液晶有源矩阵设计中若干问题

本文着重讨论了液晶有源矩阵设计的整体思路和几个重要问题。我们首先提出有源矩阵设计的总体思想,其思想分三步,第一步:由已知设计参数,如 AM-LCD 显示面积尺寸,扫描和数据行列数 N_xM,帧时,要求开口率、开态电压 V_on 等,推算出液晶显示单元电容 C_lc ,再根据 I_on、I_off 来确定有源矩阵器件单元结构尺寸,其中考虑到工艺水平和器件自身特性。通     

异质结双极晶体管（HBT）热电耦合特性的准二维TLM法数值分析

通过建立基于耗尽层等效的准二维模型。模拟了异质结双极晶体管（HeterojuctionBipolarTransistorHBT）的热电耦合特性。在模型中，器件内的温度和少数载流子分布都采用传输线矩阵（TransmissionLineMatrix．TLM）法求得。计算结果表明该模型能有效、方便地分析器件的热电耦合特性，同时能减少对计算的时间占用和内存空间。     

有机发光晶体管的研究进展

兼备有机发光二极管及薄膜场效应晶体管特性的有机发光晶体管(OLET)不仅可能取代薄膜晶体管驱动的液晶显示,应用于大面积的全有机有源矩阵柔性显示中,还在集成电路信号处理等方面具有潜在的应用价值.文章概述了OLET的发展进程,并从器件结构、工作原理和材料等方面对其进行了概述.     

具有非饱和三极管特性的新型场效应晶体管

目前,显示出电压增加而电流不饱和的真空三极管全新特性的场效应晶体管,由于其特性新颖和优越,不仅适用于高频领域,而且开始向功率机器和高频机器等领域发展。其特点大致归纳如下: (1)没有显示出以前的场效应晶体管那样的所谓饱和的五极管特性,而给出了非饱和的特性或三极管特性。因此,以前的场效应晶体管为恒流型器件,而这种新的场效应晶体管为恒压型器件。     

一种SiGe BiCMOS高速PNP器件的设计

设计了一种适用于SiGe BiCMOS工艺的低成本、高性能垂直结构PNP器件.基于仿真结果,比较了不同发射区和基区制作方法对器件特性的影响.在确定器件结构和制作工艺的基础上,进一步优化了器件特性.基于仿真得到的工艺条件所制作的PNP器件,其特性与仿真结果基本一致.最终优化的PNP器件的电流增益为38,击穿电压大于7V,特征频率为10 GHz.该PNP晶体管改善了横向寄生硅基区PNP晶体管的性能,减少了垂直SiGe基区PNP晶体管工艺的复杂性,采用成本低廉的简单工艺实现了优良的器件性能.     

彩色液晶显示设备的清晰度如何算

液晶板给出了一个像素点的指标。对于TFT液晶板来说,一个TFT晶体管连接一个像素点。按照4:3或16:9的矩阵排列,多少个像素点能推算出多少行乘多少列。对于黑白或单色液晶成像画面而言,矩阵的列行数目就是水平分辨率和垂直分辨率。     

Supertex公司推出Superfet器件

位于美国加利福尼亚州Sunnyvale市的Supertex公司,在一片芯片上组合制出了MOS晶体管和双极晶体管,其目的是生产一种特别适用于高速大功率开关场合的所谓Superfet器件。这种新型设计包含有大电流VMOS功率晶体管的输入和开关特性及双极晶体管的电压降特性。虽然这种组合式器件并非新东西,但是Supertex公司设计的器件还附加有低值电阻器,以便避免不希望有的瞬变电压产生的导通。这     

隧穿晶体管研究进展

随着晶体管尺寸不断缩小,CMOS电路的功耗问题变得日益严重。隧穿晶体管是一种基于载流子的隧道效应工作的器件,可以在室温下实现小于60 mV/dec的亚阈值摆幅,具有很好的低功耗应用前景。但常规的隧穿晶体管导通电流比较小,而且具有双极特性。首先介绍了隧穿晶体管的结构和工作原理。其次,针对常规隧穿晶体管问题,综述了国内外研究进展,包括Ge材料隧穿晶体管、纳米线隧穿晶体管等。最后介绍了一种基于隧穿介质层的新型隧穿晶体管,器件仿真结果表明这种新型器件可以有效抑制双极特性。     

一种新栅结构垂直砷化镓场效应晶体管

本文提出一种呈现类五极管特性的新的垂直砷化镓场效应晶体管(V-GaAsFET),并用反应离子刻蚀(RIE)和MO-CVD技术相结合的方法制作出实验性的器件。这种器件独有的特征是一种埋入GaAs单晶里面的栅状介质/金属/介质栅的应用。对这种新器件的直流特性和标准穿透基区晶体管(PBT)的直流特性进行了对比。对于期望由这种结构所改善的器件特性进行了详细的讨论。     

具有混合I-V特性的静电感应晶体管的电性能

研究了具有混合型I-V特性的静电感应晶体管,提出了实现混合I-V特性所必需的器件结构参数、材料参数和工艺参数之间的最佳匹配关系.工艺实践表明沟道尺寸在确定器件特性是混合型、类三极管型还是类五极管型方面有着重要作用.讨论了静电感应晶体管性能控制的一般原则、方法和制造参数的控制判据以及控制因子β的作用.研究结果对静电感应晶体管的设计和制造,特别对具有混合型I-V特性的静电感应晶体管有实用价值.     

具有混合I- V特性的静电感应晶体管的电性能

研究了具有混合型I- V特性的静电感应晶体管,提出了实现混合I- V特性所必需的器件结构参数、材料参数和工艺参数之间的最佳匹配关系.工艺实践表明沟道尺寸在确定器件特性是混合型、类三极管型还是类五极管型方面有着重要作用.讨论了静电感应晶体管性能控制的一般原则、方法和制造参数的控制判据以及控制因子β的作用.研究结果对静电感应晶体管的设计和制造,特别对具有混合型I- V特性的静电感应晶体管有实用价值.     

国外微波晶体管的发展概况

晶体管和场效应管以直接起着放大和振荡功能的有源器件广泛得到应用。 最初的晶体管由锗器件开始。锗晶体管经历了合金型、微合金型和台式型的发展阶段。从锗材料的固有性能上来讲,锗材料以其高迁移率适用于高频器件。但后来由于硅平面工艺和钝化等先进技术的出现,硅晶体管呈现了更多的优点,远远超过了锗晶体管。比如在高稳定性、长寿命、高可靠性及高温工作等特性方面,以及在精密控制、自     

铁电负电容场效应晶体管器件的研究

铁电负电容场效应晶体管作为一种新型半导体器件,利用铁电材料的负电容效应可使晶体管的亚阈值摆幅突破理论极限值60 mV/dec,是未来低功耗晶体管领域最具有前途的器件之一。该文研究并建立了铁电负电容场效应晶体管的器件模型,采用Matlab软件对负电容场效应晶体管的器件特性进行了研究分析,获得了亚阈值摆幅为33.917 6 mV/dec的负电容场效应晶体管的器件结构,探究了铁电层厚度、等效栅氧化层厚度及不同铁电材料对负电容场效应晶体管亚阈值摆幅的影响。     

圆柱形场效应晶体管

基于平面形场效应晶体管的肖克莱理论,分析推导了圆柱形场效应晶体管的特性。发现圆柱形器件能给出二倍于平面形器件的电压放大系数。它的频率特性和肖克莱的元件是可比拟的。由于少了一个自由度,使圆柱形场效应管的跨导和功率特性明显地受到限制。实验数据证实了分析结果。     

共振隧穿二极管基础电路的模拟与分析

简单介绍了RTD的器件特性和器件模型 ,用HSPICE模拟出RTD与电阻、MOS晶体管、RTD本身结合的电路特性。通过对不同电路参数I V特性的模拟和分析 ,为理解RTD器件机理和构造复杂电路提供了初步的基础     

碳化硅电力电子器件

以硅器件为基础的电力电子技术，因大功率场效应晶体管(功率MOS)和绝缘栅双极晶体管(IGBT)等新型电力电子器件的全面应用而日臻成熟。目前这些器件的开关性能，已随其结构设计和制造工艺的相当完善，而接近其材料特性决定的理论极限，依靠硅器件继续完善和提高电力电子器件装置与系统的潜力已十分有限。伴随新世纪的到来，实用化和商品化的碳化硅肖特基势垒功率晶体管以其初露的优势特性，证实了它在改善以硅器件为基础的电力电子技术方面将引起革命性变化。     

超深亚微米SOI总剂量效应泄漏电流模型

总剂量辐射效应会导致绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SOI MOSFET)器件的阈值电压漂移、泄漏电流增大等退化特性。浅沟槽隔离(STI)漏电是器件退化的主要因素,会形成漏极到源极的寄生晶体管。针对130 nm部分耗尽(PD) SOI NMOSFET器件的总剂量辐射退化特性,建立了一个包含总剂量辐射效应的通用模拟电路仿真器(SPICE)模型。在BSIM SOI标准工艺集约模型的基础上,增加了STI寄生晶体管泄漏电流模型,并考虑了辐射陷阱电荷引起寄生晶体管的等效栅宽和栅氧厚度的变化。通过与不同漏压下、不同宽长比的器件退化特性的实验结果对比,该模型能够准确反映器件辐射前后的漏电流特性变化,为器件的抗辐射设计提供参考依据。     

选择离子注入集电极技术研究

为提高超高速双极晶体管的电流增益 ,降低大电流下基区扩展效应对器件的影响 ,将选择离子注入集电区技术 (SIC)应用于双层多晶硅发射极晶体管中。扩展电阻的测试结果显示出注入的 P离子基本上集中在集电区的位置 ,对发射区和基区未造成显著影响。电学特性测量结果表明 ,经过离子注入的多晶硅发射极晶体管的电流增益和最大电流增益对应的集电极电流明显高于未经离子注入的晶体管。因此 ,在双层多晶硅晶体管中采用 SIC技术 ,有效地降低了基区的扩展效应 ,提高了器件的电学特性。     

光电双向负阻晶体管的研制及特性分析

首次对双向负阻晶体管(BNRT)进行了光敏化,设计并研制出既有光敏特性又有“S”型负阻特性的一种新型光电开关器件——光电双向负阻晶体管(PBNRT)。介绍了器件的设计和研制过程;测量分析了其J—V特性与光强和栅极电压的关系;测量了光电开关的时间常数并进行了分析讨论。     

集成型非穿通超增益双极晶体管

本工作首先从器件理论出发讨论了超增益和非穿通特性对晶体管的器件结构要求,然后分析了将分立型非穿通超增益器件工艺引入集成电路制作时可能遇到的困难,最后提出了一项适合于制作集成型非穿通超增益双极晶体管的新工艺方法.