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在Si(100)衬底上用离子束溅射方法淀积Ni,Co,Ti薄膜,形成Co/Ni/Si,Ni/Co/Si和Co/Ni/Si等结构,通过氮气中快速热退火反应生成三元硅化物(CoxNil-x)Si2。用AES,XRD,RBS沟道谱,SEM及四探针等方法对(CoxNil-x)Si2薄膜的物理特性和电学特性进行了测试,在Si衬底上Co,Ni多层膜经快速热退火可形成高电导的(CoxNil-x)Si2薄膜,其电阻率在15~20μΩ·cm之间。Co/Ni/Ti/Si(100)多层结构固相反应可以得到外延(CoxNil-x)Si2薄膜。(CoxNil-x)Si2的晶格为CaF2立方结构,晶格常数介于CoSi2和NiSi2之间。通过热处理和选择腐蚀等工艺,可在有CMOS图形的衬底上形成自对准的三元硅化物源漏接触和栅极互连图形。 相似文献
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在Si(100)衬底上用离子束溅射方法淀积Ni,Co,Ti薄膜,形成Co/Ni/Si,Ni/Co/Si和Co/Ni/Si等结构,通过氮气中快速热退火反应生成三元硅化物(CoxNi1-x)Si2。用AES,XRD,RBS沟道谱,SEM及四探针等方法(CoxNi1-x)Si2薄膜的物理特性和电学特性进行了测试,在Si衬底上Co,Ni多层膜经快速热退火可形成高电导的(CoxNi1-x)Si2薄膜,其电阻 相似文献
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Co/Ti/Si三元固相反应外延生长CoSi2薄膜 总被引:4,自引:3,他引:1
研究采用Co/Ti/Si三元固相反应的方法生长外延CoSi2薄膜。通过选择适当的热处理条件,采用步退火,在Si(100)和Si(111)衬底上均成功获得外延CoSi2薄膜。实验用XRD.TEM、RBS/channeling等测试技术分析CoSi2薄膜外延特性,得到的CoSi2/Si薄膜的RBS/channeling最低产额Xmin达到10-14%,实验时CoSi2/Si(111)样品,分别沿Si衬 相似文献
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本文利用XRD,RBS,AES,SEM和电学测量技术系统地研究了反应溅射制备的TiWyNx薄膜的组份,结构和扩散势垒特性,实验结构表明,膜的组份,结构和特性受溅射时N2流量影响和溅射功率的影响,这种TiWyNx膜经550℃30分钟退火后,仍能有效防止Al-Si扩散,从而改善了A1-TiWyNx/CoSi2/Si浅结接触的热稳定性。 相似文献
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研究采用Co/Ti/Si三元固相反应的方法生长外延CoSi2薄膜.通过选择适当的热处理条件,采用多步退火,在Si(100)和Si(111)衬底上均成功获得外延CoSi2薄膜.实验用XRD、TEM、RBS/channeling等测试技术分析CoSi2薄膜外延特性,得到的CoSi2薄膜的RBS/chnneling最低产额Xmin达到10-14%.实验对CoSi2/Si(111)样品,分别沿Si衬底的<110>和<114>晶向进行背散射沟道测量.结果发现,沿Si<110>晶向得到的CoSi2背散射沟道产额显著高 相似文献
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Co/Si/Ti/Si(100)多层薄膜固相反应异质外延生长CoSi_2薄膜 总被引:2,自引:2,他引:0
本文研究Si中间淀积层对CoSi2/Si(100)固相异质外延的影响.用离子束溅射方法在Si(100)衬底上制备了Co/Si/Ti/Si多层薄膜结构,通过快速热退火使多层薄膜发生固相反应.实验表明,利用Co/Si/Ti/Si固相反应得到的CoSi2薄膜具有良好的外延特性,薄膜也具有良好的电学特性和热稳定性.实验发现在较低温度退火时,生成Co2Ti4O之类化合物,作为扩散阻挡层有利于CoSi2薄膜的外延.在多层薄膜结构中加入Si非晶层,既能减少衬底Si消耗量,又能保持CoSi2良好外延特性 相似文献
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本文研究不同金属薄膜结构形成的超薄CoSi2膜的高温稳定性.采用离子束溅射和反应磁控溅射技术制备Co/Si、TiN/Co/Si、Co/Ti/Si、TiN/Co/Ti/Si不同结构,在高纯氮气下进行快速热退火(RTA),形成CoSi2薄膜.应用四探针薄层电阻测试、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)进行测试.实验结果表明:TiN覆盖层和Co/Ti/Si三元固相反应都是有利于形成具有良好高温稳定特性的CoSi2薄膜的有效方法,有望应用于深亚微米接触和互连技术中. 相似文献
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本文报导当在室温下向非晶硅(a-Si)表面溅射钼(Mo)的过程中Mo与非晶硅发生互作用的现象。该互作用要求一定的临界溅射功率与钼层厚度。其作用速率在a-Si界面为反应速率限制,而在与Mo交界面则为扩建速率限制。互作用生成非晶态钼硅Mo:a-Si合金。它可阻止铝(Al)向a-Si中扩散,同时可改善a-Si TFT的接触特性。当用Al/Mo作a-Si薄膜晶体管(a-Si TFT)的源和漏电极时,可提高 相似文献
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本文选用了Co/Si/GaAs结构作为研究对象,经600℃恒温退火及800℃快速退火处理后,分别在GaAs衬底上形成Cosi2/GaAsSchottky接触.采用多种薄膜和界面的测试技术,对CoSi2:/GaAs的薄膜及界面特性进行了细致的研究.结果表明:热退大处理后,Co/Si经化学反应形成了较均匀的CoSi2单相,其薄膜电阻率约为30μΩcm.即使经900℃的快速返火处理后,GaAs界面仍保持相当的完整性,同时薄膜形貌也很理想.此外,采用I-V电学测试法对经750℃恒温退火处理后形成的CoSi2/Ga 相似文献
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本文首次研究金属Co与分子束外延Si1-xGex单晶薄膜快速热退火(RTA)固相反应,并对比了CO、Ti与SiGe固相反应时不同的反应规律实验采用RBS、AES、XRD、SEM等分析和测试手段对样品的组分和结构等薄膜特性进行检测.实验发现,Co/Si0.8Ge0,2在650℃热退火后形成组分为Co(Si0,9Ge0.1)的立方晶系结构,薄膜具有强烈择优取向;900℃处理温度,有CoSi2形成,同时Ge明显地向表面分凝.TiN/Ti/Si0.8Ge0.2固相反应时,850℃处理可以形成Ti(Si1-yGey 相似文献
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本文研究了理想Si/SiO2/Si结构的电容-电压(C-V)特性,提出了根据Si/SiO2/Si的C-V特征测量SiO2厚度、衬底掺杂浓度和固定电荷的方法,并对键合样品进行了实验。 相似文献
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本文通过对工艺条件的控制,获得了铜系混合导体材料Cu2Mo6S7、7、Cu2Mo6S8.0及Cu4Mo6S8.0.x射线衍射物相分析表明为Mo6S8结构的单相,并采用分析化学方法对其化学计量进行了分析,通过测试得到了三种混合导体的总电导率σ和离子电导率σi·当混合导体Cu2M06S7、7与固体电解质Rb4Cu16I7Cl13复合后可改善其电化学性能,复合比为2:1时,总电导率σ和离子电导率σi可达75(Ω·cm)-1和7×l0-2(Ω·cm)-1。 相似文献
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对Pt/Si快速热退火固相反庆形成超薄PtSi薄膜进行研究。溅射Pt薄膜的厚度在5--20mm之间,用AES,XRD,RBS,SEM等分析测试手段对固相反应PtSi薄膜的结构特性进行观测,并对PtSi/n-Si肖特基结电学性能进行了测试。实验结果表明,550--600快速退火有利于Pt/Si反应形成性能优良的PtSi/Si肖特基热垒接触。 相似文献
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描述了低温硅片直接键合(LTSDB)的实现和质量评价。通过高分辨率电子显微(HREM)和表面电离质谱分析(SIMS)的方法对键合界面特性进行了研究。用HREM图象了诸如位错和SiO2的随机分布等界面结构,SIMS结果表明了靠近键合界面的分布情况和Si-H原子团的其他特性,提出了一种新的两步LTSDB机理。 相似文献
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掺HCI栅氧化对MOS结构电特性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了栅氧化时掺HCl的硅栅MOSFET的DDS-VGS特性,阈电压和界面态。结果发现,HCl掺入栅介质,可使IDS-VGS曲线正向漂移,PMOSFET阈电压绝对值减小,NMOSFET阈电压增大,Si/SiO2界面态密度下降,采用氯的负电中心和Si/SiO2界面硅悬挂键的键合模型对实验结果进行了解释。 相似文献
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《微纳电子技术》1995,(5)
从文献中摘出了6H碳化硅(6H~SiC)的重要材料参数并应用到2-D器件模拟程序PISCES和BREAKDOWN及1-D程序OSSI中。6H-SiCp-n结的模拟揭示了由于反向电流密度较低的缘故相应器件在高达1000K温度下应用的可能性。6H-SiC1200Vp-n ̄(-)-n ̄(+)二极管与相应硅(Si)二极管的比较说明6H-SiC二极管开关性能较高,同时由于6H-SiC p-n结内建电压较高,其正向功率损耗比Si略高。这种缺点可用6H-SiC肖特基二极管克服。Si、3C-SiC和6H-SiC垂直功率MOSFET的开态电阻通过解析计算进行了比较。在室温下,这种SiCMOSFET的开态电阻低于0.1Ωcm ̄2,可在高达5000V阻塞能力下工作,而SiMOSFET则限于500V以下。这一点通过用PISCES计算6H-SiC1200VMOS-FET的特性得以验证。在低于200V的电压区,由于硅的迁移率较高且阈值电压较低,故性能更优良。在上述的6H-SiCMOSFET的栅氧化层和用于钝化平面结的场板氧化层中存在着大约4×10 ̄6V/cm的电场。为了研究SiC器件的高频性能,提出了6H-SiC发射极的异质双极晶体管? 相似文献
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自对准外延CoSi_2源漏接触CMOS器件技术 总被引:1,自引:0,他引:1
CO/Ti/Si或TiN/Co/Ti/Si多层薄膜结构通过多步退火技术在Si单晶衬底上外延生长CoSi2薄膜,AES、RBS测试显示CoSi2薄膜具有良好均匀性和单晶性.这种硅化物新技术已用于CMOS器件工艺.采用等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)技术淀积氮氧化硅薄膜,并用反应离子刻蚀(RIE)技术形成多晶硅栅边墙.固相外延CoSi2薄膜技术和边墙工艺相结合,经过选择腐蚀,可以分别在源漏区和栅区形成单晶CoSi2和多晶CoSi2薄膜,构成新型自对准硅化物(SALICIDE)器件结构.在N阱CMOS工艺 相似文献