氧化膜玻璃浸润性测量方法的探讨

通过计算和实验首次探讨了异材浸润性的两个评价指标浸润角与铺展面积之间的关系，弄清了滴座实验方法与辅展实验方法的适用范围在此基础上提出测量浸润角θ＜４５℃的氧化膜与玻璃之间的浸润时应采用铺展实验方法。     

电真空器件玻璃加工中变频器的应用

在电真空玻璃器件加工过程中，针对玻璃车床机械式无级调速器发生故障后不易修复等问题，采用变频调速器对其进行就频改造，取得明显效果。     

电真空器件玻璃封接工艺研究

总结了电真空器件玻璃封接实践中所遇到的气密性、强度及稳定性的一系列问题,包括玻璃与可伐封接的气泡、封接颜色异常、贴边尺寸超差现象和玻璃与玻璃封接的失透、雾化等现象。通过工作中的工艺实践结合相关资料,运用多种现代科技手段对其形成原因进行了一定探究。对提高玻璃封接质量和可靠性进行了有益的尝试,形成了此类玻璃封接问题具体的操作工艺解决方法。通过实施这些方法,提高了玻璃封接件的可靠性,保障了科研生产工作的顺利进行。     

MPCVD金刚石膜沉积技术及金刚石膜材料在微波电真空器件中的应用

金刚石膜是一种集众多优异性能于一身的新材料,尤其是其热导率高、绝缘性能好以及微波介电损耗低等特点,使金刚石膜在微波电真空器件领域有着重要的应用前景。目前,以微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）方法制备高品质金刚石膜的技术已趋向成熟。本文将针对微波电真空器件这一应用背景,简要介绍国内外高品质金刚石膜MPCVD沉积技术的发展现状,进而对金刚石膜材料应用于微波电真空器件领域的一些典型实例进行简单的介绍。     

铝的结晶复合阳极氧化膜Ⅰ．水合氧化膜存在下的阳极氧化膜的形成

铝箔先与热水反应，再进行阳极氧化，可形成结晶复合阳极氧化膜。介绍这种膜的形成机理以及膜的结构。这种膜适用于制造中、高压铝电解电容器     

高压铝阳极氧化膜形成技术

本利用俄歇电子能谱仪（ＡＥＳ）研究了高压铝阳极氧化膜不同深度的氧铝比,发现不同深度上偏离Ａ１２Ｏ３化学计量比是其介电性能劣化的原因。查明不同深度的形成技术条件,通过研究恒压下不同形成电汉时的最终电汉及三相交流形成后直流形成的Ｏ／Ａ１比,结果发现成膜速度太快和形成中氧化不足是现阶段阳极氧化膜Ｏ／Ａ１偏离的主要原因,针对氧铝比偏离１．５的多少对原形成条件作出相应调整,使铝阳极氧化 介电特笥得以优化。     

射频溅射CoMnNi氧化物薄膜结构研究

按一定原子比的CoMnNi氧化物混合体,经压片、高温烧结,制成具有尖晶石结构的靶.采用射频溅射,分别在单晶硅、玻璃和氧化铝陶瓷衬底上淀积生长的CoMnNi多成份氧化物薄膜,是一种理想的宽温区热敏材料.扫描电镜能谱和俄歇谱分析表明薄膜中Co,Mn,Ni的原子比偏离靶材料的设计值;X射线衍射谱证明这种薄膜具有非晶结构或尖晶石结构.文章给出了退火后X射线衍射谱及傅利叶交换红外光谱和激光喇曼谱,讨论了生成非晶薄膜和尖晶石结构的条件.     

纳米金属薄膜材料电磁参数测量方法

提出了一种基于波导法的纳米薄膜材料电磁参数测量的新方法,给出了该方法的基本原理.与常规波导测量方法相比,该方法根据纳米金属薄膜材料的特点,简化了求解算法,只需测出加载薄膜波导开路与短路时的复反射系数,即可求出薄膜的介电常数与导磁率,使测量过程简单高效并具有较高的精度.     

一种制备氧化钒薄膜的新工艺

采用两步法工艺,即先在衬底上溅射一层金属钒膜,再对其进行氧化的方法,在硅和氮化硅衬底上制备了高电阻温度系数的混合相VOx多晶薄膜。电学测试结果表明:厚度为50nm的氧化钒薄膜的方块电阻和电阻温度系数(TCR)在室温时分别达到50kΩ和0.021K-1。     

薄膜与基体间的附着力测试

薄膜是一种特殊形态的材料,在微电子等领域得到了广泛的应用.薄膜与基体间的附着性能在很大程度上决定了薄膜应用的可能性和可靠性,但是,迄今为止对薄膜与基体间界面的了解还不够深入,也没有一种通用的测量技术.阐述了薄膜与基体间的附着机理和增加附着力的途径,介绍了胶粘法、划痕法等各种比较常用的附着力测试方法.     

一种用于检测薄膜均匀性的光谱方法

介绍了一种新的简单有效的薄膜均匀性信息获取方法,该方法基于我们先前提出的纳米薄膜厚度精确测量方法,它通过检测镀制在含有过渡层的衬底上不同位置的薄膜的光谱,并由其干涉峰间的差异获取薄膜的均匀性信息.与传统方法相比,该方法无需直接测量薄膜的厚度,减少了测量膜厚带来的误差和影响,因而可以快速得出薄膜均匀性结论.该方法操作方便...     

氟镓酸盐红外玻璃窗口多波段增透保护膜研制

氟镓酸盐玻璃是一种性能良好的红外光窗材料。为了提升窗口观测、探测及防护性能,在氟镓酸盐基底上设计和制备了0.4~0.9 μm、1.064 μm、3.7~4.8 μm三波段复合增透保护膜。根据光学性能及环境稳定性要求选择薄膜材料并对膜系进行了设计,然后利用电子束蒸发方法对多层膜进行了制备。测量结果表明,2.9 μm处的水吸收峰拉低了中红外波段的透过率。通过改进工艺及后处理等途径提高了膜层致密度,有效抑制了膜层的水吸收。利用沸水浸泡法对镀膜元件的环境稳定性进行了实验验证。结果表明,经过离子束辅助沉积及退火处理的薄膜样品具有较好的光学性能和环境适应性。     

被釉BeO基片薄膜电阻器的设计和制备

基于被釉BeO陶瓷基片设计并制备了DC-20GHz薄膜电阻器。HFSS软件仿真结果表明,在该频率范围内,所设计薄膜电阻器的电压驻波比(VSWR)均小于1.2。利用射频磁控溅射法和光刻工艺在被玻璃釉平整化改性过的BeO基片上制备了所设计的薄膜电阻器。测试结果和仿真结果的对比表明,BeO基片表面的玻璃釉层并不会对电阻器的微波性能造成明显的不良影响。     

铝阳极氧化膜形成液的形成能力研究

在不同配方、不同pH值的低压和高压电解液中测试纯铝样品的电流变化,根据电流大小及电流变化速度,确定形成能力最强的介电用铝阳极氧化膜形成液。     

玻璃衬底上制备GaN薄膜的研究进展

近年来,GaN基发光二极管(LED)的发展异常迅速,以玻璃为衬底的LED具有成本低、可大面积化生产等优点而引起了国内外许多科研机构的广泛研究兴趣.但由于普通玻璃较低的软化温度(500～ 600℃)以及与GaN之间存在较大的晶格失配问题,一直阻碍其发展.重点综述了玻璃衬底上生长GaN薄膜的方法以及改善外延层晶体质量的技术.分别介绍了两种在普通玻璃上生长GaN的方法,即低温生长和局部加热生长,同时详述了采用缓冲层和横向外延过生长(ELO)技术对外延GaN晶体质量的影响.对局部加热、ELO等技术在玻璃衬底LED方面的应用进行了分析和预测,认为以玻璃为衬底的LED终会取得快速地发展.     

硫系玻璃薄膜封装层对OLED寿命的影响

在高真空条件下(3×10-4Pa),利用硫系玻璃(Se,Te,Sb)薄膜封装材料对有机电致发光器件(OLED)进行原位封装,有效避免了传统封装方法难以避免的水、氧危害,以达到延长器件寿命的目的。实验对比了正常封装与增加Se、Te、Sb薄膜封装层后器件的性能,对比实验中封装过程都未加干燥剂。研究发现Se、Te、Sb薄膜封装层分别可以使器件的寿命延长1.4倍,2倍,1.3倍以上;采用封装层对器件的电流-电压特性、色坐标等光电性能几乎不产生影响,但影响了器件散热,薄膜封装层使器件的击穿电压、最高亮度等参数稍有下降。