哑铃形碳化硅晶须的微观结构分析

利用透射电子显微镜观察和分析了仿生哑铃形碳化硅晶须的微观结构。这种碳化硅仿生晶须由成分和结构均不相同的两部分构成：中间是直杆状碳化硅晶须。在晶须上包裹着非晶态的念珠小球。由于成分组成的不同,念珠状小球具有均匀的和不均匀的两种微观结构;由于在其中存在大量的微孪晶、堆垛层错等缺陷,直杆状晶具有一维无序、竹节状等复杂的微观结构。在具有不同微观结构和形貌的直杆状晶须上,念珠状小球的开关和分布也有所不同。念球状小球中单质Ｓｉ的含量是影响仿生晶颜色的主要因素,Ｓｉ含量越高则仿生晶须的颜色越深。仿生晶须的生成过程是：先由气相反应生成直杆状碳化硅晶须,然后在直杆状碳化硅晶须上沉积生成非晶态念珠状小球。     

哑铃形碳化硅晶须增强聚氯乙烯(PVC)复合材料的制备和性能

研究了平直晶须和哑铃形仿生SiC晶须增强聚氯乙烯（PVC）复合材料的微观结构和力学性能，结果表明，与平直SiC晶须相比，哑铃形仿生SiC晶须在提高复合材料的同时还成倍地提高其延伸率，由于仿生晶须上小球的存在使复合材料中各部位处于均匀受力状态，裂纹不易在局部过早形成，同时，由于仿生晶须在拔出过程中起桥连的作用，所以复合材料的强度降低很小而延伸率得以增加，在加载过程中仿生晶须逐渐从PVC基体中拔出，在达到晶须断裂强度时在球颈颈处发生断裂，由于仿生晶须的增强和增韧机理是通过晶须上的小球在基体和晶须之间传递应力，因此其增强，增韧效果对于复合材料中的界面结合情况是不敏感的。     

碳化硅纳米晶须生长和显微结构

采用两步生长生在碳化硅纳米晶须，首先是二氧化硅与硅反应生成一氧化硅，再与碳纳米管先驱体反应生成β－ＳｉＣ纳米晶须，其直径为３～３５ｎｍ，长度为２～２０μｍ，用高分辨透射电镜研究晶须形貌，显微结构，讨论了碳化硅纳米晶须生长机制。     

哑铃殂碳化硅晶须的制备与表征

利用碳热还原法制备了仿动物骨骼的哑铃形碳化硅晶须，晶须由直杆和附着其上的念珠状小球组成，直杆的直径约为１００ｎｍ－１μｍ，念珠状小球的直径约为２００ｎｍ－１０μｍ。制备的哑铃形碳化硅晶须的形貌具有相似性，但是在不同的晶须上念珠状小球的直径、分布和形状又有差异。     

哑铃形碳化硅晶须的制备与表征

利用碳热还原法制备了仿动物骨骼的哑铃形碳化硅晶须.晶须由直杆和附着其上的念球状小球组成，直杆的直径约为100nm～1μm，念珠状小球的直径约为200nm～10μm.制备的哑铃形碳化奔硅晶须的形貌具有相似性，但是在不同的晶须上念珠状小球的直径、分布和形状又有差异.EDS的分析结果表明念珠状小球中的主要成分是Si和O，另有少量的Na和Al，而直杆的主要成分是Si和C.XRD分析结果表明哑铃形碳化硅晶须的晶型是β-SiC，但其中还有SiO2和较弱的α-SiC的峰及非晶态峰出现．从EDS和XRD的分析结果可以推断碳化硅晶须中的直杆是SiC晶须，而念珠状小球是由SiO2晶体和非晶态的SiOx（1＜x＜2）物质及硅酸钠或硅酸铝等玻璃态物质组成的.哑铃形碳化硅晶须的生成过程是气相反应过程．     

稻壳SiC晶须生长工艺和机理研究

在以稻壳为原料，氧化物类作催化剂反应生成ＳｉＣ晶须的过程中，催化剂的主要作用是形成液相，晶须生长方式以ＶＬＳ为主，同时料内有少量ＶＳ方式生长的晶须，料表面有少量ＣＶＤ方式生长的晶须。     

活性炭块诱发SiC晶须生长的研究

以含氢硅油为前驱体,选用3种不同的活性炭块(1cm×1cm×1cm)为基体,经交联、制粉、包埋,氩气保护下烧结制备SiC晶须(SiCw)。对含氢硅油的交联工艺进行了研究,以正交试验法研究交联温度、保温时间、催化剂含量、交联剂含量对含氢硅油交联程度的影响。结果表明,交联温度是影响含氢硅油交联度的主要因素;其次依次是保温时间、催化剂含量、交联剂含量。在不同基体的诱导研究中,石墨基体表面生成的晶须较平直,另外两种基体未见均匀分布且长直的SiC晶须生成。SiC晶须的产生是由基体的表面缺陷引发,较低温度下晶须头部液滴的存在说明其生长机制符合VLS机制。     

平衡气量法制备四针状氧化锌晶须生长动力学研究

以金属锌为主要原料,用平衡气量控制法制备了具有四针状结构的氧化锌晶须,并对晶须生长过程进行了研究,发现通过控制反应原料锌的氧化速度可以分别控制晶须核心体部分和针状体部分的生长速度.提出了将锌的氧化反应、晶核形成过程、晶体生长过程等复杂反应简化为简单一级反应加以控制,通过控制反应区氧气量来控制整个反应速度和晶须结构,测定出四针状氧化锌晶须核心体生成和针状体生长两个阶段的速度常数分别为0.30 min-1和1.08 min-1,计算出ZnO晶须核心部分和针状体部分的重量比约为1:20.     

稻壳合成β－SiC晶须及生长机理研究

稻壳是生产ＳｉＣ晶须的一个重要资源，研究表明，稻壳内部结构中的ＳｉＯ２与Ｃ是生成ＳｉＣ颗粒的主要因素，外源ＳｉＯ２的加入能提高ＳｉＣ晶须的产率，ＳｉＣ晶须的含量可达３０％左右，杂质含量影响ＳｉＣ晶须的形貌与结构，并从理论上探讨了ＳｉＣ颗粒及β－ＳｉＣ晶须的生长机理。     

国产稻壳BP—SiCw的生长机理研究

以稻壳为原料的国产ＢＰ－ＳｉＣｗ的生长机理为一维的ＶＬＳ生长。ＢＰ－ＳｉＣｗ的直径变化规律遵守晶体一维ＶＬＳ生长的直径变化规律。即：炉子加热功率的波动越大，晶段表面的粗糙现象越严重。保护气的热容量越大，和炉体进行的热交换量越多，生产出的ＢＰ－ＳｉＣｗ的直径也越粗。氢气氛下生产的ＢＰ－ＳｉＣｗ表面光洁度优于氩气氛下生产的ＢＰ－ＳｉＣｗ产品。     

SiC 晶须的显微结构

用分析电镜研究 SiC 晶须的显微结构,按结构特征 SiC 晶须分为一维无序结构和呈竹节状两类。SiC 晶须具有分叉现象,一种是在一个主干上长出几个分支,另一种由一段双晶和分叉成两支晶须两部分组成。SiC 晶须双晶互为{221}孪晶关系,挛晶界面平行于基体的(001)_M;研究了 SiC 晶须的热稳定性,发现α—SiC 的热稳定性更好些。     

SiC单晶的生长及其器件研制进展

ＳｉＣ具有禁带宽度大，热导率高，电子的饱和漂移速度大，临界击穿电场高和介电常数低等特点，在高频大功率，耐高温，抗辐照的半导体器件及紫外探测器和短波发光二极管方面具有广泛的应用前景，本文综述了半导体ＳｉＣ体单晶和薄膜的生长及其器件研制的概况。     

泡沫碳化硅陶瓷表面原位生长碳化硅晶须

采用固相和液相反应法在泡沫碳化硅陶瓷骨架表面原位生长碳化硅晶须,研究了催化剂和反应温度的影响．结果表明,催化剂氯化镍的作用使硅与碳直接反应生长出细长的碳化硅晶须．在适当的反应温度下生长的碳化硅晶须的表面光滑,线径比较大,有少量的呈弯曲状或竹节状;反应温度过高使得硅晶须的缺陷较多．在泡沫碳化硅陶瓷骨架的表面原位生长出碳化硅晶须属于LS生长机理．具有表面晶须的碳化硅陶瓷以深床体积过滤的方式用于过滤柴油机汽车尾气中的碳颗粒,表面晶须既能提高泡沫陶瓷过滤器的过滤能力,又有利于过滤器的再生．     

用稻壳制备SiC晶须

用 SiC 和 Si_3N_4 晶须增强和增韧陶瓷正在受到人们的重视,取得了一定的进展。晶须属于高纯度超细单晶体,取向高度一致,强度接近于原子间结合力。制备 SiC 晶须,可归纳如下几种方法:有机硅化合物的热分解法;SiCl_4 等卤化物与CCl_4、碳氢化合物反应法;在高温(2500℃)下升华再结晶法;Si 和 C 在高温下,Fe,     

不同原料合成SiC晶须的形貌结构特征和生长机理研究

分别以SiO2微粉和Si3N4为硅源,炭黑为碳源,氧化硼为催化剂,采用碳热还原法在1500℃氩气气氛下合成了SiC晶须。通过透射电镜和扫描电镜对所合成SiC晶须的形貌和晶体结构特征进行了分析。结果表明,采用两种硅源所合成的晶须均为β-SiC单晶,晶须的生长面为(111)面,生长方向为[111]方向。两种硅源所合成的晶须形貌特点存在较大差别,表明其合成SiC晶须的生长机理不同,VLS生长和螺旋位错的延伸生长可以分别用来解释以SiO2微粉为硅源和以Si3N4为硅源合成的晶须在形貌结构特征上的差别。     

SiC／Al复合材料断裂机制的声发射研究

用ＳｉＣ单纤维Ａｌ基模型复合材料使断裂源单一化，测定这些断裂源的声发射特征，成功地用声发射特征区分知识复合材料中的纤维断裂，纤维－Ａｌ基体间的界面断裂、基体断裂，结合金相观察，分析了这些断裂产生不同声发射特征的原因。     

电化学表面处理对SiC纤维的强化作用

采用SEM分析了用电化学表面处理方法得到的高强度SiC纤维表面形貌和断口的结构,讨论了表面氧化膜的形成对用VCD法制备的SiC纤维力学性能的影响。