一种特别适用于片上LDO系统的过流保护电路

依据电压比较器高低电平判决的基本原理,结合精确电流采样支路,设计了一种固定限流装置。此外,通过第二条电流采样支路,达到返送(foldback)功能,使得短路电流不到最大负载电流的10%,有效降低了LDO(LowDrop-out)系统的过流关断功耗。基于CZ6H 0.35μm标准CMOS工艺,应用Cadence工具进行仿真,结果显示,该过流保护电路可以把稳压器的最大输出电流限定在300mA,输出短路电流不到20mA,在无片外电容的条件下,系统表现出良好的瞬态响应效果;此外,该过流保护模块非常易于调节来适应于不同的标准输出电压。     

一种基于厚膜工艺的电路版图设计

在电子线路版图设计中,通常采用印刷线路板技术。如果结合厚膜工艺技术,可以实现元器件数目繁多,电路连接复杂,且安装空间狭小的电路版图设计。通过对3种不同电路版图设计方案的理论分析,确定了惟一能满足要求的设计方案。基于外形尺寸的要求,综合考虑电路的性能和元件的封装形式,通过合理的电路分割和布局设计,验证了设计方案的合理性和可实现性。体现了厚膜工艺技术在电路版图设计中强大的优越性,使一个按常规的方法无法实现的电路版图设计问题迎刃而解。     

一种雷达微波接收机电路的集成化设计与实现

文章叙述了实现雷达接收机立体微波集成电路的基板及焊接工艺,研制了一种针对多通道雷达接收机的接收集成电路.提出了芯片电路设计,多层基板实现,以及芯片封装等实现方法.测试结果表明,电路达到了预期的设计目标.该集成电路的实现,提高了雷达整机的集成化水平.     

一种新型过流保护电路的研究与设计

提出了一种新型的过流保护电路,通过对采样网络的温度补偿,进一步减小了因为温度变化引起的过流点改变,提高了过流点精度。本电路基于TSMC 0.5μm BCD工艺设计,Hspice仿真结果表明,该过流保护电路具有较高的可靠性和较低的过流关断功耗。     

一种数控用开关电源保护电路的分析与设计

开关电源的可靠性直接影响到电子产品系统的可靠性。文中从相关数控系统开关电源的各种保护电路着手,分析设计了数控开关电源的软启动电路,过压保护、过流保护、欠压保护等电路的工作原理和具体设计方法,解决了数控开关电源的工作可靠性问题,为数控系统的批量生产提供了保障。     

一种DC-DC变换器的过流保护电路

设计了一种适用于DC-DC变换器的过流保护电路。对其结构原理进行了分析，并用0．5μm n阱CMOS工艺进行模拟验证，HSPICE模拟结果表明，该电路结构简单，限流准确，抗干扰能力强，对电源电压和温度变化而引起的限流值漂移具有较强的抑制能力，在3～6V的电源电压和-40～85℃的温度范围内，限流值最大漂移为10％。     

一种新型过流保护电路的设计研究

本文提出的过流保护电路利用运算放大器虚短虚断的原理大大提高了对输出电流的采样精度,从而提高了电路的可靠性;并通过增加的折回电路,有效降低了LDO(Low Drop-Out)系统的过流关断功耗.本电路基于TSMC 0.6 μm CMOS工艺设计,进行了应用于LDO的Spectra仿真,结果表明该过流保护电路可靠性高、过流关断功耗低.     

一种低功耗高可靠性的CMOS过流保护电路

提出了一种结构简单、功能可靠的CMOS过流保护电路。通过增加foldback功能有效地降低了电路损失的功耗，并且提高了系统的可靠性。在SAMSUNG0．6μmCMOS工艺下，Hspice模拟仿真结果证明该电路工作可靠、性能优良，可广泛应用于功率开关器件如MOSFET的保护电路中。     

一种高侧功率开关的输出短路保护电路

提出了一种智能高侧功率开关的短路保护电路,包括输出短路检测电路、延时信号产生电路和栅源电压限制电路。采用NMOS管用作功率管,使电路短路时仍处于安全工作区内,提升了高侧功率开关的可靠性。采用0.6μm HV SOI工艺对该短路保护电路进行了仿真验证。仿真结果表明,在硬开关故障和负载短路两种情况下,功率管保持处于安全工作区内。     

一种采用厚膜混合工艺的10位高速D/A转换器

介绍了一种采用厚膜混合集成工艺制作的倒R-2R电阻网络结构的高速10位D/A转换器电路.重点分析了二极管电流开关对输出电流建立时间的影响,提出了一种改进型二极管电流开关结构,减少了二极管电流开关中电荷泄放引起的过冲,使电流建立时间大大减小,样品电路测试典型值为25 ns.     

具有短路保护功能的机载功率控制装置设计

介绍了一种具有短路保护功能的功率控制装置,相对于传统的机电接触器,该装置在控制功能上采用场效应管实现,由于无机械触点,在电路通断期间不会频繁切换触点,也不存在机械故障模式,使其具有较高的可靠性和安全性,性能优于传统控制开关,有了短路保护电路,可更好地保护负载和机上电源电路,使得该控制装置更加可靠,实际应用证明该设计具有硬件电路设计简单、实时性好、可靠性强和智能化程度高的优点,符合机载电子设备要求。     

一种应用于深亚微米CMOS工艺的ESD保护电路

本文研究了一种基于动态栅极悬浮技术的ESD保护电路,并根据全芯片ESD防护的要求设计了试验电路。采用TSMC 0.18μm CMOS工艺实现了试验电路,测试显示芯片的ESD失效电压达到了7kV。     

一个快速高压固态开关的设计及实现

大多数固态功率开关中，开关速度会随着电源的增加而降低。基于这种原因，有很多方法在高功率下可获得合适速度。其方法之一是中压和额定电流大功率开关串联或并联的开关结构。这篇文章研究了不同型号的快速固态功率开关并选择IGBT作为开关单元。为了模拟，设计了IGBT的微观工作模型。最后，采用了8个IGBT串联的原型固态开关结构并且在7KV和600A下测试，其开通时间少于150纳秒。     

功放设计中的检测及保护电路

射频功放作为通信系统的最末级,因大功率而极易损害.由于功率放大器是一种相对比较昂贵,且为比较脆弱的器件,因此在设计功率放大器时,应重点关注如何保护功率放大器,以避免静电、浪涌、过热过温、过压、过流、过载造成功放故障或者失效.本文详细分析了射频功率放大器的失效因为,并列举了工程上常采用的保护方式,通过模型分析,构建了功放的检测电路及保护电路,从而达到保护射频功放的目的.     

一种用于电源组件的保护电路的优化设计

对应用于电源组件中的过流/短路保护电路在高温环境下误启动的原因进行了分析,确定导致电路失效的原因为电路参数设计不合理。在上电过程中,误触发保护电路的状态锁存电路会使电路误入保护状态,导致电源组件无法正常上电启动。基于EDA仿真分析工具,得到设计优化方案。R1由原来的10 kΩ降低至5.1 kΩ,R4由原来的6.8 kΩ增大至10 kΩ,C1由510 pF增大至0.1μF,有效解决了保护电路的误启动问题。分析并总结了高可靠保护电路的一般设计流程和关注重点。     

厚膜电路的应用及其发展刍议

本文综述了厚膜材料及工艺技术发展的现状,介绍了在通信、汽车等相关领域的应用和主要产品,最后是作者对发展的刍议。     

50W Ka频段固态功率放大器设计

阐述了3 dB分支波导定向耦合器、波导—微带双探针过渡、改进型波导T型结的原理,介绍了一种4路功率分配/合成网络。提出了一种8路功率分配/合成器,其结构具有插入损耗低、输入驻波好、幅度相位一致性好等优点。研制了50 W Ka频段固态功率放大器,由驱动级放大器、8路功率分配/合成器和8个7 W功放模块组成,在29~31 GHz频率范围内实现了大于50 W的线性输出功率,合成效率高于80%。     

固态存储器中PCI接口电路的设计与控制

介绍了基于PCI（外设部件接口）的大容量固态存储系统的设计,该系统采用高速FPGA（现场可编程门阵列）和大容量固态存储模块,对通过光纤传输的高速数据进行缓冲和存储,通过PCI总线与计算机通信,实现实时数据的高速下载。介绍了PCI总线控制器PCI9054的结构性能、数据传输模式及总线工作方式,描述了基于PCI9054专用芯片开发PCI总线接口电路的软硬件实现方案,并在此基础上给出了一个简单实例。     

S波段超宽带固态功率放大器的研制

本文结合一款新研制的S波段超宽带固态功率放大器,介绍了超宽带固态功率放大器的设计理论和方法,根据砷化镓场效应晶体管的小信号S参数和I-V曲线,用微波仿真软件对功率管的输入、输出阻抗匹配电路及其偏置电路进行优化仿真设计.通过制作并测试此放大器,验证了该设计方法的可行性.最后,给出了测试数据,它在2GHz～4GHz的频带范围内,输入功率为40mW时,输出功率大于20W,带内功率起伏小于1.5dB.     

星用固放电磁兼容设计

介绍了星用固放的电磁兼容设计, 主要从结构设计角度分析和解决了电磁兼容性问题, 并给出试验结果。