ZnO压敏陶瓷的晶界结构

用ＸＲＤ、ＳＥＭ、ＴＥＭ研究了低压ＺｎＯ压敏陶瓷的相结构与晶界结构，证实了晶界相的不连续性，发现低压ＺｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３－ＴｉＯ２系中ＺｎＯ－ＺｎＯ晶粒直接接触区晶界宽度约为４５ｎｍ，以及烧结过程中晶界上ＺｎＯ纳米级单晶的迁移行为并计算出ＺｎＯ晶界移动激活能Ｑｍ。     

ZnO压敏陶瓷晶界缺陷的正电子寿命谱研究

用正电子寿命谱（ＰＡＳ）研究了ＺｎＯ压敏陶瓷的晶界缺陷，用简单捕获模型解释ＰＡＳ结果并估算正电子捕获速率，主要的正电子陷阱是晶粒边界带负电的Ｚｎ空位。详细分析了材料制备过程中降温快慢对晶界特性的影响。     

ZnO压敏陶瓷的一价离子掺杂

本文研究了一价金属离子掺杂对ＺｎＯ压敏陶瓷电性能的影响。根据晶界的Ｓｃｈｏｔｋｙ势垒模型分析计算了ＺｎＯ晶粒表层１５ｎｍ浅范围的正电荷中心浓度ＮＤ对ＺｎＯ压敏陶瓷小电流区非线性特性的影响。结果表明ＮＤ减小，非线性增强，如果掺入ＺｎＯ压敏陶瓷中的一价金属离子进入了ＺｎＯ晶粒体内对正电中心进行补偿，则会使大电流区的非线性变差。     

ZnO籽晶对ZnO压敏陶瓷微观结构和电性能的影响

本文研究了ＺｎＯ籽晶的制备，探讨了昌对ＺｎＯ压敏陶瓷材料微观结构及压敏电压。通流容量。非线性一系民性能的影响。结果表明，通过掺加ＺｎＯ籽晶，可有效地控制材料中ＺｎＯ昌粒生长入材料微观结构。达到降低材料压敏电压和提高通流容量的目的。     

ZnO压敏陶瓷热处理的正电子湮没寿命谱研究

在常温下测量了ＺｎＯ压敏陶瓷经不同方法热处理后的正电子湮没有寿命谱，结果表明，与无热处理比较，７５０℃×２ｈ的氧化热处理基本不改变缺陷强度Ｉ２；随后进行的７５０℃×２ｈ还原热处理则使Ｉ２明显降低，氧化热处理和还原热处理均使缺陷寿命τ２延长。根据正电子理论和ＺｎＯ压敏陶瓷晶界缺陷模型，该结果支持适当温度下的氧化热处理使氧离子Ｏ吸会于晶界中这一假设，同时，我们还得出：晶界吸附的Ｏ并非Ｂｉ２Ｏ３相变的结     

保温时间对ZnO压敏陶瓷电学性能的影响

采用固相烧结法制备了ZnO-Pr₆O₁₁-Co₂O₃-Cr₂O₃-Er₂O₃-SiO₂压敏陶瓷,并研究了保温时间对ZnO压敏陶瓷的物相、微观形貌、压敏特性和阻抗特性等的影响。结果表明：随着保温时间变长,平均晶粒尺寸逐渐增大。保温3 h的ZnO压敏陶瓷综合性能最好,非线性系数和晶界势垒高度均达到最大,分别为16.9和0.37 eV,击穿场强和晶界电阻率分别为384.3 V/mm和17 400 MΩ·cm,且漏电流最小,为1μA。同时,晶界处带负电的Zn_1.9SiO₄相的存在对晶粒间双肖特基势垒的形成有重要影响。     

晶界电性能对ZnO压敏陶瓷性能的影响

研究了传统烧结与热压烧结对ZnO压敏陶瓷显微结构和电性能的影响.采用扫描电镜观察(SEM)、电流-电压测试(I-V)、电容-偏压测试(C-V)以及阻抗谱等分析方法或测试手段研究了陶瓷的显微结构、电性能.结果表明,热压烧结增大了ZnO压敏陶瓷的烧结密度,提高了电性能.晶界特性参数测试结果表明,热压烧结还可以增强晶界特性.     

湿法合成ZnO压敏陶瓷材料烧结缺陷的研究

研究了湿法合成ＺｎＯ压敏陶瓷材料的烧结缺陷,结果表明,随着烧结温度的提高,有两类微空洞型缺陷存在,它们分别由存在于晶粒表面的ＺｎＯ和晶界中的Ｂｉ２Ｏ３分解挥发产中缺陷的存在是造成ＺｎＯ晶粒极向生长的主要原因。同时讨论了烧结缺陷的产生机理及其对压敏特性的影响。     

SiO2在ZnO—Bi2O3—Sb2O3—BaO系压敏陶瓷中的作用

ＳｉＯ２添加剂对ＺｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３－Ｓｂ２Ｏ３－ＢａＯ系和通常的ＺｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３－Ｓｂ２Ｏ３系压敏陶瓷电性能的作用和影响有很大不同。通过小电流区伏安特性，交变电压下复阻抗特性，以及对复电容平面图中半弧特性的分析可知，ＳｉＯ２对ＺｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３－Ｓｂ２Ｏ３－ＢａＯ系压敏陶瓷中电性能影响是晶界组分及微结构变化造成的。     

氧化锌压敏陶瓷的有机凝胶法制备研究

采用有机（柠檬酸）凝胶法来制备氧化锌压敏陶瓷材料，与相同成分用常规氧化物混磨工艺制粉的对照样品的性能进行比较。凝胶法制备的氧化锌压敏粉料具有准纳米级（200～300nm）的颗粒度，制成的氧化锌压敏电阻具有更高的非线性系数和压敏电压梯度．相对均匀的微观结构及高化学均匀性是采用有机凝胶法制备的氧化锌压敏陶瓷性能提高的主要原因．     

Mn离子的价态变化与ZnO压敏陶瓷的 V-I非线性

制备了含Ｍｎ和不含Ｍｎ的ＺｎＯ压敏陶瓷样品,其Ｖ－Ｉ非线性α系数分别为５２．３０及１０．４０,采用电子自旋共振谱（ＥＳＲ）研究了含Ｍｎ的样品中ＭｎＯ２的作用,结果表明,Ｍｎ离子是一种受主杂质,其价态由烧结前的Ｍｎ＾４＋变为烧结后的Ｍｎ＾２＋。Ｍｎ离子价态变化发生在烧结过程中９５０℃这一特定温度,差热分析（ＤＴＡ）结果也显示,ＭｎＯ２在９５１℃存在一相变吸收峰。样品的Ｍｎ＾２＋特征ＥＳＲ信号愈强,则     

ZnO压敏陶瓷与有机绝缘材料间界面电荷及其作用

用热刺激电流和电声脉冲法研究了ＺｎＯ压敏陶瓷与绝缘材料间界面电荷分布。发现绝缘材料显著地影响界面电荷性质和密度，压敏陶瓷酯型聚氨酯界面存在大是电荷，而压敏陶瓷与聚酯改性有机硅界而没有电荷。     

铋添加剂对ZnO—Bi2—O3—Sb2O3—BaO系压敏陶瓷晶相形成的影响

讨论了ＺｎＯ－Ｂｉ２Ｏ３－Ｓｂ２Ｏ３－ＢａＯ系压敏陶瓷中铋添加剂含量对ＢａＳｂ２Ｏ３、β－Ｂｉ２Ｏ３等晶相形成的影响；同时研究了预烧、热处理等工艺在Ｂｉ含量不同时与上述晶相形成的关系。     

ZnO纳米粉对压敏陶瓷材料显微结构和电学特性的影响

用ｓｏｌ－ｇｅｌ方法制备掺杂的ＺｎＯ纳米粉体，分析讨论了这种粉体对材料显微结构，材料电学特性如非线性系数，压敏电压和介电特性的影响，与传统方法制成的粉体相比，ｓｏｌ－ｇｅｌ方法制成的纳米粉人有掺杂均匀，晶粒尺寸分布均匀，其电学特性得到较大提高。     

高温陶瓷材料微观剖析试样的制备方法和要点

介绍了高温陶瓷材料显微结构分析试样的制备方法（包括切割、浸渗、研磨和抛光）。其中采用环氧树脂浸满多孔试样的气孔是关键措施之一,其目的使试样在研磨和抛光过程保持结合强度,从而防止试样的显微结构受损。结果表明,此方法切实可行,耐材显微结构照片质量良好。     

环氧粉末包封的ZnO压敏电阻器的湿热劣化规律研究

研究了３种湿热方式作用下ＺｎＯ压敏电阻器的性能劣化规律，以及环氧粉末的固化条件的影响。分析与讨论了湿热联合作用下ＺｎＯ压敏电阻器受潮机理，以及温度和压力在湿热劣化过程中的加速作用。     

氧化锌压敏电阻粉体的制备工艺

综述了ZnO压敏电阻粉体制备的国内外研究现状,对不同制备方法的优缺点进行了评析,指出了目前氧化锌压敏电阻粉体制备中存在的问题,并提出了今后的研究发展方向。     

氧化锌阀片粉体的电化学性能研究

为了研究氧化锌阀片粉体的均匀性对其综合性能的影响,通过控制高能球磨时间得到了不同的氧化锌阀片粉体,并做成多孔电极,运用交流阻抗和电位-电容法对电极进行了测试,以探索混合粉体的均匀性与其电化学性能之间的关系。结果表明,随着氧化锌与混合添加剂粉体混合时间的延长,其阻抗减小;Mott-Schottky分析表明,混合粉体为n型半导体,且随着混合时间的延长Mott-Schottky关系曲线的直线段的斜率增大。