毫米波介质栅漏波天线的改进微扰法分析

本文用改进的微扰法分析了毫米波介质栅漏波天线的辐射特性。文中通过横向谐振法确定漏波天线的相位常数,而漏波常数的计算归结为对有源传输线方程的求解。所得数据和用场匹配方法得到的精确值进行了比较,结果表明,本文方法在保持相同精度的情况下,简化了分析和计算过程。     

新型圆柱介质栅毫米波全向漏波天线的改进微扰法分析

本文用改进的微扰法分析了一种新型圆柱介质栅毫米波全向漏波天线的辐射特性。文中将复杂的电磁场边值问题等效为有源径向传输线网络问题,简化了问题的求解过程。所得计算结果和用模匹配法得到的精确值以及实验测量值进行了比较,结果表明,本文方法精确、简便、实用。     

任意曲线形状介质栅漏波天线辐射特性的改进微扰法分析

本文是对作者前一工作(1990)的补充和发展,文中用改进的微扰法分析了任意曲线形状介质栅漏波天线的辐射特性。所得数据和用场匹配方法得到的精确值进行了比较。结果表明,本文方法在保持相同精度的情况下,极大地简化了求解过程;并据此系统地研究了周期槽形状对介质栅漏波天线辐射特性的影响。文中给出的曲线可供设计介质栅天线时参考。     

一种基于左手介质的新型介质栅漏波天线的理论分析

提出了一种基于左手介质的新型介质栅漏波天线,并采用多模网络与严格模匹配相结合的方法,对该左手介质栅天线的辐射特性进行了仔细严格的分析.文中给出了漏波系数随天线结构参数变化的关系以显示该左手介质天线特有的性质.数值结果表明这种新型漏波天线比传统介质栅天线具有更强的辐射能力.讨论了产生这种现象的原因.     

微扰法测量介质陶瓷薄膜的介电特性

对于介质陶瓷薄膜，特别是厚度小于1μm的介质陶瓷薄膜，我们提出了一种新的基于微扰理论的测量方法，本文对该方案进行了理论推导，获得了计算介质陶瓷薄膜复介电常数和Qf的公式，并设计了实际的测试方案，以具体的介质陶瓷薄膜作了测试验证和误差分析。结果表明，该方案是可行的，测量结果具有较高的精度(7％)，最后提出了对系统的改进方案。     

广义微扰法

本文针对目前电磁理论微扰法处理中的某些不足，提出微扰量、不变量和逐级处理这三个概念．以介质微扰为例，得到了精度更高的谐振腔和波导的二级微扰结果．     

介质微扰对微带天线性能影响的研究

本文论述了在微带天线辐射缝隙附近,局部的介质基板对天线频率特性的影响.首先建立了一个以空气为介质,工作频率为2.45GHz的矩形微带贴片天线,并给出了天线的具体尺寸,在此基础上,在天线基板两辐射缝隙处增加了相对介电常数为εr的一小段矩形支撑介质,借助于微带天线腔模理论模型和麦克斯韦方程式对改变后的模型进行分析,得出了增加支撑介质后天线谐振频率与原谐振频率的关系,并利用HFSS仿真工具验证了公式在一定范围内是正确的.     

双层介质周期漏波天线的辐射特性分析

利用互易性和谱域矩量法研究了具有双层介质衬底的平面二维周期性漏波天线的远区辐射场特性。首先根据互易原理,给出了周期漏波天线辐射远场的计算公式;然后采用整域基函数谱域矩量法计算贴片阵列的散射场,利用反射系数考虑了接地介质板的贡献;最后通过实际算例验证该方法的正确性,并分析介质衬底的介电常数、厚度及频率等参数对远区辐射场特性的影响,给出数值结果。     

广义微扰法

本文针对目前电磁理论微扰法处理中的某些不足,提出微扰量、不变量和逐级处理这三个概念.以介质微扰为例,得到了精度更高的谐振腔和波导的二级微扰结果.     

微波高功率双介质栅静电感应晶体管

提出了用同步外延法设计和制造具有双介质层栅结构和非饱和电流电压特性的高频高功率静电感应晶体管的关键技术.讨论了寄生栅源电容Cgs对静电感应晶体管高频功率特性的影响.描述了工艺上减小寄生电容、改善静电感应晶体管高频功率性能的主要方法和措施.成功地制造出频率在4 0 0 MHz时输出功率大于2 0 W、功率增益大于7d B、漏效率大于70 %和70 0 MHz时输出功率大于7W、功率增益大于5 d B,漏效率大于5 0 %的高性能静电感应晶体管     

微波高功率双介质栅静电感应晶体管

提出了用同步外延法设计和制造具有双介质层栅结构和非饱和电流电压特性的高频高功率静电感应晶体管的关键技术.讨论了寄生栅源电容Cgs对静电感应晶体管高频功率特性的影响.描述了工艺上减小寄生电容、改善静电感应晶体管高频功率性能的主要方法和措施.成功地制造出频率在400MHz时输出功率大于20W、功率增益大于7dB、漏效率大于70%和700MHz时输出功率大于7W、功率增益大于5dB,漏效率大于50%的高性能静电感应晶体管.     

超薄栅介质的可靠性研究

一、概述 随着亚微米工艺的日趋成熟,MOS集成电路的集成度也随之大幅度提高,所用的SiO_2在不断地减薄。例如,64KDRAM(动态随机存贮器)的氧化层厚度为30～40nm,256KDRAM的氧化层厚度为15～25nm,1MDRAM和电可擦可编程序唯读存贮器(EEPROM的氧化层厚度小于10nm。如图1所示。 氧化层不仅可用作MOSFET的栅介质,还可构成动态存贮器的存贮电容,并提供器件之间的隔离层。随着集成度的提高,芯片面积不断增大,器件尺寸按比例缩小,栅介质的不稳定和击穿等成为MOS集成电路失效的主要原因。例如,在EEPROM中,隧道击穿是导致其疲劳损坏的主要原因。因此,了解、分析、提高超薄栅介质的稳定性与可靠性是十分必要的。     

高k栅介质材料的研究进展

综述了超薄SiO2栅介质层引起的问题、MOS栅介质层材料的要求、有希望取代传统SiO2的高k栅介质材料的研究进展.提出了高k栅介质材料研究中需进一步解决的问题.     

超薄LPCVD二氧化硅膜栅介质

本文介绍低温生长的薄LPCVD二氧化硅膜经短时间热退火后，热氮化后的物理及电学性质。与热生长二氧化硅膜性质进行比较，结果表明，LPCVD二氧化硅膜许多性质优于热生长二氧化硅膜。适合做MOS晶体管的栅介质。文中重点指出，小于10nm的超薄的LPCVD二氧化硅膜经快速热退火或热氮化后做MOS晶体管的栅介质，其电学特性优于热生长二氧化硅膜做栅介质的MOS晶体管。在低温器件及超大规模集成电路中有广泛的应用前景。     

高k栅介质MOSFET的栅电流模型

提出了包括有限势垒高度下反型层量子化效应以及多晶硅耗尽效应在内的直接隧穿电流模型.在该模型的基础上,研究了采用不同高介电常数栅介质材料时MOSFET的栅电流与介质材料的介电常数、禁带宽度及和Si导带不连续等参数之间的关系.所获得的结果能够为新型栅介质材料的选取提供依据.