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相似文献
 共查询到15条相似文献,搜索用时 93 毫秒
1.
探讨了时效及形变对集成电路引线框架用Cu3 .2 %Ni0 .75 %Si0 .3%Zn合金显微硬度和导电率的影响规律 ,在此基础上将优化的时效 -形变工艺应用于铜合金引线框架薄带的加工工艺流程中 ,以期使材料获得高的强度和较高的导电率。  相似文献   

2.
研究了时效及时效前的冷变形和时效后冷却方式对Cu 2 .5wt? 0 .0 3wt%P合金显微硬度和导电率的影响。结果表明 ,合金固溶后 ,时效前冷变形可促进析出相形核和生长 ,而时效后炉冷比空冷更易获得较高导电率 ;在 5 2 5℃时效 3h ,随炉缓冷可使合金导电率达 6 7%IACS ,再经 80 %冷变形 ,4 2 0℃时效 3h后 ,可以使合金导电率和显微硬度进一步提高 ,精整变形后 ,分别达 6 8%IACS和 14 5HV。  相似文献   

3.
时效对Cu-Cr-Zr-C-RE合金显微硬度及导电率的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
研究了冷变形后时效温度和时间对用喷铸成形得到的名义成分为Cu-0.2Cr-0.5Zr-0.04RE(55%wtLa+45wt%Ce)的合金显微硬度和导电率的影响。结果表明,在470℃时效1h,显微硬度达到Hv100172.9,导电率达到80.7%IACS,此时显微硬度和导电率的配合较好。  相似文献   

4.
分析了时效与冷变形对Cu 1.0Ni 0 .2 5Si 0 .10Zn合金的硬度与导电率的影响规律 ,结果表明 :合金经 85 0℃固溶处理后在 4 5 0℃时效时 ,第二相呈弥散分布 ,表现出较大的稳定性 ,在 5 2 5℃时效时第二相的析出速度较快 ,时效后可获得较高的导电率 ;时效前的冷变形可以加速时效析出过程 ,在时效的初期尤为明显。合金采用分级时效工艺处理后 ,可得到高的硬度 (HV171)和较高的导电率 (5 9.5 %IACS)。  相似文献   

5.
分析了时效与冷变形对Cu-1.ONi-0.25Si-0.10Zn合金的硬度与导电率的影响规律,结果表明合金经850℃固溶处理后在450℃时效时,第二相呈现弥散分布,表现出较大的稳定性,在525℃时效时第二相的析出速度较快,时效后可获得较高的导电率;时效前的冷变形可以加速时效析出过程,在时效的初期尤为明显.合金采用分能时效工艺处理后,可得到高的硬度(HV171)和较高的导电率(59.5%LACS).  相似文献   

6.
对Cu-0.33Cr-0.06Zr合金先固溶再冷变形,进行了450℃下不同时效时间及不同电流密度的时效试验。研究了不同电流密度对Cu-0.33Cr-0.06Zr合金时效后硬度的影响。研究结果表明:电流密度越大,合金到达硬度峰值的时间越短。合金在电流密度为400A.cm-2下,时效0.25h就到达峰值227HV。对比无电流下时效,大密度的直流电流在时效初期能大大提高合金的硬度,时效后期则会降低合金的硬度。  相似文献   

7.
采用不同时效状态和随后形变热处理工艺制备了Cu-Cr-Zr系合金,采用微观组织观察、硬度和导电率测试等手段研究了不同时效状态对双级时效Cu-Cr-Zr系合金性能的影响.结果表明:欠时效+冷轧+时效工艺和峰时效+冷轧+时效工艺制备的Cu-Cr-Zr-Mg-Si和Cu-Cr-Zr-Ni-Si合金均可获得力学性能和电学性能的优良组合.其中:欠时效+冷轧+时效工艺所制备的合金综合性能更优,但加工热处理过程中性能变化剧烈,材料生产过程中性能均匀性不易控制;峰时效+冷轧+时效工艺制备的合金综合性能极其稳定,易于在生产中控制.不同工艺下的合金性能差异是由析出相与位错的交互作用机制不同造成的.  相似文献   

8.
合金元素对铸造AlSi7Mg合金导电率的影响   总被引:6,自引:0,他引:6  
研究了合金元素Si、Mg及杂质元素Cu、Mn、Fe等对铸造AlSi7Mg合金导电率的影响。结果表明,Si对合金的导电率有不利的影响,其含量应控制在下限;随着Mg含量的提高,合金的导电率降低,综合考虑强度和导电率,Mg含量应控制在0.25%~0.4%;Fe是合金中的有害元素,但其对导电率影响不大,其含量应低于0.2%;Cu、Mn是合金中的杂质元素,对导电率有不利影响,应减小其含量。  相似文献   

9.
Cu-Ni-Si-Cr合金时效处理后的组织与性能   总被引:5,自引:3,他引:5  
研究了时效与时效前的冷变形对Cu-2.37Ni-0.58Si-0.39Cr合金时效后硬度及导电率的影响,结果表明:合金经920℃固溶处理后,在500℃时效时可获得较高的硬度,而在550℃时效可得到较高的导电率;合金时效前的冷变形可加速时效析出,试样经80%变形后,在500℃时效1h,显微硬度可达HV271,而固溶态直接时效仅为HV239。合金在时效析出过程中有两种类型的析出相,分别为Cr3Si和Ni2Si。  相似文献   

10.
采用大气熔铸工艺制备不同Co含量的Cu-0.2Be-XCo合金(X=0、0.5%、1.0%,质量分数),采用维氏硬度计、金属电导率测试仪及金相显微镜对合金的性能及组织进行测试.结果表明:随着Co含量的增加,铸态Cu-0.2Be-XCo合金的中心等轴晶区域逐渐扩大、粗大柱状晶区域减小,晶粒明显细化;Co的添加提高了铸态合金硬度,但同时降低了导电率,Cu-0.2Be-1.0Co合金的硬度较Cu-0.2Be合金增加23.5%,而导电率降低39.9%.合金经950℃×1 h固溶+460℃不同时间时效后,Cu-0.2Be合金导电率及硬度随时效时间基本不发生变化,Cu-0.2Be-0.5Co合金及Cu-0.2Be-1.0Co合金导电率及硬度在时效初期(0~2 h)急剧升高,中期(2~4 h)缓慢增加,后期(4~8 h)趋于稳定.时效态Cu-0.2Be-0.5Co合金的综合性能较佳,经460℃×2 h时效,导电率为57.1%IACS,硬度(HV)为243.  相似文献   

11.
采用微秒级高密度脉冲电流对CuFeP合金进行时效处理 ,试验研究了脉冲电流处理对合金显微组织及硬度的影响。结果表明 ,适当参数的电脉冲时效 ,可使Cu 2 .5Fe 0 .0 3P 0 .1Zn合金的析出相控制在细小的纳米尺度 ,在合金的电导率高于 6 0 %IACS的同时 ,显微硬度达到HV115 ,从而使二者实现较理想的配合  相似文献   

12.
分析了快速凝固与常规固溶处理后,Cu-0.8Cr合金导电性的差异及时效处理对合金导电性的影响。结果表明:快速凝固合金中过饱和的Cr原子是造成电阻率高的主要原因,晶体缺陷对电阻率的影响很小。时效过程中导电率的恢复是由Cr原子的析出并产生较大间距的Cr相所致。  相似文献   

13.
对Cu-0.1Ag-0.18Zr合金时效后的电导率、显微硬度以及电滑动磨损性能进行了研究。结果表明:该合金940℃固溶1h后,在560℃时效可获得较高的电导率,在480℃时效可获得较高的显微硬度。时效前冷变形能大大加快第二相的析出过程,使合金综合性能显著提高。该合金经940℃固溶再经60%变形后,在480℃时效1h,其电导率和显微硬度分别可达85.6%IACS和HV131.2,而固溶后直接时效为81.3%IACS和HV116.1。在载流条件下,合金的磨损量随加载电流的增加而增大;磨损机制是以电蚀为主的电蚀、犁削和磨粒磨损。  相似文献   

14.
利用不同Ce含量的Cu-0.4Cr-Ce合金进行包埋内氧化处理,对所得的Cu/Cr2O3复合材料进行了显微组织观察,测定了内氧化层深、显微硬度、电导率及抗拉强度。结果表明:随着内氧化时间的延长,复合材料的内氧化层深增加;Ce的加入,不仅细化了晶粒,而且内氧化层深也相应加深,最高达770μm;同时Ce含量增加,也提高了Cu/Cr2O3显微硬度、电导率及抗拉强度,分别达到HV128、80%IACS和400MPa。  相似文献   

15.
在Cu-Fe—P合金中添加稀土元素Ce,研究不同含量Ce对Cu—Fe-P合金的导电性、硬度、抗拉强度等性能的影响。结果表明,稀土元素Ce能起到基体净化和晶粒细化的作用,从综合性能考虑,添加0.1%稀土元素Ce能够提高材料的导电性、硬度及抗拉强度。  相似文献   

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