近红外可调辐射方向的非线性光学天线

目前研究人员提出了各种光学天线以线性方式控制辐射图,而较大的非线性效应可以引起天线的折射率的变化,从而改变辐射方向图。通过修正电子的有效质量进而完善Drude模型,可得到氧化铟锡(ITO)的非线性折射率与频率和强度的函数关系,进而可知由ITO制成的纳米天线会表现出极大的光学Kerr效应。本文研究了ITO天线的线性和非线性响应。利用ITO的Kerr效应控制天线的辐射方向图。基于该模型,设计了一种非线性光学天线,实现了覆盖近红外波段(1 000~1 650 nm)的可调谐辐射方向图。进一步,基于ITO和介电材料硅(Si)设计了一种杂化的非线性光学天线。该杂化天线可以更好地利用ITO的强Kerr效应,可以较大程度上对光场辐射进行调控。该工作突破了新型非线性材料的强Kerr效应仅局限于特定共振频率点或者零折射率点这一特点。本研究提供一种用于超快动态控制超材料的新颖方法,可应用于光束转向和光学调制等。     

基于多开口环的宽频左手材料设计

本文提出一种宽频左手材料结构,其通过多开口谐振结构在不同频带实现谐振.通过理论分析,软件仿真与介质参数提取对设计结构左手特性进行验证.结果表明该结构在谐振频带具有宽频左手特性(等效磁导率μ与等效介电常数ε均小于零),左手频带为:10.3～18.35 GHz,相对带宽57.71;,单元损耗小于0.9 dB,相较于传统左手材料结构,左手频带更宽,并且结构简单易于分析和应用.     

常压烧结Mg2SiO4-SiC复相材料的微波衰减性能

以Mg2SiO4和SiC为原料,Al2O3-BaO-SiO2作为复合烧结助剂,H2气氛下在1450℃下保温1h常压烧结制备出了Mg2SiO4-SiC复相微波衰减材料;采用X射线衍射、扫描电子显微镜对复相材料的相组成、显微结构进行表征.研究了SiC添加量对复相材料X波段(8～ 12 GHz)微波衰减性能的影响.结果表明:通过加入一定量的Al2O3BaO-SiO2复合烧结助剂能有效促进烧结致密化,复相材料的显气孔率均在0.5;以下;SiC含量从0增加到10;,复相材料谐振频率由11.8 GHz递减到10.0 GHz,衰减峰值的绝对值由3.62 dB递减到1.18 dB,有效衰减带宽由0.48 GHz递增到1.03 GHz,随着SiC含量的增加,谐振频率向低频移动,衰减峰绝对值降低,有效衰减带宽增大.     

多孔碳球/SiC纳米纤维/十八醇复合相变材料定型封装及其热性能研究

以SiC纳米纤维为传热介质,在其表面采用原位生长的方法,均匀负载了多孔碳材料,从而制备了多孔碳球/SiC纳米纤维载体材料.然后以十八醇为相变芯材,通过物理吸附法制备了多孔碳球/SiC纳米纤维/十八醇复合相变材料,研究了不同相变芯材负载量的复合相变材料的储热性能与稳定性能.DSC检测表明,负载40wt;十八醇的复合相变材料的熔点和凝固点分别为58.16℃和52.25℃,熔化潜热为101.42 J/g;负载50wt;十八醇的复合相变材料的熔点和凝固点分别为58.01℃和51.93℃,熔化潜热为115.47 J/g.与十八醇相比,负载40wt;十八醇的复合相变材料的导热率提高了71;;负载50 wt;十八醇的复合相变材料的导热率提高了62;.该复合相变材料在循环使用300次后,其导热率基本保持相同,具有稳定性高;相变芯材封装安全性好,相变潜热大,具有非常优异的应用性能.     

SiC单晶片高效精密加工机理的仿真与实验研究

SiC单晶作为理想的半导体材料,其特有晶体结构及高的材料硬脆性使其精密加工过程成为难点.本文基于SiC单晶材料去除机理,通过有限元方法对材料去除方式及应力进行了仿真及实验验证.仿真与实验的结果表明,基于超声复合研磨加工SiC单晶片,粗糙度降低达50;,材料去除率提高达100;.     

介孔球形LiFePO4/C原位复合材料制备与表征

磷酸铁锂由于其安全性好,价格低廉,理论比容量高等优势而成为一种重要的锂离子电池正极材料.本文利用微生物法与水热法相结合的新方法成功制备出介孔LiFePO4/C原位复合材料.以微生物为模板和碳源,通过与金属离子和磷酸根离子的矿化作用形成盐类混合物,经200℃水热反应,从而形成LiFePO4/C原位复合材料.通过结构与性能表征,该复合材料具有介孔球形结构,在0.1C倍率下的首次放电容量可达到134 mA·h.g-1,比普通水热法合成的样品的比容量提高了近30;,且其充放电性能有着很好的对称性和较小的极化现象.其性能显著提高的主要原因是材料具有介孔球形结构和原位复合碳的存在,从而促进了锂离子的嵌入与脱出和电子传导.     

一种Ga-P复合发光材料的制备和性质研究

以Na3P和GaCl3为原料,在常压条件下的有机溶剂中合成出一种荧光材料.XRD分析表明其结构与GaP纳米晶体完全不同.能谱分析证明该产物包含Ga、P、Cl元素,该组成式为GaPCl4.将该产物与桑色素复合,并与GaP/桑色素复合材料相比,发现前者在丙酮、乙醇和水溶液中的发光强度以及发光稳定性均明显优于后者.该实验产物与桑色素复合制成的复合材料在丙酮、酒精和水溶液中出现很强的光致发光,而且可以稳定存在三个月以上.     

Cu、Zn掺杂对AlSb电子结构和光学性质的影响

运用密度泛函平面波赝势方法和广义梯度近似,对替代式掺杂Cu和Zn的闪锌矿AlSb的超晶胞晶体结构、电子结构和光学性质进行了计算.分析了其电子态分布和结构的关系,给出了掺杂前后AlSb体系的复介电常数和复折射函数.结果表明,掺有Cu和Zn的AlSb晶体空穴密度增大,会明显提高材料的电导率;两种掺杂体系光学带隙均变窄;通过分析掺杂前后AlSb晶体的复介电常数和复折射函数,解释了体系的发光机制.     

新型氧化钨量子点电极材料问世

<正>近日,中科院苏州纳米所赵志刚课题组和苏州大学耿凤霞课题组合作开发出一种具备超快电化学响应性能的新型氧化钨量子点电极材料。该成果发表在近期出版的国际期刊《先进材料》上。与传统块体材料相比,量子点(零维纳米材料)的小尺寸、大比表面积、高的表面原子比例意味着材料与电解液的充分接触以及更短的离子扩散距离,堪称理想的电极材料。然而,将量子点应用于电化学的研究结果大多并不理想,这与常见量子点材料电化学活性差、表面有机配体包覆以及粒子间界面电阻较高密切相关。     

KDP晶体脆塑转变切削过程有限元仿真与实验研究

利用ABAQUS软件建立KDP晶体超精密切削三维模型,并基于内聚力模型来模拟KDP晶体脆性域切削过程中裂纹的成核与扩展,对KDP晶体脆塑转变过程做出合理解释,得到其临界切削厚度.结果表明,超精密切削过程中KDP晶体材料的去除分为弹性变形、塑性去除和脆性断裂三个阶段,其脆塑转变临界切削厚度为140 nm左右.最后利用超精密机床对KDP晶体进行切削实验,实验观测得到的临界切削厚度与仿真结果值的相对误差不超过10;,验证了仿真方法的有效性及仿真模型的准确性.