光调制直接重写磁光多层膜的制备及其性能研究

本文研究了光调制直接重写磁光多层膜的制备及其磁与磁光特性。成功研制了满足光调制直接重写要求的不同居里温度的磁光存储介质。     

光调制直接重写磁光多层膜的制备及其性能研究

本文研究了光调制直接重写磁光多层膜的制备及其磁与磁光特性。成功研制了满足光调制直接重写要求的不同居里温度的磁光存储介质。     

光调制直接重写磁光多层膜测试方法研究

为了测试光调制直接重写磁光多层膜的磁光性能 ,试制了磁光多层膜光调制直接重写特性测试系统。磁光信号检测采用改进差动式检测 ,检测方式仅与磁光克尔角大小有关 ,可以用来作样品的克尔角指示。同时 ,该检测方式由于不受激光功率和盘片反射率变化的影响 ,对光电探测器的温漂特性也有良好抑制作用 ,更适合静态实验的需求 ,可以较好地测试光调制直接重写磁光多层膜的磁光性能。     

磁光直接重写技术原理分析

讨论了磁光记录直接重写技术的两种主要机理，即磁场调制直接重写和光强调制直接重写，分析了它闪的优缺点。并对多层膜交换耦合原理及其在光强调制直接重写中各层的作用进行了详细讨论。光强调制技术具有更多方面的优越性，它将是未来提高磁光数据传输率的主要研究方向。     

光调制直接重写磁光双层耦合膜磁基本特性的一种解耦方法

采用FFT方法对光调制直接重写磁光双层耦合膜的磁基本特性进行解耦,得到各单层薄膜在耦合状态下的特性,并用于分析计算磁光双层耦合膜之间的层间耦合能。     

光调制直接重写磁光双层耦合膜磁基本特性的一种解耦方法

采用ＦＦＴ方法对光调制直接重写磁光双层耦合膜的磁基本特性进行解耦,得到各单层薄膜在耦合状态下的特性,并用于分析计算磁光双层耦合膜之间的层间耦合能σω。     

磁光记录薄膜温度特性测量方法研究

光调制直接重写磁光盘为多层耦合膜,要求各功能层厚度很小,同时饱和磁化强度从很低,用一般的VSM测量系统的测定各功能层的Ms及其与温度的关系比较困难。我们采用了多种技术,包括隔震技术、仪器参数综合优化和误差分析等方法,提高了VSM测量灵敏度,成功测出了磁光记录薄膜各功能层的温度特性及其居里温度,取得了很好的效果。     

磁光记录薄膜温度特性测量方法研究

光调制直接重写磁光盘为多层耦合膜,要求各功能厚度很小,同时饱和磁化强度ＭＳ很低,用一般的ＶＳＭ测量系统的测定各功能层的ＭＳ及其与的比较困难。我们采用一多种技术,包括隔震技术、仪器参数综合优化和误差分析等方法,提高了ＶＳＭ测量灵敏度,成功同了磁光记录薄膜各功能层的温度特性及其居里温度,取得了很好的效果。     

针对玻璃基片石英试杆影响的磁光薄膜磁性参数的估算方法

对于直接重写磁光记录薄膜的磁性测量,实际测得的磁滞回线是磁光薄膜与玻璃基片和石英试杆共同作用的结果,不能由此图直接确定基本的磁性参数。根据磁光薄膜的曲线和玻璃基片与石英试杆的曲线之间的特点,提出一种简单有效的方法快速直接确定基本的磁性参数。     

具有非磁性中间层的RE-TM双层垂直磁化膜耦合研究

研究了光调制直接重写磁光记录介质中存储层（TbFeCo）和写入层（DyFeCo）中加入TiN非磁性层后的耦合性能。当 TiN层为 3～21A,存储层和写入层层间交换耦合能密度为 0.2～0.3 erg/cm2,如果能精确控制 TiN的厚度,就可以控制层间耦合能,从而改善MO薄膜的读写特性。