Bi2212超导单晶中的一级融化相变的研究

在干净的Ｂｉ２２１２超导单晶样品中,使用四引线法进行输动性质的研究（电流方向沿ＣｕＯ２层）,发现当外磁场（⊥ａｂ面）小于０．０９Ｔ时电阻在正常态电阻的１‰时发生突变,电阻陡降了２到３个量级,对应着一级融化的发生;当外磁场超过临界点（ＣＰ）时,电阻随温度的变化曲线出现展宽,磁通液体到磁通固态的相变为二级相变。我们认为临界点（ＣＰ）是晶体中缺陷的函数,缺陷驱动Ｂｉ２２１２超导单晶的相变由一级向二级转变     

低温变形对Bi2223超导带材性能的影响

本文采用在液氮温度下的低温变形和室温下传统变形进行比较,系统研究了银包套单芯,银包套多芯,合金外包套银内包套多芯带材经过低温变形和室温变形后的组织结构,以及最终热处理后的电流传输性能和抗拉伸性能.结果表明,低温变形过程中,由于外包套材料硬化,改善了外包套材料和超导芯之间的变形差异性,使得变形更有效地传递到陶瓷超导芯上,超导芯密度明显大于室温变形,银超界面相对平整,超导晶粒取向相对一致.此外,低温变形后,Bi2223带材的抗拉伸性能明显增加.低温变形的这种作用对于银包套单芯和多芯带材试样十分明显,而对于合金外包套带材试样相对较小.     

Bi2212相插层化合物的制备及其应用

我们通过气相输运插层化合反应成功制备了高温超导Bi2212相的碘插层化合物Ix Bi2212，进而制备出碘化汞插层化合物（HgI2）xBi2212．在此基础上，对碘化汞插层化合物（HgI2）xBi2212在丙酮溶液中进行超声剥落，成功制备出了高温超导Bi2212相的纳米粉体．我们对样品进行了表征，并就样品制备技术过程和纳米Bi2212相粉体的应用作了讨论．     

Bi2212相插层化合物的制备及其应用

我们通过气相输运插层化合反应成功制备了高温超导Bi2212相的碘插层化合物IxBi2212,进而制备出碘化汞插层化合物(HgI2)xBi2212.在此基础上,对碘化汞插层化合物(HgI2)xBi2212在丙酮溶液中进行超声剥落,成功制备出了高温超导Bi2212相的纳米粉体.我们对样品进行了表征,并就样品制备技术过程和纳米Bi2212相粉体的应用作了讨论.     

Ca2YSbO6:Bi3+的发光性能

本文首次研究了Bi3+在具有单斜结构的复合氧化物Ca2YSbO6中的激发和荧光光谱。发现Ca2YSbO6对于Bi3+是一个很有效的基质,该磷光体在315nm激发下,Bi3+产生很强的宽带发射,峰值位于400nm。荧光强度随Bi3+化学组成的改变发生明显规律性的变化,当Bi3+浓度为0.04摩尔时发光尤为有效。该磷光体有可能成为黑光灯粉和合成维生素c光化反应的光源。     

熔盐法制备BaPb0.75Bi0.25O3超导体

采用熔盐法成功制备出了BaPb0.75Bi0.25O3(BPBO)超导体,对其反应机理进行了研究,并对制得样品的晶体结构、形貌及超导电性进行了测试和分析.X射线粉末衍射及磁性测量结果显示,在较高反应温度(500℃和600℃)下制备的样品具有较好的单相性,无杂相,晶体结构属四方晶系.最高的超导转变温度可达11.6 K.     

Isomeric transitions in203Bi and205Bi

High spin states in^{203, 205}Bi, populated in the^{203, 205}Tl (α,4n) reactions, have been studied using gamma-ray and conversion-electron spectroscopy. Several previously unobserved isomeric transitions were identified by electron-electron coincidence measurements in both isotopes and in²⁰⁵Bi a new isomer was found. The observed states can be explained as arising from couplings of the oddh _9/2 proton to neutron states in the neighbouring Pb cores. Reduced transition probabilities are derived and discussed.     

锗酸铋晶体二波耦合效应的研究

本文叙述了锗酸铋晶体的生长。采用二波耦合光路测试BGO晶体的衍射效率和增益系数,研究BGO晶体的二波耦合中光波的位相变化。     

铋系2212单晶插碘化合物的合成和输运性质研究

本文对单晶性很好的Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕＯ８－ｘ进行了插碘,得到完好的插层晶体。尽管碘的插入导致晶胞在ｃ方向增长了约０．３５ｎｍ,其电阻测量的结果与未插层单晶行为相似,只是Ｔｃ略有下降,意味着ＣｕＯ面内的载流子浓度没有明显的改变。     

Bi2212晶须中磁通线运动临界电流的反常现象

我们对同一Ｂｉ２２１２晶须样品加不同方向的磁场,比较了Ｈ∥ｂ和Ｈ∥ｃ两种情况下的Ｉ－Ｖ曲线。我们发现,当Ｈ∥ｃ时,驱动磁通线运动的临界电流Ｉｃ与温度的关系遵循一般的单调地随温度上升而下降的关系。但是,当Ｈ∥ｂ时,Ｉｃ在Ｔ＾＊＝２５．５Ｋ附近出现了一个峰值：当Ｔ〉Ｔ＾＊时,Ｉｃ温度的下降而升高;Ｔ〈Ｔ＾＊时,Ｉｃ随温度的下降而下降。我们在文章中对此现象进行了讨论。     

Bi2-xPbxSr2Co2Oy单晶各向异性输运性质的研究

研究了不同Pb含量的Bi2-xPbxSr2Co2Oy单晶的输运行为．用A．F．Ho和A．J．Schofield提出的公式对ρc的温度依赖关系曲线进行了拟合，得到了较好的结果．我们利用小极化子理论解释了ρc的复杂行为．     

Bi2212体系的层间耦合对临界电流密度的影响

通过对具有不同层间耦合强度的Bi2212单晶样品的磁滞回线的测量,得到了样品的临界电流密度Jc随层间耦合强度和磁场的变化关系．实验结果显示,样品的层间耦合减弱,Jc明显减小．同时发现Jc与磁场间存在Jc ∝ exp(-H^a)关系,进一步分析表明,Jc的这种磁场依赖关系是对数钉扎势垒模型的必然结果．     

内切轧制形变对Bi2223/Ag多芯带材的影响

内切轧制是新的高温超导Bi2223/Ag带材加工方法.本文采用内切轧制进行高温超导Bi2223/Ag多芯带材加工实验,研究不同压下率(εh)的中间形变对带材组织、结构和性能的影响.研究结果表明,内切轧制中带材的形变属于两向延伸、一向压缩形变,其宽展延伸十分明显,随εh增加而增大;XRD分析结果表明,内切轧制中εh变化对带材相组成、Bi2223相含量和织构度影响不显著;SEM观察和Ic测试表明,εh的增加使带材致密性增强并提高Ic,但是这种作用一定程度上因银超界面而受到抑制.     

Bi_2O_3-Li_2O玻璃的热致变色研究

发现氧化和氧化锂所形成的玻璃有着明显的热致变色现象 .温度系数随氧化含量的增加而上升 ,反映了热致变色现象主要来源于氧化 .这种热致变色现象与半导体同样 ,来源于玻璃中的电子 声子相互作用而产生的随温度变化的光学能隙 .氧化重金属氧化物玻璃中高电子密度和低声子能量的化学键是产生强电子 声子相互作用的主要原因     

Photoluminescence processes in LaOCl:Bi and YOCl:Bi

The luminescence of rare earth oxychlorides LnOCL:Bi (with Ln = La and Y) is studied in detail. The main excitation bands, responsible for the blue and UV fluorescences, are attributed to the bismuth activator substituting for Ln³⁺ in the rare earth tetragonal site. The weak shoulder of these bands and the complex decay times are assumed due to a parasitical phase, La₂O₃ or Y₂O₃ doped by bismuth, an X-ray analysis confirming their presence in the samples. Finally, the existence of these phases does not seem to have an important effect upon the interpretation of the luminescence processes of the main center, as shown by the configuration curve model.     

Analysis of transitions from autoionization states of the Bi III, Bi IV, and Bi V ions

The spectra of transitions from the autoionization states of bismuth ions are studied in the wavelength region from 170 to 500 Å. More than twenty transitions from the levels of configurations accompanied by excitation of the inner 5d subshell in the Bi V, Bi IV, and Bi III ions are identified and their autoionization widths are measured. In addition, transitions from the highly excited 5d ¹⁰ np levels (n=8–11) in the Bi V ion are identified and the ionization potential is refined.     

\alpha-decay spectroscopy of light odd-odd Bi isotopes - II: 186Bi and the new nuclide 184Bi

Alpha-decay of the new nuclide ¹⁸⁴Bi has been studied in the complete-fusion reaction ⁹³Nb(⁹⁴Mo, 3n)¹⁸⁴Bi at the velocity filter SHIP. The evaporation residues were separated in-flight and subsequently identified on the basis of recoil- , recoil- - analysis and excitation functions measurements. Two -decaying isomeric states in ¹⁸⁴Bi with half-life values of 13(2) ms and 6.6(1.5) ms were identified. The -branching ratio of ¹⁸⁰Tl was deduced for the first time as . Improved data on the fine-structure -decay of ¹⁸⁶Bi were obtained in the ⁹³Nb(⁹⁵Mo, 2n)¹⁸⁶Bi reaction. A similarity of the decay energies and half-life values of ^184,186Bi is pointed out and a possible explanation for this effect is suggested.Received: 14 March 2003, Revised: 29 April 2003, Published online: 2 September 2003PACS: 23.60.+e decay - 27.70.+q - 27.80.+w K. Heyde: Present address: EP-ISOLDE, CERN, CH-1211, Geneva 23, Switzerland.