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利用MOCVD(metalorganic chemical vapor deposition)和APCVD(atmosphere chemical vapor deposition)硅外延技术在Si(100)衬底上成功地制备了双异质Si/γ-Al2O3/Si SOI材料.利用反射式高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)及俄歇能谱(AES)对材料进行了表征.测试结果表明,外延生长的γ-Al2O3和Si薄膜都是单晶薄膜,其结晶取向为(100)方向,外延层中Al与O化学配比为2:3.同时,γ-A12O3外延层具有良好的绝缘性能,其介电常数为8.3,击穿场强为2.5MV/cm.AES的结果表明,Si/γ-Al2O3/Si双异质外延SOI材料两个异质界面陡峭清晰. 相似文献
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本文作者在自己组装的立式MOCVD设备上,成功地应用高真空生长技术,于1050℃的高温条件下,在硅上外延生长了γ-Al2O3薄膜.从RHEED看到(100)硅上生长的薄膜是(100)立方单晶γ-Al2O3的衍射图样;平移样品,图样并不发生变化.X射线双晶衍射看到,除了硅的(400)峰和(200)峰以外,只在2θ为45°处有一个低而宽的小峰.XPS谱给出氧的1s峰位为532.3eV,Al的2p峰位为75.4eV,将他们与α-Al2O3比较,对应峰位移动了约3.5eV.俄歇谱说明其铝氧组分比近于γ-Al2O3 相似文献
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双异质外延SOI材料Si/γ-Al_2O_3/Si的外延生长 总被引:2,自引:2,他引:0
利用MOCVD(metalorganic chemical vapor deposition)和APCVD(atmosphere chemical vapor deposition)硅外延技术在Si(10 0 )衬底上成功地制备了双异质Si/γ- Al2 O3/Si SOI材料.利用反射式高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)及俄歇能谱(AES)对材料进行了表征.测试结果表明,外延生长的γ- Al2 O3和Si薄膜都是单晶薄膜,其结晶取向为(10 0 )方向,外延层中Al与O化学配比为2∶3.同时,γ- Al2 O3外延层具有良好的绝缘性能,其介电常数为8.3,击穿场强为2 .5 MV/cm.AES的结果表明,Si/γ- Al2 O3/Si双异质外延SOI材料两个异质界面陡峭清晰. 相似文献
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热退火γ-Al2O3/Si异质结构薄膜质量改进 总被引:1,自引:0,他引:1
采用高真空MOCVD外延技术,利用TMA(Al(CH3)3)和O2作为反应源,在Si(100)衬底上外延生长γ-Al2O3绝缘膜形成γ-Al2O3/Si异质结构材料.同时,引入外延后退火工艺以便改善γ-Al2O3薄膜的晶体质量及电学性能.测试结果表明,通过在O2常压下的退火工艺可以有效地消除γ-Al2O3外延层的残余热应力及孪晶缺陷,改善外延层的晶体质量,同时可以提高MOS电容的抗击穿能力,降低漏电电流. 相似文献
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利用化学气相淀积(CVD)的方法在AlN/Si(111)复合衬底上成功实现了4H-SiC薄膜的异质外延生长,用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、阴极荧光(CL)等方法对所得样品的结构特征、表面形貌和光学性质进行了表征测量.XRD测量结果显示得到的SiC薄膜的晶体取向单一;室温CL结果表明所得SiC薄膜为4H-SiC,且随着生长温度的升高,SiC薄膜的CL发光效率提高.生长温度、反应气源中C/si比等工艺参数对SiC薄膜的外延生长及其性质影响的研究表明在AIN/Si(111)复合衬底上外延4H-SiC的最佳衬底温度为1230~1270℃,比通常4H-SiC同质外延所需的温度低200~300℃;较为合适的C/Si比值为1.3. 相似文献
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本文介绍了CMOS/SOS CC4066器件长期可靠性试验结果。对失效器件的分析表明,硅-蓝宝石技术没有新的失效机理。该器件的可靠性不低于国内体硅MOS IC能达到的水平,并接近“七专”器件的水平。 相似文献
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薄膜亚微米CMOS/SOS工艺的开发及其器件的研制 总被引:2,自引:0,他引:2
本文较为详细地介绍了薄膜亚微米CMOS/SOS工艺技术的开发过程,薄膜亚微米CMOS/SOS工艺主要包括双固相外延,双层胶光刻形成亚微米细线条硅栅、H2-O2合成氧化薄栅氧化层以及快速退火等新的工艺技术,利用这套工艺成功地研制出了高性能薄膜来微米CMOS/SOS器件和门延迟时间仅为177ps的19级CMOS/SOS环形振荡器,与厚膜器件相比,薄膜全耗尺器件和电路的性能得到了明显的提高。 相似文献
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WSi_2栅和Si栅CMOS/BESOI的高温特性分析 总被引:1,自引:0,他引:1
用厚膜BESOI(BondingandEtch-backSilicon-On-Insulator)制备了WSi2栅和Si栅4007CMOS电路,在室温~200℃的不同温度下测量了其P沟、N沟MOSFET的亚阈特性曲线,分析了阈值电压和泄漏电流随温度的变化关系。 相似文献
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高水平抗辐射CMOS/SOS集成电路 总被引:1,自引:0,他引:1
本工作采用先进的全离子注入低温工艺,研制成八个高水平4000系列小规模CMOS/SOS集成电路品种,它们是SC_(4001)、SC_(4002)、SC_(4011)、SC_(4012)、SC_(4013)、SC_(4030)、SC_(4066)及SC_(4069)。这些电路除了电学参数满足相应体硅CMOS电路以外,还具有优良的抗辐照特性,其抗γ总剂量达1×10~7rad(Si),抗γ瞬态剂量率达5×10~(10)rad(Si)/s以上。 本文简要介绍CMOS/SOS器件抗γ总剂量辐照及抗γ瞬态辐照的基本考虑以及辐照实验的结果。 相似文献