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众所周知,研制快速启动显象管主要在于设计制造快速启动阴极。具体来讲,是设计31公分显象管瓷片阴极结构(图1),采取减少阴极热容量和热损失、提高阴极和热丝的热效率等主要技术措施来缩短阴极启动时间。因此我们采取如下主要技术措施:把显象管的光栅显现时间从原来的7~9秒缩短到5秒以内,实现显象管阴极的快速启动(可采用阴极启动时间的关系式来进行设计): 1.用阴极镍铬合金替代纯镍做阴极套管,并把阴极套管的厚度从原来的0.05毫米减薄到0.02~0.03毫米; 2.黑化阴极套管和热丝(因本厂热丝黑化 相似文献
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原氩气氛保护操作箱太大,有死角,空气排不尽,阴极焊接氧化严重.根据流体学原理制造的新操作箱,驱气彻底,解决了阴极焊接的氧化问题. 相似文献
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本文介绍了真空微电子器件中的场发射阴极硅锥尖的制作工艺,采用不同的腐蚀方法以及氧化削尖技术,制成了形状较好的硅尖,并对实验研究结果进行了比较、分析和讨论。 相似文献
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《电子技术与软件工程》2017,(21)
大功率电子管中通常用于阴极制造的钍钨丝材料是含有0.5%~2%氧化钍的钨丝。钍钨阴极的制造工艺和钨阴极相似,也需要经过净化、成形、定型等工序,但不同的是钍钨阴极还需要进行激活处理。由于材料含氧化钍不均匀,使其激活之后阴极的强度大大降低。 相似文献
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介绍示波管使用氧化钪分散型氧化物阴极的制造工艺和在增大电流密度条件下的寿命试验,取得较好的结果。这处新阴极能适用于高分辨率、高亮度阴极射线管。 相似文献
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为了提高大功率磁控管的输出功率,延长其使用寿命,采用难熔稀土氧化钆和过渡金属氧化铪制备大功率磁控管用新型直热式稀土铪酸钆陶瓷阴极,并对该阴极的热发射特性和寿命特性等进行了测试,热发射测试结果显示该阴极在1300℃ br即可提供0.1A/cm2发射电流密度,1600℃ br下可提供超过1.93A/cm2的发射电流密度.寿命实验结果显示,该阴极在1500℃ br,直流负载为0.5A/cm2的条件下,寿命已经超过4000h.最后,利用X射线衍射仪、扫描电镜、能谱分析仪、氩离子深度刻蚀俄歇电镜等设备分别对该阴极活性物质的分子结构,阴极表面微观形貌、元素成分及含量等进行了分析.结果表明,高温烧结合成了单一的铪酸钆物相,烧结过程中当一种Gd3+价稀土氧化钆掺入Hf4+价的过渡金属氧化铪时,会发生离子置换固溶,为了保持铪酸钆晶格的电中性,晶格中就会产生一个氧空位.当阴极在激活、老练、热发射测试时,会加速氧空位的生成,产生的氧空位越多,阴极表面导电性就会越好,这间接降低了逸出功,从而提高了阴极的热发射能力. 相似文献
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为了对大尺寸筒状设备进行圆度误差评定,研制了大尺寸筒状设备圆度误差测量系统。其结合了激光准直、图像处理等多方面技术对大尺寸筒状设备的圆度误差评定进行研究。首先,介绍了系统获取大尺寸筒状设备圆度数据的方式。然后,根据圆度数据的获取方式,提出了基于相邻测点位置关系的最小外接圆过滤算法。最后,验证该算法的过滤效率,并与同类算法在解算时间、解算结果两方面进行比较。实验结果表明:最小外接圆过滤算法解算时间较以往同类算法缩短了30%以上。系统CCD测量杆的测量精度达到0.7 mm。大尺寸筒状设备圆度误差测量系统满足工程需要,可对大尺寸筒状设备进行有效圆度误差评定。 相似文献
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本文基于对氧化物阴极热平衡关系的分析,提出了实现氧化物阴极迅捷准确改型的方法。文中以热子改型一次成功的实例,说明改型时的计算设计和相应的工艺处理所必须遵循的原则,该原则对间热式氧化物阴极和直热式氧化物阴极的改型乃至重新设计都同样适用。 相似文献
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利用TGA-DSC和XRD对阴极铝酸盐添加氧化钪(Sc2O3)前后的合成工艺、产物物相等进行了研究,对合成后铝酸盐与钨基的浸渍工艺、阴极的发射性能及蒸发速率进行了分析。结果表明:铝酸盐主晶相为Ba5CaAl4O12,添加w(Sc2O3)3%后,主晶相改变为Ba3CaAl2O7,熔点下降了48.5℃,铝酸盐的浸渍温度降低了130℃,浸渍度略有升高,保温时间缩短了0.5min。在阴极工作温度(1000~1100℃)范围之内,添加Sc2O3后制备的铝酸盐阴极直流发射密度是普通铝酸盐阴极的2倍以上;1100℃时平均蒸发速率是普通铝酸盐的61.5%,性能明显优于普通铝酸盐。 相似文献
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氧化物阴极是真空器件应用最广泛的热阴极,为了满足微波器件向高功率、宽频带、长寿命等技术要求的持续发展,提高氧化物阴极的直流及宽脉冲发射电流密度、增强它的稳定可靠性一直是氧化物阴极应用研究的主题。本文主要论述氧化物阴极电子发射过程、分析氧化物阴极存在问题根源及解决的方法,研制出新型氧化物阴极,给出了阴极直流、脉冲、寿命性能以及在高功率速调管和行波管的应用,展望了它的应用前景。 相似文献
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本文对2 kW连续波磁控管钍钨阴极出现的失效现象进行分析,归纳问题,制定改进措施,分析阴极工作过程,得到了长寿命高可靠的阴极,具有良好的发展前景。 相似文献
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本研究探索了一种电泳选域组装碳纳米管发射器到正栅极结构的衬底中作为三极管结构的场发射显示阴极的工艺.在这个工艺中,悬浊液中的碳纳米管在施加于栅极电极和阴极电极的电压的作用下移向并淀积到三极管结构的衬底中.同时,这个栅极电极的正电压能够排斥悬浊的碳纳米管,使栅极电极不吸附碳纳米管.实验结果表明,碳纳米管选域组装到栅极孔洞中去,并且每一个孔洞中碳纳米管具有相同的组装密度.该工艺成本低、可实现大面积阴极的制备,是一种在制备三极管型碳纳米管场发射显示阴极中可供选择的工艺. 相似文献