InSb/GaAs半导体界面结构研究

本文通过对ＩｎＳｂ／ＧａＡｓ半导体界面实验高分辨原子像的计算机定量分析得到了界面位错区附近的晶格点畸变位移分布，基于该实验结果中文提出了ＩｎＳｂ／ＧａＡｓ半导体界面的结构互平衡界面结构模型，该界面模型合理地解释了界面位错的起因及ＩｎＳｂ薄膜在ＧａＡｓ基体上升延生长过程中的物理现象，计算机模拟的界面电子衍射谱和高分辨原子像与实验结果的一致性符合验证的所建立的界面模型的正确性。     

InSb／GaAs界面的高分辨电镜研究

InSb因具有高的迁移率,长的电子平均自由程及窄的带隙而受到重视。如能在与它有大错配度的GaAs衬底上外延生长出缺陷少的高质量薄膜,可望在光电器件上得到应用。在GaAs(001)面上长出同取向的InSb,其错配度高达14.6%,只能进行半共格生长。分子束外延法已能成功地制备出高质量的InSb膜,其中缺陷随膜厚增加而明显减少。图1a是半导体所用分子束外延法在GaAs衬底上长出的InSb膜沿〈110〉取向的复合电子衍射图。一对斑     

分子束延GaAs1—xSbx／GaAs及界面失配研究

本文以开发长波长半导体光电子材料为目的，对ＧａＡｓ１－ｘＳｂｘ／ＧａＡｓ这一大失配质结材料开展了较为深入的研究，利用国产ＭＢＥＩＩＩ型设备外延生长了全组分的ＧａＡｓ１－ｘＳｂｘ材料，化学热力学数据分析表明Ｓｂ结合到ＧａＡｓＳｂ中的速率比Ａｓ高得多，实验表明，合金组分可由Ｓｂ／Ｇａ束流比控制，也发现Ｓｂ束流的支配使用随温度升高而降低，利用ＴＥＭ和ＲＢＳ技术研究了异质结界面及外延层的晶体质量，实验表明     

精确测定高分辨电子显微像中亮点位置的图像处理方法

本文提出了一些实用的高分辨原子像分割及定位方法。原子像分割由提取原子像的谷位网络实现。原子像亮点定位可由像素点灰度峰值检测法或局部像素点灰度平均法完成。这些方法都基于计算机图像处理技术在原子像分析中的应用。     

基于GaAs的新型稀磁半导体材料（Ga,Mn）As

介绍了一种基于GaAs的新型稀磁半导体材料（Ga,Mn）As,包括（Ga,Mn）As的制备方法、结构特性、磁性质及磁输运性质。最后,展望了(Ga,Mn）As的应用前景。     

用原子层外延选择生长法制造GaAs／GaAsP矩形量子线结构

用原子层外延选择生长法制造ＧａＡｓ／ＧａＡｓＰ矩形量子线结构１．前言为了制造半导体低维量子结构，就必须控制它的微细结构。普通方法之一是选择生长法［１，２］。这是在进行选择生长时，增大面方位的生长速度差。即必须有选择生长任意结晶面方位的晶体生长技术（面...     

透射电镜原子像的数值分析

高分辨电子显微术（HRTEM）已广泛应用于材料结构的测定，且分辨率已达到原子尺度。特别是近年来球差校正电子显微术的发展大大增加了获取各种材料结构原子像的可行性。然而，球差校正的高分辨电子显微像并未像人们期望的那样以信息分辨极限的分辨率直接反映材料结构，它们仍需要配以计算像模拟或图像处理技术才可给出可靠的结构信息。     

GaAs／GaP界面的X射线掠入射衍射分析

本文用掠入射全反射Ｘ射线衍射，结合常规Ｘ射线衍射，对ＧａＡｓ／ＧａＰ应变层界面进行了研究，给出了界面关配度、薄膜晶胞的畸变和界面弛豫等结构参数．结果表明掠入射衍射（ＧＩＤ）是测定半导体薄外延膜界面结构的有效工具．     

可达到40Gb／S的材料选择：SiGe与GaAs和InP的比较

对可达到2.5～40Gb/s数据速率的SiGe与GaAs和InP材料进行比较,还对各种材料和工艺的典型特征进行了分析。     

基于MBE的GaAlAs／GaAs分布反馈式半导体激光器的制作新工艺

利用分子束外延（ＭＢＥ）对ＧａＡＩＡｓ和ＧａＡｓ的选择性热蚀特性进行光栅上的二次外延生长，既能获得清洁的外延界面，又能精确控制光栅的形状．采用这种方法，我们在国际上首次成功地制作了完全ＭＢＥ生长的内含吸收光栅的ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ多量子阱增益耦合型分布反馈式（ＤＦＢ）半导体激光器．并实现了激光器在室温下的脉冲激射，、器件表现出了ＤＦＢ模式的单模工作特性．     

欧盟有关有害物质管理的新规定有可能使全球GaAs半导体市场趋于萎缩

欧洲化学品管理局风险评估委员会(REACH)新近出台的有关有害物质管理的一项动议,把GaAs、InP等重要化合物半导体材料列入了管制范围。这一动议一旦被接受成为法律,预计将对欧洲的化合物半导体材料以及芯片制造商带     

基于原子范数最小化的一维距离像散射中心估计

雷达高分辨距离像（HRRP）体现了目标散射中心在视线方向分布的结构特征,在雷达自动目标识别领域具有重要的应用价值。本文提出了一种基于原子范数最小化的HRRP散射中心估计方法,该方法将HRRP的频谱近似表示为多个复正弦信号的叠加。复正弦信号的幅度对应散射中心的强度,频率则对应其位置。此估计方法直接在连续的位置空间进行求解散射中心的位置与强度,无需对散射中心的位置进行离散化处理,有效的避免了基不匹配的问题。与此同时,该方法也不需要已知散射中心的数量,而且对噪声较为鲁棒。仿真数据处理结果验证了该方法的有效性。      

一种基于物理的GaAs MESFET精确的饱和电流半经验模型

MESFET物理模型是电路模拟的基础,可以帮助设计者选择最佳的器件结构.本文提出一种改进的基于物理的GaAs MESFET饱和电流模型.由此可以精确计算GaAs MESFET的饱和电流.这将使基于物理的GaAsMESFET设计更符合实际情况.     

基于Harris图像拼接的全景视频稳像算法

对于背景变换和抖动分量比较小的视频序列,传统稳像算法不能直接适用,本文提出一种基于Harris图像拼接的全景稳像算法。首先采用Prewitt算子提取出图像的边缘信息,在此基础上进行分区的Harris特征点检测;然后结合NCC（normalized cross correlation）算法与RANSAC（random sample consensus）算法实现图像间的特征点精确匹配,接着利用加权平均融合的方法进行图像融合;最后对融合后的全景图像进行剪裁,完成图像补偿,输出稳定的视频序列。实验结果表明:改进的Harris算法提高了算法效率以及正确特征点数量,并且本文稳像算法实时性较好,能够有效消除视频抖动并输出稳定的视频序列。     

基于辐射定标的像元级双增益红外图像重构

非均匀性校正精度是空间红外相机图像质量的一项重要指标,采用像元级双增益时间延迟积分(Time Delay and Integration,TDI)红外探测器得到的图像,其校正精度与图像数据重构之后的线性度直接相关.分析了红外TDI探测器像元级双增益成像时探测器输出信号的特点,在此基础上提出基于辐射定标的方法,精确得到探测器每个像元高低增益输出值之间的等量关系,确定每个像元的数据重构系数,提高重构之后的全动态范围内探测器信号的线性度,从而提高红外图像非均匀性校正精度.实验室测试数据验证结果表明,基于辐射定标的高精度线性重构方法,将红外图像的非均匀性校正精度由4.1％提高到1.2％.     

基于图像交叉分块的电子稳像算法

该文提出一种基于图像交叉分块的电子稳像算法。该算法利用相邻两帧图像间存在相同特征的性质,首先通过对图像的交叉分块提取反映图像全局信息的特征点集合,然后根据运动模型建立能量函数,使相邻帧的特征点集合达到最佳匹配,同时获取全局运动参数,最后进行运动补偿以实现稳像目的。稳健的特征点与运动模型匹配相结合,能够有效地处理存在较大旋转和偏移的序列图像。通过强噪声实验表明,该算法具有较好的鲁棒性。     

半导体ZnTe/GaAs界面层错的高分辨显微分析

本项研究对经热壁外延（ＨＷＥ）生长在ＧａＡｓ基底上的ＺｎＴｅ进行分高分辨显微结构的观察，在ＺｎＴｅ／ＧａＡｓ界面上不仅存在着混合型全位错的扩展，而且首次发现类似螺旋位错分解的层错，并将其归结为原子在不全位错之后的堆积。     

高分辨电子显微像的定量分析与应用：Ⅱ.InGaAs／GaAs应变层超？…

使用高分辨像定量分析方法和像模拟技术，对外延生长ＧａＡｓ／ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ应变层超晶格的微观组态进行了详细的分析，用像模拟验证了成像位置与结构投影的对应关系，使用像点定位及畸变测量的分析方法，获得了晶格对畸变位移分布图及畸中生长方向的分布曲线，扣除由四方畸变导致的点阵膨胀与收缩，得到了仅由Ｉｎ元素分布导致的点阵参数变化曲线，由晶格参数与Ｉｎ元素含量的线性对应关系，获得超晶格中Ｉｎ元素沿生长方向     

基于相位相关的目标图像亚像元运动参数估计

为获取亚像元级目标运动参数,提出一种基于相位相关分析的图像配准方法。首先讨论了目标局部运动和全局运动的目标参数估计问题,通过图像减影运算和模块匹配方法实现粗配准,从全景图像中分离目标信息和背景信息,计算目标中心坐标,获取像元级运动参数;然后采用相位相关图像配准方法实现精配准,利用傅里叶变换的平移特性,对产生平移的目标图像,通过求解归一化的互功率谱的傅立叶逆变换,得到二维脉冲函数,其峰值对应图像位移,由此获取亚像元级位移量。在实验室通过自准直光学系统获取光斑运动图像,使用Leica经纬仪标定光斑运动参数精度。结果表明,该方法效果显著,最大配准误差为0.156,标准差为0.091,配准精度优于1/10像元。