Ramtron扩展F-RAM V产品系列新增汽车等级串口128千位器件

Ramtron宣布,其V系列产品线新增两款通过严格的AEC-Q100G r a d e3汽车等级认证的串口F-RAM器件。这两款产品的型号为FM24V01-G和FM25V01-G,是128千位（Kb）、高性能非易失性F-RAM存储器,在2.0V～3.6V的宽工作电压范围内工作。     

Ramtron扩展F—RAMV产品系列新增汽车等级串口器件

Ramtron公司宣布其V系列产品线新增两款通过严格的AEC—Q100Grade3汽车等级认证的串口F-RAM器件。这两款产品的型号为FM24V01-G和FM25V01-G,是128千位、高性能非易失性F-RAM存储器,在2．0～3．6V的宽工作电压范围内工作。     

两款通过汽车等级认证的串口F—RAM器件

Ramtron International Corporation（简称Ramtronl宣布．其V系列产品线新增两款通过严格的AEC—Q100Grade3汽车等级认证的串口F-RAM器件。这两款产品的型号为FM24V01-G和FM25V01-G，是128千位（Kb）、高性能非易失性F-RAM存储器，在2．0～3．6V的宽工作电压范围内工作。     

Ramtron 1兆位串行F-RAM提升至满足汽车标准要求

<正>世界顶尖的低功率铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发及供应商Ramtron International Corporation宣布其1兆位(Mb)、2.0V-3.6V串行F-RAM存储器FM25V10-G,业已通过AEC-Q100Grade3标准认证,这一严格的汽车等     

Ramtron 1兆位串行F-RAM提升至满足汽车标准要求

<正>世界顶尖的低功率铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发及供应商Ramtron International Corporation宣布其1兆位(Mb)、2.0～3.6V串行F-RAM存储器FM25V10-G,业已通过AEC-Q100 Grade 3标准认证,这一严格的汽车等级认证,是汽车电子设备委员会(Automotive Electronic Council)针对集成电路而制定的应力测试认证。     

关于V系列F-RAM的技术说明

全球领先的非易失性铁电随机存取存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International corporation的两款具有高速读/写性能、更低工作电压和可选器件功能的新型串口非易失性F.RAM产品,分别是带有两线制接口(I2C)的FM24V02和带有串行外设接口(SPI)的FM2SV02.两款256kb器件是Ramtron公司V系列F-RAM产品的最新型号,工作电压范围为2.0V至3.6V,采用行业标准8脚SOIC封装,具有快速访问、无延迟(NoDelay)写入、几乎无限的读/写次数及低功耗等特点,是工业控制、表计、医疗电子、军事、游戏、计算机及其它应用领域的256kb串口闪存和串口EEPROM存储器的兼容替代产品.     

Ramtron推出串口256Kb F-RAM器件

Ramtron发布了两款具有高速读/写性能、更低工作电压和可选器件功能的新型串口非易失性F-RAM产品,分别是带有两线制接口（I2C）的FM24V02和带有串行外设接口（SPI）的FM25V02。两款256Kb器件是Ramtron公司V系列F-RAM产品的最新型号,工作电压范围为2.0V～3.6V,采用行业标准8脚SOIC封装，具有快速访问、无延迟（NoDelay）写入、几乎无限的读／写次数及低功耗等特点．是工业控制、表计、医疗电子、军事、游戏、计算机及其它应用领域的256Kb串口闪存和串口EEPROM存储器的兼容替代产品。     

2Mb串口非易失性F-RAM存储器

世界领先的低功耗铁电存储器（F—RAM）和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation（简称Ramtron）宣布推出2Mb高性能串口F—RAM器件FM25V20是Ramtron公司V系列F-RAM存储器中的一员。     

Ramtron 64千位串行F-RAM存储器达到汽车电子AEC-Q100标准

Ramtron International Crporation扩展其符合AEC-Q100标准要求的F-RAM存储器产品,FM24CL64 64千位 (Kb) 串行F-RAM已通过认证,可在-40℃～ 85℃的Grade 3汽车温度范围内使用.FM24CL64是Ramtron不断扩充的通过Grade 1( 125℃) 和Grade 3 AEC-Q100认证的汽车存储器产品的一部分.     

Ramtron宣布推出2兆位串口非易失性F-RAM存储器

低功耗铁电存储器（F-RAM）和集成半导体产品开发商及供应商Ramtron International Corporation（简称Ramtron）宣布推出2兆位（Mb）高性能串口F—RAM器件FM25V20。     

Ramtron推出1兆位串行F-RAM存储器

Ramtron公司推出新型F-RAM系列中的首款产品FM25V10,具有高速读/写性能、低电压工作和可选器件的特性。FM25V10特点是快速访问、无延迟写入、1E14     

Ramtron推出首款2兆位串行F-RAM存储器

Ramtron International Corporation日前推出业界首款2兆位串行F-RAM存储器FM25H20,它采用130nmCMOS工艺生产,是高密度的非易失性F-RAM存储器,以低功耗操作,并备有高速串行外设接口。该3V、2Mb串行F-RAM器件以最大的总线速度写入,具有几乎无限的耐用性,通过微型封装提供更大的数据采集能力,使系统设计人员能够在计量和打印机等高级应用中减少成本和板卡空间。     

Ramtron推出首款带有整合F-RAM内存的事件数据记录器

Ramtron宣布推出半导体业界首款基于F-RAM的事件数据记录器(Event Data Recorder,EDR)--FM6124,这是一款整合式的事件监     

Ramtron提供64Kbit串口F-RAM存储器样片

Ramtron宣布,现已在IBM的新生产线上广泛制造其最新铁电随机存取存储器（F-RAM）产品的样片。该新产品FM24C64C是65千位（Kb）、5V串口F-RAM器件,以总线速率运行且无写入延迟,并支持高达1万亿次（1e12）的读/写循环,这相比同等EEPROM器件高出100万倍。     

Ramtron扩展其F-RAM存储器产品

Ramtron FM24CL6464Kb串行F-RAM已通过认证,扩展了其符合AEC-Q100标准要求的F-RAM存储器产品,可在-40℃～＋85℃的Grade3汽车温度范围内使用。FM24CL64已设计用于高级汽车音频平台,其中F-RAM用于快速频繁地记录动态数据,并保持数据的完整性,即使突然发生掉电时亦可保存数据。FM24CL64具有无延迟写入能力、几乎无限的耐用性及低工作电流,     

FM W系列：F－RAM存储器

Ramtron Intemational Corporation推出W系列F-RAM存储器,W系列器件带有串口I 2C、SPI接口和并行接口,能够提供从2．7V～5．5V的更宽电压范围。W系列具有更高的性能,如有功电流和串口器件的首次存取启动（上电初始化）速度加快。该系列中FM24W256和FM25W256器件分别带有256．kbit串口I2 C与和SPI接口。     

存储

ST推出便携设备用五大功能记忆卡接口；Maxim推出SRAM控制器DS3605；Ramtron推出4Kb F-RAM存储器FM25L04-GA。[第一段]     

汽车电子

Maxim推出汽车触点监视器和电平转换器HAX13037/MAX13038;凌力尔特推出RS422／RS485收发器LTC285xH系列;Ramtron推出F-RAM存储器FM25040A-GA;     

Ramtron第一批以IBM新生产线制造的F-RAM芯片样品开始出货

低功耗铁电内存（F-RAM）和整合半导体产品开发商及供货商Ramtron宣布．开始提供以IBM公司新生产在线制造的首批先期验证（prequalification）铁电内存（F—RAM）之芯片样品。FM24C04C和FM24C16C是位密度分别为4kbit和16kbit的串行5VF-RAM产品,这些器件可为电子系统提供高性能的非挥发性数据收集和储存解决方案。Ramtron的F-RAM产品具有非挥发性RAM内存的性能、无延迟（NoDelay？）写入、高读／写耐用性及低功耗特性。     

Ramtron增强管理团队

2011年4月20日,世界领先的低功耗铁电存储器(F-RAM)和集成半导体产品开发及供应商Ramtron International Corporation(简称Ramtron)宣布,任命萧颖担任客户满意度部门副总裁。在此新设立的职位上,萧颖负责Ramtron公司的