自组装——自底而上的纳米制造方法

介绍了“自底而上”的自组装纳米制造方法中的一些关键技术。利用自组装技术将成形的或未成形的材料淀积在大面积基底上,制造出纳米结构和分子局域自组装装置,并通过由自组装技术发展而来的原子操作和蘸水笔纳米加工技术,以构建纳米尺度的图形。描述了与这些技术相关的原理和工艺过程以及其当前的应用和潜在的应用前景。     

纳米器件的一种新制造工艺——纳米压印术(续)

3.3.2图案的保真度、压印面积与图案均匀性Chou等人[15]曾经把聚合物薄膜上压印出的沟槽图案与进而用剥离技术转移得到的线条图案进行比较,以此作为图案保真度的指标。结果是:压印所得宽15nm的沟槽,经过剥离技术转移后成为宽25nm的线条。Dahl-YoungKhang等人[20]用直径100mm的压模在直径100mm的硅片上压印出了分布于不同位置的5个纳米图案,这5个图案与压模上相应图案没有明显的不同,可见在大面积上压印图案的均匀性很好。图8(b)是5个聚合物图案其中一个的SEM照片,图案是一排宽度小于100nm的沟槽,图8(a)是与之相应的压模上图案,可以看出图…     

纳电子学的发展(续)

<正>2.2电荷基CMOS新扩展器件电荷基CMOS新扩展器件的功能和场效应器件不同,包括利用带间隧穿效应的隧穿FET、利用冲击离化效应的IMOS、利用纳电子机械低功耗效应的NEMS开关、基于铁电电容具有的负栅电容FET、利用量子点中单电子库伦阻塞效应的单     

扬声器力学分布式参数(第一部分:测量篇)(待续)

扬声器单元的力学振动可以由一组线性的传递函数和几何数据来描述,这些数据是通过测量辐射体(如锥体、半球形膜片、振动盆、活塞、平板等)上的若干个选择点得到的。这些分布式参数是对集总参数(包括T-S、非线性、热学参数)的有益补充,它使得锥体、扬声器单元与扬声器系统设计之间的联系易于理解,并开启了一种新的扬声器诊断方法。重点着眼于激光扫描技术和对数据的后处理。力学振动将会用到一个新的量来概述,即:累积加速度级(AAL),当没有声抵消出现时,它和声压级(SPL)是相当的。这个参数和其他导出的参数是模态分析和全新的分解技术的基础,这一方法使得力学振动和声压输出之间的关系更为明晰。最后,将指出分布式参数在有限元法或边界元分析法中的用法,并给出有益于扬声器设计过程的结论。     

可调谐微机电电感(续)(英文)

<正>3 Magnetic Core Tuned Inductor Magnetic core tuned inductor is tuned based on the magneto impedance effect[32].As the bias DC magnetic field is applied along to the axis of the inductor body,the transverse permeability of the soft magnetic layer can be changed to achieve the tunability of the inductance.In order to design tunable microinductors for microwave communication systems,such as the frequency range over 1 GHz,     

室内声学解析(待续)

对室内声学的重要内容作了充分的物理阐述,但避开了严格的数学推导;指出了不同功能厅堂的主要设计要求,而不细述室内音质设计的方法、步骤.     

多传感器和数据融合(续)

文中介绍了多传感器集成及数据融合的概念、优点、结构、方法和应用,列举了传感器四种不同集成度的特点。数据融合把来自不同传感器或其它信息源的数据加以综合、相关、互联,以便提高定位和特征估计的精度。在数据融合过程中建模包括信号模型、噪声模型、变换器模型、数据变换模型以及融合模型。数据融合模型包括事例的方法和结构,文章介绍了集成式、分布式和混合式融合结构,并进行了比较。此外,还介绍了国外一些数据融合的试验     

A Scheme for Biological Model Improvement (A Classroom Approach)

This communication presents a classroom procedure for minimizing the error between simulated data and experimental data to obtain the ``best' parameters for a given system model. It is hoped that such experience helps in the process of biological model building and brings out the advantages of different types of simulations used for model improvement.     

GaN HFET的大信号射频工作模型(续)

<正>3短栅长HFET在高漏压下的能带畸变在一般的异质结能带计算中,都只考虑异质结材料生长方向的势垒变化。现在表面电势在x方向产生很大的电场梯度,该表面电场会扩展到整个异质结内,形成复杂的二维电场分布。于是在自洽求解泊松方程和薛定谔方程时就必须求解二维泊松方程     

扬声器线阵列测量技术(待续)

有关扬声器线阵列测量目前并无统一的规范及方法。介绍了现有扬声器线阵列的测量技术及方法。指出在实验室环境下依据少量单元的声学测量预测扬声器大阵列声学辐射特性是未来研究的趋势。