非晶硅太阳电池的原理

非晶硅太阳电池是２０世纪７０年代中期发展起来的一种新型薄膜太阳电池，与其他太阳电池相比，非晶硅电池具有以下突出特点：（１）制作工艺简单，在制备非晶硅薄膜的同时就能制作pin结构。（２）可连续、大面积、自动化批量生产。（３）非晶硅太阳电池的衬底材料可以是玻璃、不锈钢等，因而成本小。（４）可以设计成各种形式，利用集成型结构，可获得更高的输出电压和光电转换效率。（５）薄膜材料是用硅烷（SiH４）等的辉光放电分解得到的，原材料价格低。１非晶硅太阳电池的结构、原理及制备方法非晶硅太阳电池是以玻璃、不锈钢及特种…     

太阳电池组件封装技术的探讨

近年来.我国太阳电池组件的生产量以非常惊人的速度增长,使相关技术的研究与开发显得越来越重要.主要阐述太阳电池组件的封装技术.包括封装工艺流程、工序控制、封装材料和设备的选用等方面,并重点讨论了封装工艺中的一些关键技术问题.     

太阳电池组件封装工艺研究

分析了太阳电池组件三种封装工艺的优缺点,并对自行研制的紫外固化胶的装胶黏度及透光率进行了测试,获得了基本适合于透明光伏组件紫外固化封装要求的紫外固化封装胶。     

非晶硅太阳电池中的非欧姆夹层

a-Si pin太阳电池暗态下存在一种串联电阻效应,并呈非线性特性。由于它的存在,使暗态电流对数值与电压之间明显偏离线性关系。该非线性电阻在高正向电压下趋于饱和,呈现集总电阻效应。从不同光强下电池串联电阻R_s和短路电流I_(sc)关系推算出的接触电阻值与上述非线性电阻的饱和值相符甚好,说明此电阻效应可能与接触特性有关。 计入非线性电阻后标出的暗态二极管参数(品质因子n、反向饱和电流I_o)与光态二极管参数(n_L、I_(oL))非常接近,在一定程度上由暗态I—V特性算出的V_(oc)与实测值一致性很好。因此认为,可由暗态I—V特性评估电池性能。     

非晶太阳电池发展现状

概况自1970年世界上第一个非晶硅(以下写为a-Si)太阳电池试制成功以来,1982年首次由RCA实验室宣布a-Si电池的光电转换效率达到10％。这是非晶硅电池研究成果第一个里程碑。到1986年至少有18个研究单位的单结a-Si电池效率超过10％。在1989年3月以前,日本同时有四个部门的单结a-Si电池效率达到12％,     

浅析非晶硅太阳电池优势及其在路灯上的应用

从年发电量、能量回收期和应用范围三大方面分析非晶硅太阳电池相对于晶体硅太阳电池的优势,并对非晶硅太阳电池较晶体硅太阳电池年发电量多的原因进行了分析。最后提出在太阳能路灯中采用非晶硅-晶体硅复合光伏组件供电方式,可降低太阳能路灯光伏组件的功率配置,减小蓄电池容量配置和放电深度,缩短欠压后恢复期,延长蓄电池的使用寿命。     

5Kw非晶硅电池太阳能电站

哈尔滨-克罗拉太阳能电力公司与黑龙江省微波总站协作,在黑龙江省绥化市长发乡微波中继站建成了非晶硅太阳电池供电系统,总功率为5kw,自1990年6月运行以来,工作状况良好,性能稳定可靠,达到了微波机要求的主要供电技术指标。它是我国已经建     

封装材料对太阳电池组件输出影响的初步研究

多晶硅太阳电池封装后输出通常会增大.同一种封装方法中用不同厂家的封装材料,例如玻璃、EVA和TPT对封装后的组件输出增大值不同.本文报道了进口的和国产的封装材料对封装后组件性能的影响.我们的研究结论是使用进口的封装材料封装的组件性能好于国产的.     

薄膜非晶硅/微晶硅叠层太阳电池的研究

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF—PECVD)技术制备非晶硅顶电池，采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF—PECVD)技术制备微晶硅底电池，初步优化研究了薄膜非晶硅／微晶硅叠层太阳电池顶电池与底电池的本征吸收层厚度匹配与电池电流匹配，以及氧化锌／金属复合背反射电极对电池的作用。研制出了面积为1．0cm^2效率达9．83％的薄膜非晶硅／微晶硅叠层太阳电池。     

电致发光技术在非晶硅组件量产中的应用

本文基于电致发光（EL）的原理,利用红外检测的方法,检测出非晶硅电池中存在的隐性缺陷,如漏电及电阻不均等。实验表明．EL检测在非晶硅薄膜电池与晶体硅电池中存在较大差别,非晶硅EL图像中的暗斑多由漏电引起,大量暗斑使组件的功率大幅下降;非晶硅EL图像中没有晶体硅EL图像中的断栅、隐裂等现象;非晶硅EL图像要求更高清晰度和细节显示。针对这些差别,应在薄膜电池EL检测应用中优化EL检测设备。     

聚光光伏组件的中空玻璃封装技术研究

介绍一种利用中空玻璃技术进行聚光光伏(CPV)组件封装的新技术,并就这种封装技术与目前CPV组件常用的铝合金边框封装技术进行比较和分析。分析结果表明:采用中空玻璃封装技术能在确保CPV组件性能和寿命的条件下,快速实现CPV组件的规模化生产,从而有效地降低组件成本。     

非晶硅薄膜电池组件的接地设计

非晶硅薄膜电池的负极接地设计在光伏系统的设计中很重要。根据非晶硅薄膜电池的特点,从漏电流和透明导电氧化物(TCO)腐蚀等方面,分析了非晶硅薄膜电池负极接地的主要原因,着重讨论了非晶硅薄膜电池负极接地的接地点选择、接地方式选择和对逆变器的要求等不同的设计方案。建议将接地点选择在逆变器的负极位置,最好采用带工频隔离变压器的逆变器或带高频变压器的逆变器。     

非晶硅太阳电池的衰减

自1976年研制成功第一个非晶硅太阳电池以来,经过15年的发展,全世界非晶硅太阳电池年产量已达15MW,约占整个光伏产品的1/3,成为太阳电池的主导产品。人们发现,非晶硅太阳电池在运行中随着时间的增长,輸山功率有一定程度的衰减。这一问题是非晶硅太阳电池推广应用的主要障碍,各国科学家为了解决这个难题进行了大量研究.所谓性能衰减,实际上包括两个方面内容:一是光致效应(S-W效应)引起