AlN陶瓷的晶界缺陷

本文研究以Y2O3为烧结助划的无压烧结A1N陶瓷中，晶界第二相和气孔等晶界缺陷对然导率的影响，结果表明A1N陶瓷晶界第二相的组成主要取决于配料中的Y2O3／Al2O3比值，同时也受工艺因素的影咱，随著Y2O3加入量增多，晶界第二相含量线性增加，其分布也从三晶连接外延伸到所有晶界，晶界第二相的形成有助于把氧杂质固结在晶界外、使晶格缺陷减少，热导率提高，但含量达多合阻所A1N晶粒连通，使然平率降低，在接近完全致密的情况下，气孔率对热导率无明显的影响。     

无助剂AlN陶瓷的高压烧结制备及热导率

以碳热还原法生产的AlN粉体为原料,用国产六面顶压机,在5.0GPa,1 300～1 800℃,在无烧结助剂的情况下,高压烧结制备了AlN陶瓷.用X射线衍射、扫描电镜对高压烧结AlN陶瓷微观结构进行了表征.结果表明:经1 300℃烧结50 min制备的AlN陶瓷的相对密度达94.8%.经1 400℃烧结50min制备的AlN陶瓷的断裂模式为穿晶断裂.经1 800℃烧结50min制备的AlN陶瓷由单相多晶等轴晶粒组成,该样品的热导率达115.0W/(m·K).高压烧结制备的AlN陶瓷的晶格常数比AlN粉体的略有减小.高压烧结温度的提高和烧结时间的延长有助于提高AlN陶瓷的热导率.     

影响AIN陶瓷热导率的几个因素

本文介绍了几个影响AIN陶瓷热导率的因素,包括杂质、助烧结剂和烧结工艺等。同时介绍了几个提高热导率的相应措施,并对常压烧结和热压工艺进行了某些对比试验。     

影响氮化铝陶瓷热导率的因素及改善途径

氮化铝因具有高热导率、低介电常数、与硅相匹配的热膨胀系数及其它优良的物理特性，在新材料领域越来越引起人们的关注。本文分析了影响AlN陶瓷热导率的各种因素，提出了提高AlN热导率的方法。     

AlN陶瓷中的晶界第二相

晶界第二相是ＡＩＮ陶瓷显微结构的重要组成部分，对ＡＩＮ陶瓷的热导率有重大的影响。本工作研究了以Ｙ＿２Ｏ＿３为烧结助剂的无压烧结ＡＩＮ陶瓷中，晶界第二相的组成、含量及其分布，结果表明：晶界第二相的组成主要取决于配料中的Ｙ＿２Ｏ＿３／Ａｌ＿２Ｏ＿３比值，同时也受工艺因素影响；随着Ｙ＿２Ｏ＿３加入量增多，晶界第二相含量呈线性增加，其分布也变成从三个晶粒连接处延伸到所有晶界。还讨论了晶界第二相对热导率的影响。认为只要ＡＩＮ晶格完整无缺，ＡＩＮ相保持连通，即使存在少量的Ｙ＿４Ａｌ＿２Ｏ＿９和／或Ｙ＿２Ｏ＿３第二相材料，预期仍可获得高的热导率。     

A1N陶瓷的晶界缺陷

本文研究以Ｙ２Ｏ３为烧结助剂的无压烧结Ａ１Ｎ陶瓷中，晶界第二相和气孔等晶界缺陷对热导率的影响。结果表明，Ａ１Ｎ陶瓷晶界第二相的组成主要取决于配料中的Ｙ２Ｏ３／Ａｌ２Ｏ３比值，同时也受工艺因素影响，随着Ｙ２Ｏ３加入量增多，晶界第二相含量线性增加，其分布也从三晶连接外延伸到所有晶界。     

A1N陶瓷的晶界缺陷

本文研究以Ｙ２Ｏ３为烧结助剂的无压烧结Ａ１Ｎ陶瓷中，晶界第二相和气孔等晶界缺陷对热导率的影响，结果表明Ａ１Ｎ陶瓷晶界第二相的组成主要取决于配料中的Ｙ２Ｏ３／Ａｌｋ２Ｏ３比值，同时也受工艺因素的影响。     

A1N陶瓷中的晶格缺陷

用透射电镜观察不同热导率的Ａ１Ｎ陶瓷中存在的晶格缺陷。Ａ１Ｎ陶瓷中的晶格缺陷主要以位错线形式呈现，分布不均匀，大多集中在晶界处，一些晶粒中存在反相畴界。热导率不同的试样其缺陷密度明显不同。氧杂质进入Ａ１Ｎ晶格并形成铝空位是产生晶格缺陷的主要原因，也对晶格参数有显著影响。     

高热导率(≥200W/m@K)AIN陶瓷的制备

目前,散热问题已成为电子器件的发展技术关键之一,因而选用热导率高且安全无污染的陶瓷材料成为电子器件发展的主要方向,本实验主要介绍了采用优质AIN粉体经热压烧结的方法,获得了高热导率（≥200W/m.K)且介电性能良好的AIN陶瓷的制备工艺与配方。     

AlN陶瓷烧结技术研究进展

氮化铝(AlN)因其具有高热导率,作为基片材料在电子元器件中得到日益重视.本文主要论述了氮化铝陶瓷制备过程中各种烧结参数,包括烧结助剂、烧结气氛、保温时间、常压烧结、热压烧结、微波烧结和等离子烧结等对氮化铝陶瓷性能的影响.并指出可通过合适的AlN粉体制备技术,结合快速烧结方法可得到具有晶粒细小、结构均匀、高致密度和高导热率的AlN陶瓷.     

AlN陶瓷的介电性能

着重探讨了ＡｌＮ陶瓷的极化机理,应用基本的电介质物理理论,结合ＡｌＮ陶瓷的组成特点,研究了ＡｌＮ陶瓷介电性能随测量温度、测量频率变化而变化的温度特性和频率特性,结果表明：ＡｌＮ陶瓷的主要极化机理及空间电荷极化;经典的极化理论适用于ＡｌＮ陶瓷;ＡｌＮ陶瓷因介电性能较好,导热率较高崦有望成为比Ａｌ２Ｏ３陶瘊性能更加优良的基板材料。     

A1N陶瓷中的晶格缺陷

用透射电镜观察了不同热导率的Ａ１Ｎ陶瓷中存在的晶格缺陷，这类缺陷主要以位错线形式呈现，分布不均匀，大多集中在晶界处。一些晶粒中存在反相畴界。热导率不同的试样其缺陷密度明显不同，氧杂质进入Ａ１Ｎ晶格并形成铝空位是产生晶格缺陷的主要原因，也对晶格参数有显著影响。分析了抑制晶格缺陷形成、提高热导率的工艺措施。     

烧结助剂对AlN陶瓷制备及性能的影响

用三组烧结助剂[多壁碳纳米管(multi-wall carbonnanotube,MWNT)、Y2O3-CaF2及MWNT-Y2O3-CaF2]在1600℃低温烧结AlN陶瓷,测试AlN陶瓷烧结密度、热性能和电性能,分析其物相变化和微观结构。结果表明:外添加剂在低温能明显促进AlN陶瓷致密化及晶粒生长发育,并且用合适的埋粉和保护气氛可以防止AlN陶瓷在烧结过程中发生氧化,其中添加质量分数(下同)1%MWNT-3%Y2O3-2%CaF2作烧结助剂,于1600℃保温4h可以制备相对体积密度为97.2%,热导率为138.57W/(m·K),同时具有较低相对相对介电常数的AlN陶瓷,即在低温无压条件下制备性能较高的AlN陶瓷。     

氮化铝陶瓷的研究与应用

氮化铝（ＡｌＮ）因具有高热导率,低介电常数、与硅相匹配的热膨胀率系数及其他优良的物理选场生在新领域越来越引起人们的关注,本文主要介绍分析了ＡｌＮ粉体合成、烧结技术、应用基础理论研究的最新动态和进展,以及ＡｌＮ陶瓷的应用领域与前景。     

AlN陶瓷的烧结致密化与导热性能

氮化铝陶瓷具有高热导率、低介电常数、与硅相匹配的热膨胀系数等优良特性,应用领域非常广泛。对A l N粉体的合成、烧结工艺、助烧结剂及其应用等方面进行了介绍,并对A l N未来的发展趋势进行了展望。     

氮化铝的室温热导率

本文导出了氮化铝室温热导率的一般表达式，对提高氮化铝陶瓷材料室温热导率的途径作了讨论。     

多孔陶瓷热导率的影响因素及其有效热导率的数值计算方法

多孔陶瓷因具有孔隙率高、体积密度小、比表面积大等独特的表面物理特性而被广泛应用于保温材料、炉膛材料、热障涂层材料、高温烟气过滤材料等,研究多孔陶瓷导热机制并给出其有效热导率的计算方法既是重点又是难点。本文总结了国内外研究的多孔陶瓷热导率的影响因素,概述了多孔陶瓷有效热导率的计算方法,并重点分析了不同显微结构的不同计算方法。针对不同的应用领域对材料热导率的不同要求,提出通过控制显微结构控制热导率是今后多孔陶瓷热导率研究得发展趋势。