0．15）Cu_（1－x）Fe_xO_（4－y）的窄能带行为与超导电性关系的研究

用ＳＱＵＩＤ直流磁强计研究了Ｌａ（１．８５）Ｓｒ（０．１５）Ｃｕ（１－ｘ）ＦｅｘＯ（４－ｙ）（ｘ＝０．００２，０．００４和０．００６）多晶样品在不同磁场下（Ｈ＝０．０１，０．０３，０．０５Ｔ）正常态的直流磁化率与温度关系和超导转变温度与Ｆｅ掺杂含量的关系．实验结果表明，不掺Ｆｅ的样品其直流磁化率与温度的关系里宽峰行为，随着Ｆｅ掺杂的增多，直流磁化率与温度的关系由宽峰行为迅速转变为Ｃｕｒｉｅ－Ｗｅｉｓｓ行为．与此同时，超导转变温度也由不掺Ｆｅ的３１．０Ｋ增加到３３．６Ｋ（ｘ＝０．００２），然后再单调降低．这清楚地表明，载流子浓度才是影响超导的最重要的因素。对于掺Ｆｅ的样品，其正常态直流磁化率Ｘ与温度Ｔ的关系可以用Ｘ＝ａ＋ｂＴ＋ｃ／（Ｔ一Ｔ０）很好地表示．我们认为，式中ａ＋ｂＴ项是由于Ｃｕｄ带泡利硕磁的贡献．增加磁场时，对于同一个接Ｆｅ样品，居里常数Ｃ增大而常数项ａ减小．这是由于掺Ｆｅ的样品在Ｆｅｒｍｉ面存在不满的窄带（ｄｘ２上Ｈｕｂｂｒｄ带），它是产生居里硕磁的原因．增加磁场时，它往高能量方向移动，窄带的电子空得更多，这些电子移向较宽的Ｃｕ杂化带．这样一来，增加磁场时，每个Ｃｕ离子的磁矩增大．而Ｃｕｄ带的Ｆｅ     

氮氧化硅与氧化硅玻璃结构,性能与最子化学计算研究

用自洽场离散变分Ｘα（ＳＣＦ－Ｘα－ＤＶ）量子化学计算方法研究了氮氧化硅及氧化硅玻璃，讨论了氮原子取代氧原子之后在结构、性能与化学键等方面的变化规律。计算表明氮氧化与氧化硅玻璃之间在性能上的差异。主要不是由Ｓｉ－Ｎ和Ｓｉ－Ｏ键的伸缩力常数之间的差异所引起的，也不是由Ｓｉ－Ｎ和Ｓｉ－Ｄ键的离了键强度之间的差异所引起的。     

MS—Xα方法适合对原子簇Hn的研究

为考察多重散射Ｘα（ＭＳ－Ｘα）方法对原了簇研究的适用性，本文用该法详细研究了氢分子的势能，键长，离解能，电离能，跃迁能等性质，得到了上述物理量随参数α变化的明显规律和优于ＳＣＦ的计算结果，并进一步对Ｈ４的正四边形构进行计算，结果表明ＭＳ－Ｘα方法是研究子簇的有效方法。     

BS分子α带系A~2Π→X~2Σ~+及γ带系C~2Π→X~2Σ~+法兰克-康登因子的计算

在双原子分子核运动的薛定谔方程中，计入分子的振转相互作用项，在Ｍｏｒｓｅ势近似下得出的波函数除与振动量子数有关外，还与转动量子数有关。本文用该波函数编程计算了ＢＳ分子α带系Ａ２Π→Ｘ２Σ＋及γ带系Ｃ２Π→Ｘ２Σ＋法兰克－康登（Ｆｒａｎｃｋ－Ｃｏｎｄｏｎ）因子（简称Ｆ－Ｃ因子）。计算中转动量子数的取值由Ｊ＝０至Ｊ＝２００，其结果适用于低温、高温和强激波条件。     

MS－X_α方法适合对原子簇H_n的研究

为考察多重散射Ｘα（ＭＳ－Ｘα）方法对原子簇研究的适用性，本文用该法详细研究了氢分子的势能、键长、离解能、电离能、跃迁能等性质，得到了上述物理量随参数α变化的明显规律和优于ＳＣＦ的计算结果，并进一步对Ｈ４的正四边形构型进行计算，结果表明ＭＳＸα方法是研究原子簇的有效方法。     

高Tc超导体YBaCuO（F）：磁性和ESR测量

本研究高Ｔｃ大块超导体ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｂ（Ｆｘ）（其中ｘ＝０．０，０．５，０．７５，１．０，１．５，２．０，２．５）的磁性。Ｘ射线衍射实验表明相当多的Ｆ进入了ＹＢａＣｕＯ（１２３）晶格并被Ｏ空位俘获。用振动样品磁强计（ＶＳＷ）测试这些样品的质量比磁矩σ与温度Ｔ的关系，以及抗磁性磁滞回线。未掺氟样品的Ｔｃ为８９Ｋ，掺Ｆ（ｘ＝０．７５）的样品具有最高的Ｔｃ０＝９３Ｋ和最强的抗磁性。在１５０Ｋ样品     

S2分子X^3—Σ^—g和B^3Σ^—u态的势能函数和振动光谱特征

应用实验光谱数据，导出了Ｓ２的基态分子Ｘ３Σ－ｇ和激发态Ｂ３Σ－ｕ的ＭｕｒｅｌＳｏｒｂｉｅ势能函数，并用ＱＣＩＳＤ（Ｔ）／６－３１１Ｇ方法对基态进行了计算，结果在吸引支出现了回避相交而产生了一个浅平极大，其他部位与实验结果符合甚好。计算了Ｂ３Σ－ｕ和Ｘ３Σ－ｇ态的全部振动能级，以及激发态（Ｂ３Σ－ｕ）振动能级≤９和基态（Ｘ３Σ－ｇ）振动能级≤３０之间的Ｄｅｓｌａｎｄｒｅｓ表。给出了Ｂ３Σ－ｕ－Ｘ３Σ－ｇ跃迁Ｃｏｎｄｏｎ抛物线，各振动态的计算结果与实验值很好符合。     

SCF—Xα—SW程序和LMTO程序的改进及其在固体体系中的应用

在ＹＨ－１／ＹＨ－２计算机上将多重散射Ｘα自洽场方法（ＳＣＦ－Ｘα－ＳＷ）程序和线性Ｍｕｆｆｉｎ－ｔｉｎ轨道方法（ＬＭＴＯ）程序做了改进，实现了向量化和并行化。研究了Ｃ６０的能级；计算了苯分子从１ｅ１ｇ，２ｅ２ｇ和１ａ２ｕ开始激发的１０８个Ｒｙｄｂｅｒｇ态单电子轨道激发能，即１ｅ１ｇ，２ｅ２ｇ，１ａ２ｕ→ｋａ１ｇ（ｋ＝３－１１），ｋｅ２ｇ（ｋ＝２－７），ｋｅ１ｕ（ｋ＝３－８），ｋｅ１ｇ（ｋ＝３－５     

Kondo绝缘体CeNiSn的低温物性研究

对ＣｅＮｉＳｎ的多晶样品进行了磁化率ｘ（１．８－２０Ｋ），电阻率ρ（３－１００Ｋ），Ｈａｌｌ系数Ｒ（４．２－３２Ｋ）和低温比热（１．２－３０Ｋ）的测量，经Ｘ射线衍射分析，该样品为单相结构，磁化率Ｘ在较高温区（３０－２００Ｋ）遵循Ｃｕｒｉｅ－Ｗｅｉｓｓ定律，并可推定出Ｃｅ离子的价态是＋３价的，在３０Ｋ以下磁化率Ｘ明显地偏离该定律并急剧增大，显示出明显的Ｋｏｎｄｏ行为，在１５Ｋ以上，ρ（Ｔ）很好地符合     

高Tc（Hg,Pb）—1223相超导体的EPMA研究

在ＨｇＢａ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ８＋δ（Ｈｇ－１２２３相）超导体中，我们以Ｐｂ部分代替Ｈｇ，成功地合成了（Ｈｇ，Ｐｂ）－１２２３相超导体，并对这些样品进行了ＸＲＤ、ＴＥＭ、ＳＥＭ和ＥＤＸ等分析。本文着重报导ＥＭＰＡ分析的结果：在我们最佳合成的（Ｈｇ，Ｐｂ）－１２２３超导样品中，正离子比为Ｈｇ：Ｐｂ：Ｂａ：Ｃａ：Ｃｕ＝０．６６：０．３４４：２：１．９８：２．９７，氧含量为８．４１；以及样品的主相为（Ｈｇ，     

Hg_2、Hg_2~(2 )、Hg_3、Hg_3~(4 )原子簇的电子结构和光谱的SCC-DV-X_α方法的计算

利用ＳＣＣ－ＤＶ－Ｘα方法计算了Ｈｇ２、Ｈｇ２＋２、Ｈｇ３、Ｈｇ４＋３原子簇的电子结构和光谱，分析了体系的稳定性和影响分子轨道的因素及可能的光谱跃迁波长，所得结果与所报道的实验结果作了比较。     

氟原子与氯溴代甲烷反应的光谱及动力学研究

本文报导了氯原子与三种含氢氯溴代甲烷（ＣＨ２ＢｒＣｌ，ＣＨＢｒＣｌ２，ＣＨＢｒ２Ｃｌ）反应的光谱及动力学研究结果，观察了这些反应的可见化学发光（３００－９００ｎｍ）和染料Ｒ６Ｇ波段（５６５－６１０ｎｍ）的激光诱导荧光，观测到ＨＦ基电子态振动泛频跃迁和Ｂｒ２（Ａ，Ｂ），ＢｒＦ（Ｂ）分子电子激发态跃迁的发射谱以及ＢｒＦ（Ｘ），ＣＨＦ（Ｘ）的基电子态的激发谱，计算机模拟光谱求出了Ｂｒ２（Ｂ），ＢｒＦ（Ｘ     

Hg2,Hg^2＋2,Hg3,Hg^4＋3原子簇的电子结构和光谱的SCC—D…

利用ＳＣＣ－ＤＶ－Ｘα方法计算了Ｈｇ２，Ｈｇ＾２＋２，Ｈｇ３，Ｈｇ＾４＋３原子族的结构和光谱，分析了体系的稳定性和影响分子轨道的因素及可能的光谱跃迁波长，所得结果与所报道的实验结果作了比较。     

掺Ce的Y－Ba－Cu－O体系成相的拉曼光谱分析

掺Ｃｅ的Ｙ－Ｂａ－Ｃｕ－Ｏ体系成相的拉曼光谱分析许存义，左健，王跃（中国科学技术大学结构分析开放研究实验室合肥２３００２６）ＳｔｕｄｙｏｎＴｈｅＲａｍａｎＳｐｅｃｔｒｕｍｏｆＣｅ－ｄｏｐｅｄＹ－Ｂａ－Ｃｕ－ＯＳｙｓｔｅｍ￥ＣｕｎｙｉＸｕ；ＪｉａｎＺｕ...     

掺铜铌酸钡钠中铜的形态形成特性

在铌酸钡钠（ＢＮＮ）的钨青铜结构形成范围内，适当的调整其成份组成，于氧化气氛中合成铌酸钡钠时，掺铜ＢＮＮ存在着自然形成Ｃｕ＾＋，Ｃｕ＾２＋的规律性，使用光电子能谱仪粒测定了掺铜ＢＮＮ铜的价态，讨论了Ｃｕ＾＋及Ｃｕ＾２＋在ＢＮＮ结构中占位以及掺铜ＢＮＮ晶体赋色的原因。     

La_（2－x）Sr_xCu_（1－y）Fe_yO_4正常态的反常磁性

研究了Ｌａ２－ｘＳｒｘＣｕ１－ｙＦｅｙＯ４（ｘ＝０．１３，０．１５，０．１７和ｙ＝０．０，０．００２，０．００４，０．００６）多晶样品在不同磁场下（Ｈ＝１，３和５Ｔ）正常态直流磁化率与温度的关系和超导转变温度与Ｆｅ掺杂含量的关系．结果表明，不掺杂样品的正常态直流磁化率呈宽峰行为．随着Ｆｅ掺杂量的增多，直流磁化率与温度的关系由宽峰行为变为Ｃｕｒｉｅ－Ｗｅｉｓｓ行为．与此同时，超导转变温度随Ｆｅ掺杂含量的变化而变化．这表明载流子浓度是影响超导的重要因素．对Ｆｅ掺杂样品，其正常态直流磁化率与温度的关系可以用Ｘ＝ａ＋ｂＴ＋ｃ／（Ｔ－Ｔ０）很好的表示．我们认为，其中ａ＋ｂＴ项是带Ｐａｕｌｉ顺磁的贡献．对同一掺Ｆｅ样品，增加外磁场时，居里常数ｃ增大而常数项ａ减小．这是由于在Ｆｅｒｍｉ面存在不满的窄带（ｄｘ２上Ｈｕｂｂａｒｄ带），它是导致居里顺磁的原因．增加磁场时它往高能方向移动，窄带的电子空得更多，这些电子移向较宽的杂化带，导致每个Ｃｕ离子的磁矩增大，而带的Ｆｅｒｍｉ面电子态度减小．我们的实验结果也表明，超导电性与能带结构密切相关．     

SinSem分子簇的SCC—DV—Xa方法的计算研究

本文应用ＳＣＣ－ＤＶ－Ｘａ方法计算了（ＲＳｉ）４Ｓｅ６，（ＲＳｉ）２Ｓｅ３和Ｒ４Ｓｉ３Ｓｅ４（Ｒ＝ＣＨ３，Ｃ２Ｈ５，Ｐｈ）等分子簇的结合能，轨道能级，电荷分布，状态密度，分析了簇的稳定性，ＮＭＲ化学位移，紫外可见吸收和催化性能等，结果与实验相符。     

HCl＋Xe掺杂CO矩阵晶体中Xe＋2Cl－电子态跃迁

报道ＨＣｌ＋Ｘｅ掺杂ＣＯ矩阵晶体中，在３０８ｎｍ激光的激发下，首次观测到准分子Ｘｅ＋２Ｃｌ－的特征辐射荧光谱。双光子诱导电荷转移合作吸收反应：Ｘｅ＋ＨＣｌ＋２ｈν→αＸｅ＋（ＨＣｌ）－中，双光子吸收截面大于５×１０－４２ｃｍ４ｓ［６］。     

Ⅱ－Ⅵ族应变层超晶格的X射线衍射分析

本文报导了用计算机控制的衍射仪（ＣｕＫα辐射）测量的金属有机化学汽相沉淀（ＭＯＣＶＤ）方法生长的Ⅱ－Ⅵ族应变层超晶格的Ｘ射线衍射曲线，观察到了超晶格结构的多级卫星峰，且卫星峰的强度随角度呈周期性变化．对这种卫星峰形成包络的衍射曲线，用Ｘ射线运动学衍射理论进行了分析和讨论，这种讨论有助于理解Ｘ射线衍射曲线中卫星峰的形成．同时用光致发光和包络峰宽度的方法估算了样品的结构参数．