低损耗红外传输Ge30As10Se30Te30玻璃光纤的制造

利用改进的纯化技术和工艺技术制造Ｇｅ３０Ａｓ１０Ｓｅ３０Ｔｅ３０玻璃光纤，所制得的光纤在６．６μｍ波长的最低损耗达０．１１ｄＢ／ｍ。这是所报道的红外区任何碲（Ｔｅ）玻璃光纤的最低损耗。此外，这种光纤在５．２５￣９．５μｍ的损耗小于１ｄＢ／ｍ。     

碲基硫系长波红外传输光纤的研究进展

碲基硫系光纤在2~16μm光谱范围具有优异的透射性能。近年来,它们作为长波红外传输介质备受关注。回顾了碲基硫系光纤的研究历史和现状,分析总结了用双坩埚法、棒管法、堆积挤出法和复合材料棒管挤出法制备碲基硫系光纤的特点,并对碲基硫系光纤的发展前景进行了展望。     

三元硅化物（CoxNi1—x）Si2薄膜的制备及特性

在Ｓｉ（１００）衬底上用离子束溅射方法淀积Ｎｉ,Ｃｏ,Ｔｉ薄膜,形成Ｃｏ／Ｎｉ／Ｓｉ,Ｎｉ／Ｃｏ／Ｓｉ和Ｃｏ／Ｎｉ／Ｓｉ等结构,通过氮气中快速热退火反应生成三元硅化物（ＣｏｘＮｉ１－ｘ）Ｓｉ２。用ＡＥＳ,ＸＲＤ,ＲＢＳ沟道谱,ＳＥＭ及四探针等方法（ＣｏｘＮｉ１－ｘ）Ｓｉ２薄膜的物理特性和电学特性进行了测试,在Ｓｉ衬底上Ｃｏ,Ｎｉ多层膜经快速热退火可形成高电导的（ＣｏｘＮｉ１－ｘ）Ｓｉ２薄膜,其电阻     

（Bi4—x,Lax）Ti3O12粉体的溶胶—凝胶制备技术研究

采用溶胶－凝胶（Sol-Gel）技术,以硝酸铋、硝酸镧和钛酸丁酯为原料,制备了掺镧钛酸铋（Bi3.6,La0.4）Ti3O12（简记为BLT）粉体。利用DTA、XRD以及激光光散射粒度分析等手段分析了粉体的固相反应、结构和颗粒度,结果表明,BLT初始粉体在730℃左右发生固相反应,生成BLT颗粒;730℃以下烧结的粉体为含立方（Bi,La)12TiO20相和正交（Bi3.6,La0.4）Ti3O12相的混合物,平均颗粒度为60nm左右;730℃以上烧结的粉体为完全正交结构的BLT多晶颗粒体,平均颗粒度约为500nm;利用Sol-Gel技术,可以制备纳米级、分散良好、分布一致的BLT粉体,这对BLT新型压电陶瓷的制备具有重要意义。