共查询到15条相似文献,搜索用时 62 毫秒
1.
利用动态掩膜湿法腐蚀技术,研究了HCl/HF/CrO3溶液对与InP衬底晶格匹配的InxGa1-xAs1-yPy(y=0,0.2,0.4,0.6)材料的腐蚀特性.对于HCl(36wt%)/HF(40wt%)/CrO3(10wt%)的体积比为x∶0.5∶1的溶液,随着x由0增加到1.25,相应的腐蚀液对In0.53Ga0.47As/In0.72Ga0 28As06P0.4的选择性由42.4降到1.4;通过调节腐蚀液的选择性,在In072Ga0.28As06P0.4外延层上制备出了倾角从1.35°到35.9°的各种楔形结构;当x为0.025和1.25时,相应的In0.72Ga0.28As0.6P0.4腐蚀表面的均方根粗糙度分别为1.1nm和1.6nm.还研究了溶液的组分与InxGa1-xAs1-yPy(y=0,0.2,0.4)的腐蚀速率间的关系,并对腐蚀机理进行了分析. 相似文献
2.
利用动态掩膜腐蚀技术,研究了HF/CrO3腐蚀液对各种不同组分的AlxGa1-xAs(x=0.3,0.5,0.65)的腐蚀速率及腐蚀表面形貌.随着HF(48wt%)/CrO3(33wt%)的体积比由0.01变化到0.138,相应的腐蚀液对Al0.8-Ga0.2As/Al0.3Ga0.7As的选择性由179降到8.6;通过调节腐蚀液的选择性,在Al0.3Ga0.7As外延层上制备出了倾角从0.32°到6.61°的各种斜面.当HF(48wt%)/CrO3(33wt%)的体积比为0.028时,Al组分分别为0.3、0.5和0.65时,相应的腐蚀表面的均方根粗糙度为1.8、9.1和19.3nm.另外,还分析了腐蚀机理与腐蚀表面形貌之间的关系. 相似文献
3.
利用动态掩膜腐蚀技术,研究了HF/CrO3腐蚀液对各种不同组分的AlxGa1-xAs(x=0.3,0.5,0.65)的腐蚀速率及腐蚀表面形貌.随着HF(48wt%)/CrO3(33wt%)的体积比由0.01变化到0.138,相应的腐蚀液对Al0.8-Ga0.2As/Al0.3Ga0.7As的选择性由179降到8.6;通过调节腐蚀液的选择性,在Al0.3Ga0.7As外延层上制备出了倾角从0.32°到6.61°的各种斜面.当HF(48wt%)/CrO3(33wt%)的体积比为0.028时,Al组分分别为0.3、0.5和0.65时,相应的腐蚀表面的均方根粗糙度为1.8、9.1和19.3nm.另外,还分析了腐蚀机理与腐蚀表面形貌之间的关系. 相似文献
4.
用α台阶仪和原子力显微镜(AFM)研究了不同体积比的柠檬酸(50%)/双氧水溶液对GaAs/AlxGa1-xAs系统的选择湿法腐蚀特性,对AlxGa1-xAs停止层的组分和腐蚀液体积比进行了优化.当腐蚀液体积比在1.5∶1到2∶1范围时获得了最好的选择腐蚀效果.在25℃.温度条件下,当腐蚀液体积比为1.5∶1时,对Al摩尔分数x为0.2、0.3和1的GaAs/AlxGa1-xAs系统腐蚀比分别为45、74和大于200,表面腐蚀形貌均匀平整.将这种选择腐蚀技术用于GaAsMISFET的栅槽工艺,获得了良好的阈值电压均匀性. 相似文献
5.
从理论上计算了厚度为110nm的W0.95Ni0.05金属薄膜应变条在InGaAsP/InP双异质结构中形成的应力场分布,及由应力场分布引起的折射率变化.在W0.95Ni0.05金属薄膜应变条下半导体中0.2-2μm深度范围内,由应变引起条形波导轴中央的介电常数ε相应增加2.3×10-1-2.2×10-2(2μm应变条宽)和1.2×10-1-4.1×10-2(4μm应变条宽).同时,测量了由W0.95Ni0.05金属薄膜应变条所形成的InGaAsP/InP双异质结光弹效应波导结构导波的近场光模分布.从理论计算和实验结果两方面证实了InGaAsP/InP双异质结光弹效应波导结构对侧向光具有良好的限制作用. 相似文献
6.
从理论上计算了厚度为 110 nm的 W0 .95 Ni0 .0 5 金属薄膜应变条在 In Ga As P/ In P双异质结构中形成的应力场分布 ,及由应力场分布引起的折射率变化 .在 W0 .95 Ni0 .0 5 金属薄膜应变条下半导体中 0 .2— 2μm深度范围内 ,由应变引起条形波导轴中央的介电常数 ε相应增加 2 .3× 10 - 1— 2 .2× 10 - 2 (2 μm应变条宽 )和 1.2× 10 - 1— 4.1× 10 - 2(4μm应变条宽 ) .同时 ,测量了由 W0 .95 Ni0 .0 5 金属薄膜应变条所形成的 In Ga As P/ In P双异质结光弹效应波导结构导波的近场光模分布 .从理论计算和实验结果两方面证实了 In Ga As P/ In P 相似文献
7.
Joel Barnett Jeff J. Peterson Muhammad Mustafa Hussain Seung-Chul Song Gennadi Bersuker 《集成电路应用》2006,(8):32-35
对于使用双金属栅结构的CMOS器件而言,是否能够成功的将这项工艺进行集成整合取决于工程师们对硬掩膜技术以及化学湿法刻蚀试剂的正确选择。本文比较了采用不同清洗工艺的多种成膜技术。以及基于上述技术得到的有效栅氧厚度(EOT)和其它相关电学参数的表现。 相似文献
8.
采用高分辨透射电子显微镜并结合选区电子衍射、X射线能谱仪技术研究沉积温度对BiFeO3薄膜的微观结构与化学计量比的影响。与600℃和700℃沉积的BiFeO3薄膜相比,在500℃沉积的BiFeO3薄膜表面出现了许多岛状的二次相,即Bi2O3。当沉积温度提高到600℃和700℃时,外延BiFeO3薄膜是单晶,并且与SrRuO3缓冲层匹配良好,而且没有出现位错和二次相。通过大量的EDS数据统计分析,在500℃、600℃和700℃生长的BiFeO3薄膜,它们的Bi/Fe摩尔比分别为0.798、0.906和0.870,其中,Bi元素的缺乏可能是由于500℃时析出物Bi2O3的形成和700℃时Bi的挥发所致。 相似文献
9.
脊形波导激光器中GaInP/AlGaInP选择蚀刻性的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文制作了670nmGaInP/AlGaInP应变层量子阱脊形波导激光器,为了进一步优化工艺,在普通的单量子阱材料横向结构中嵌入30-50nm的GaIlP蚀刻阻挡层,用此种材料加工而成的控长1200μm,宽64μm的氧化条激光器的阈值电流密度为340A/cm^2,采用配比为1.0:2.5的HCl:H2O深液对GaInP/AlGaIn进行湿蚀刻研究,得到了较好的选择恂刻性结果。 相似文献
10.
11.
12.
13.
文中计算了AlGaN材料在不同温度KOH水溶液中的湿法腐蚀速率,并研究了湿法化学腐蚀GaN基材料对消除干法刻蚀所引入损伤的作用。为了对比湿法化学腐蚀消除干法刻蚀损伤的效果,分别利用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和俄歇电子能谱(AES)对比Ar^+干法刻蚀后经湿法化学腐蚀处理和未经处理的表面形貌及组分,并制作了单元可见盲器件,测试其反向漏电流,发现在干法刻蚀后引入湿法化学腐蚀工艺可使器件的反向漏电流得到较大程度的减小。 相似文献
14.