铁电薄膜平均极化性质的研究

应用Ginzburg-Landau-Devonshire(G-L-D)理论,研究由两种铁电材料组成的铁电双层膜系统的极化性质.通过引入的两个参量:参量α(描述铁电双层膜系统中两种铁电体的物理性能差异)和参量γ(描述铁电双层膜系统两种铁电体相变温度的差异),研究了不同的表面过渡层和双层膜系统厚度的条件下,铁电双层膜系统平均极化随这两个参量的变化情况.研究表明:参量α增大时,铁电双层膜系统的平均极化随之增大.当α取固定值时,平均极化随双层膜厚度L、表面自由能随位置变化的速度λ增大而增大;随着表面过渡层厚度Ls的增大而减小.参量γ增大时,铁电双层膜系统的平均极化减小.当参量γ取固定值时,平均极化随着表面过渡层厚度Ls的增大而减小;随着参量α、双层膜厚度L、表面自由能随位置变化的速度λ的增大而增大.     

铁电薄膜渐增式脉冲极化系统

为了改善加热直流电压极化以及等幅脉冲电压极化两种极化方法的不足,提出了渐增式脉冲极化方法.阐述了该方法的原理并组建了系统,整个系统由计算机、数模转换卡、功率放大器和极化探针台等组成.详细介绍了脉冲宽度和幅值的控制方法,解决了Windows系统下窄脉冲的精确定时问题.制备了PT薄膜样品,并在系统上进行了样品极化实验.结果表明,该方法的极化效率在与等幅式脉冲极化持平时,可将样品击穿率降低20%.     

人工复合铁电薄膜的相变性质研究

建立3层铁电复合薄膜的理论模型,在G inzburg-Landau-Devonsh ire（GLD）唯象理论的框架下,引入局域分布函数描述不同材料间过渡层的性质,重点研究具有不同相变温度的铁电材料复合而成的铁电薄膜的相变性质.通过改变3种不同铁电材料的相变温度,计算复合铁电薄膜内部的极化强度分布和相变温度.研究表明：3种铁电材料相变温度的梯度变化导致了复合薄膜内部极化分布的梯度变化;在未达到薄膜的相变温度前,薄膜的平均极化强度的一阶导数出现了一个突降,造成了平均极化强度的极大降低;不同材料间过渡层厚度对薄     

局域畸变结构对铁电薄膜极化性质的影响

引入描述薄膜内部极化强度的分布函数,采用GLD（Ginzburg-Landau-Devonshire）唯象理论,研究非铁电性局域畸变结构对铁电薄膜极化性质的影响.研究结果表明,非铁电性局域畸变结构的存在降低了铁电薄膜的极化强度和相变温度,并破坏了极化强度在薄膜内部的均匀分布.薄膜内部局域畸变结构厚度的增加及铁电性结构区域至非铁电性结构区域过渡层厚度的增加,都会导致薄膜极化强度的降低.     

自由边界条件下的温度梯度铁电薄膜的极化性质研究

在平均场近似下,采用横场Ising模型研究自由边界条件下的温度梯度铁电薄膜的极化性质.当温度梯度铁电薄膜采用自由边界条件时,薄膜受热导致晶格沿极化方向膨胀使得赝自旋相互作用系数发生变化,因此,赝自旋相互作用系数应作为坐标的函数.研究表明:考虑赝自旋相互作用系数的变化后,温度梯度铁电薄膜的极化强度和相变温度都较不考虑赝自旋相互作用系数变化的情况有所增加.薄膜始末两赝自旋层的温度比以及薄膜固定端的温度是影响温度梯度铁电薄膜极化性质的两个重要因素.     

铁电薄膜及其制备技术

具有铁电性且厚度尺寸为数十内米到数微米的铁电薄膜具有良好的压电性、热释电性、电光及非线性光学特性，在微电子学、光电子学、集成光学和微电子机械系统等领域有着广泛的应用前景，是目前国际上新型功能材料研究的热点之一。通过综述铁电薄膜及制备技术研究的新进展，给大空介绍铁电薄膜材料的基本特征、性能及应用、并重点分析铁电薄膜主要制备技术的优缺点，指出了目前铁电薄膜及其制备技术研究需要重点解决的一些问题。     

薄膜厚度对铁电薄膜铁电性能的影响

为研究薄膜厚度对外延铁电薄膜铁电性能的影响,应用与时间有关的Ginzburg-Landau方程,在同时考虑应力和表面效应的条件下,获得了不同应力情况下,不同厚度铁电薄膜的电滞回线及蝶形应变迟滞回线.计算结果显示,处于不同应力值下的铁电薄膜,剩余极化强度和场致应变随着薄膜厚度的增加而增加.而矫顽场随着薄膜厚度的增加而减小.证明了不同应力情况下,薄膜厚度对剩余极化强度和矫顽场的影响是不能忽略的.这种变化趋势与实验结果的情况是一致的.     

铈掺杂钛酸铋陶瓷铁电与介电性质研究

采用固相烧结工艺制备了铈(Ce)元素掺杂钛酸铋(Bi4Ti3O12)材料构成Bi4Ti3-xCexO12(x=0,0.015,0.03,0.06)铁电陶瓷材料并研究其介电以及铁电性质.晶格常数随着掺杂浓度的变化,意味着Ce4+/Ce3+对A位和B位的掺杂,明显提高了钛酸铋铁电陶瓷剩余极化强度,并且Bi4Ti3-xCexO12铁电陶瓷的介电损耗随温度的变化比一般的B位等电价离子取代的情形更加平缓.     

PVDF薄膜的极化及其电性能研究

利用傅里叶红外光谱(FTIR)、示差扫描量热分析(DSC)、电滞回线和漏电流的分析,研究热极化和电晕极化对PVDF薄膜电性能的影响。结果表明,热极化和电晕极化都可以提高PVDF薄膜的铁电性能,但是不同的极化温度、极化电场强度和极化时间使得PVDF薄膜具有不同的漏电流性能。在强电场作用下,热极化的温度更高,时间更长,偶极电荷的沿电场取向更完全,α晶型向β晶型的转变更彻底,因此剩余极化值、结晶度和β晶型的含量均高于电晕极化后的薄膜。热极化中注入的空间电荷主要被PVDF的深阱俘获;而电晕极化过程中大量的空间电荷被聚合物材料的浅阱俘获。浅阱俘获的空间电荷稳定性要弱于深阱中的电荷,因此电晕极化的PVDF薄膜的漏电流需要更长的稳定时间。     

铁电存储器及研究进展

铁电薄膜与半导体集成技术相结合而发展起来的铁电存储器,以其高密度、高速度、非挥发性以及抗辐射性而大大优于目前任何一种半导体存储器.本文介绍了铁电存储器的存储原理、特点、基本结构、研究进展、应用及存在的问题等.     

界面对PZT铁电薄膜性能的影响

利用射频溅射工艺,在低阻硅p-Si(111)基片上分别制备Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)和PZT/LaN iO3(LNO)薄膜,样品在大气中进行650℃/15 min后热退火处理.用X射线衍射仪(XRD)、原子力显微镜(AFM)等手段分析不同衬底与PZT薄膜之间的界面对薄膜微观结构和铁电性能的影响,实验结果分析表明,即使溅射工艺相同,在p-Si和LNO/p-Si上外延生长的PZT薄膜结晶取向、晶颗大小和表面平整度存在很大差异,薄膜与底电极间的界面明显地影响PZT薄膜的微观结构和铁电性能.     

Study on Property of Desensitized Explosive Film

The mechanical sensitivity, the critical thickness of detonation wave propagation and detonation velocity of desensitized PETN film were studied by experiments. The relationship between the mass of desensitizer paraffin wax and the friction sensitivity of desensitized PETN film was tested. According to the microstructure of film, the function of desensitizer was explained. It was proved that the explosive film could make explosive element micromation and kept its inherence properties by the result of testing the propagating critical dimension of the desensitized PETN film detonation wave. The explosive velocity of confined desensitized PETN film was tested by the multiplex optical fibre.     

PLCT薄膜的结晶性能研究

采用Sol-Gel法制备了（Po0.9-xLa0.1Cax)Ti0.975O3( 简写为PLCT100x)铁电薄膜。利用Siemens D5005型号X射线衍射仪分析了PLCT（x)薄膜的结晶特性，总结出全钙钛矿相的PLCT铁电薄膜的退火工艺。用AFM测试了PLCT（100x)薄膜的表面，发现用Sol-Gel方法制备的薄膜相当平整。     

铁电薄膜材料及集成铁电器件的相关问题

铁电薄膜材料及集成铁电器件自20世纪90年代以来一直受到人们的关注，就目前该领域研究中的几个基础问题，如生长动力学、特性退变、异质结界面以及如何进一步发展铁电薄膜和集成铁电器件等提出了见解。     

升膜蒸发器内的两相流传热研究：—环状流的传热膜系数的相关

在升膜蒸发器内,以软化水为介质测定不同加热量、不同水量的气液两相流传热膜系数,分析影响传热膜系数的诸因素及变化关系;就升膜蒸发器内的最佳流型的环状流进行了传热膜系数的回归,得出实验条件下的传热膜系数的关联式,实测值与关联式的计算值相关良好.     

金属有机物热分解法制备锆钛酸铅薄膜研究

采用金属有机物热分解（ＭＯＤ）法，通过对原料的提纯和合成工艺的优化，消除原料中的微量杂质，控制环境温度，从而获得了透明、稳定的锆钦酸铅先体溶液．锆铁酸铅先体溶液经过多次成膜，在Ｐｔ／ＳｉＯ２／Ｓｉ基片上制备出厚度为０．６ｕｍ，均匀、无裂纹、无针孔的薄膜．经５５０℃保温处理后，得到假立方晶系的钙钦矿结构的薄膜．借助扫描电镜形貌分析表明，其晶粒大小约为２～３μｍ．     

铁电薄膜及其制备技术

具有铁电性且厚度尺寸为数十纳米到数微米的铁电薄膜具有良好的压电性、热释电性、电光及非线性光学特性 ,在微电子学、光电子学、集成光学和微电子机械系统等领域有着广泛的应用前景 ,是目前国际上新型功能材料研究的热点之一。通过综述铁电薄膜及其制备技术研究的新进展 ,给大家介绍铁电薄膜材料的基本特征、性能及应用 ,并重点分析铁电薄膜主要制备技术的优缺点 ,指出了目前铁电薄膜及其制备技术研究需要重点解决的一些问题。