锡催化生长氧化硅纳米线的制备和表征

使用高纯SnO2粉和石墨粉混合物作为锡催化剂的来源,硅片作为硅的来源和产物生长的基底,用化学气相沉积法在硅片上准备了有序排列的氧化硅纳米线组成的微米结构,用扫描电子显微镜(SEM)、X-射线能谱仪(EDX)、透射电子显微镜(TEM)和选区电子衍射谱图(SAED)对其进行了表征.结果表明:直径为5-15 μm,长度达到5...     

Sn催化的Ga掺杂ZnO纳米线的制备及其光致发光性能研究

采用化学气相沉积的方法,以Sn粉为催化剂制备出大长径比的Ga掺杂ZnO纳米线。采用扫描电子显微镜观察制备的产物,发现样品为直径约25～90nm的纳米线。通过比较不同Ga掺杂含量样品的室温光致发光谱,发现一定掺杂含量的Ga可以提高ZnO纳米线的紫外发光强度,同时,Ga的掺杂也会引起ZnO紫外发光峰的蓝移。随着Ga含量的增加,蓝移程度越来越小,甚至发生红移。Sn的引入只对Ga掺杂ZnO纳米线的蓝绿光有贡献。     

催化剂辅助化学气相沉积法制备InN纳米线

采用催化剂辅助化学气相沉积法,通过固-液-气(V-L-S)机理控制在硅衬底上制备了高质量的InN纳米线。利用FESEM、XRD、HRTEM对制备的InN纳米线的表面形貌和结构进行了表征。分析表明合成的InN纳米线为标准的六方纤锌矿结构,纳米线沿[102]方向生长。室温PL光谱表明,制备的InN纳米线在1580nm(0.78eV)处存在很强的无缺陷的带边发射,与六方纤锌矿结构InN单晶发射峰位置一致,表现出良好的光电性能。     

催化剂辅助化学气相沉积法制备InN纳米线

采用催化剂辅助化学气相沉积法,通过固-液-气（V-L-S）机理控制在硅衬底上制备了高质量的InN纳米线。利用FESEM、XRD、HRTEM对制备的InN纳米线的表面形貌和结构进行了表征。分析表明合成的InN纳米线为标准的六方纤锌矿结构,纳米线沿[102]方向生长。室温PL光谱表明,制备的InN纳米线在1580rlIn（...     

ZnO纳米线的气相沉积法自催化生长及发光性能研究

介绍了一种通过气相沉积法自催化生长氧化锌纳米线的方法。氧化锌纳米线的生长方向为〈001〉,其尺寸随反应温度的升高而增大。光致发光分析表明绿光发射强度随氧化锌纳米线尺寸而变化。当氧化锌纳米线直径小至5～10nm时,由于量子效应而表现出非常强的绿光发射。     

热蒸发法制备第Ⅳ族半导体纳米线的研究进展

系统地分析了压强和温度在热蒸发法生长中对Si纳米线的产量和形貌结构的影响,并全面解析了用热蒸发法制备Ⅳ族纳米线的氧化物辅助生长机理。同时,对国内外采用热蒸发法制备第Ⅳ族半导体(Si、Ge、SiGe)纳米线的研究现状进行了详细介绍,并展望了其应用前景。     

ZnO纳米线的催化合成及其光致发光性能

采用气相传输法,以金膜为催化剂,氧化锌和石墨混合粉末为锌源,制备氧化锌纳米材料。研究获得氧化锌纳米线的光致发光性能。初步探索了氧化锌纳米线的生长机理。实验结果表明,当衬底温度为600℃时,金颗粒的催化性能得到了较好的发挥,形成长度大于10μm,直径小于80 nm的均匀致密的氧化锌纳米线膜。这种氧化锌纳米线具有紫外发光特性。低于600℃时,锌氧蒸汽发生了自凝结,进而在金颗粒间隙形成氧化锌带(400℃时),或在金颗粒上吸附聚集形成花状氧化锌纳米棒(200℃时)。而在高于600℃时,金颗粒析出的锌迅速挥发或氧化、长大,出现了稀疏的针状氧化锌和颗粒。氧化锌纳米线可能的生长模式为“底端生长“模式。     

常压条件下制备SnO2纳米线及其光学性能研究

在常压条件下采用气相沉积方法制备出SnO_2纳米线,X射线衍射和Raman光谱结果均表明制备出来的产物为金红石结构.在样品的光致发光谱中观察到缺陷发光峰.研究还发现蒸发源及其放置时间在SnO_2纳米线的形成过程中起重要的作用.     

一维纳米氧化锌的溶剂热法制备及其光致发光性能

以乙二胺为介质,利用溶剂热法合成出一维结构的纳米氧化锌,并通过透射电镜（TEM）、X射线衍射（XRD）等对产物的形貌和结构进行了表征。在反应过程中,纳米氧化锌通过“溶解-结晶”机制形成。实验制得纳米氧化锌的紫外-可见光谱体现出其纳米材料的小尺寸效应,在波长325nm处显示较强的激子吸收,与体相材料相比产生明显蓝移;荧光...     

硅纳米线光致发光的原理及研究进展

系统地介绍了导致硅纳米线(SiNWs)光致发光(PL)的主要原理,如量子限制效应、量子尺寸效应、硅纳米颗粒发光机理和杂质缺陷发光机理。同时从SiNWs的直径、测试温度、SiNWs外部包覆层、SiNWs的形态等几个方面出发,详细地归纳总结了近十多年来国内外对SiNWs的PL原理的研究成果及进展。     

Synthesis and photoluminescence of zinc sulfide nanowires by simple thermal chemical vapor deposition

We present a synthetic method of zinc sulfide nanowires by a simple and safe reaction of zinc oxide and iron sulfide powders on a gold-coated silicon substrate through chemical vapor transport and condensation. High quality ZnS nanowires with single crystalline wurtzite structures are grown along [0 0 1] direction with diameters in the range of 10–30 nm and lengths up to tens of micrometers. Photoluminescence spectrum shows strong emission near 339 nm. These nanowires with cleaved ends could be a prominent candidate material for a nanoscale cavity as a ultra-violet nanolaser.     

短通道介孔二氧化硅的制备与水蒸气吸附性能EI北大核心CSCD

在高速搅拌条件下调整分子组装过程的外界应力,制备出短通道(500~700 nm)、条棒状的有序介孔二氧化硅,研究不同模板剂脱除方式对介孔二氧化硅的水蒸气吸附性能影响,获得强化介孔二氧化硅吸附性能的方法。结果表明:在短通道、条棒状介孔二氧化硅的制备过程中模板剂脱除的温度对材料表面羟基浓度影响较大,选择萃取与低温煅烧相结合方法脱除模板剂,萃取4次,250℃煅烧脱除模板剂的材料水蒸气吸附性能最好,在实验条件下平衡吸附时间约为7.5 min,是商品SBA-15的78.95%;平衡吸附量0.73 g·g^(-1),是商品SBA-15的1.49倍。     

化学气相反应制备碳化硅纳米线

用硅粉、二氧化硅和石墨粉作原料，在无催化剂的条件下，在1400℃下用高温化学气相反应法制备了碳化硅纳米线，并用高分辨扫描电镜观察了所得碳化硅纳米线的形貌。所得碳化硅纳米线直径为100-500nm，长度可达几百微米。还提出了描述碳化硅纳米线的生长机理。     

Structural and optical verification of residual strain effect in single crystalline CdTe nanowires

Single crystalline CdTe nanowires have been synthesized using Au-catalyzed chemical vapor deposition. X-ray diffraction reveals the existence of non- negligible inhomogeneous compressive strain in the nanowires along the 〈111〉 growth direction. The effect of the strain on the electronic structure is manifested by the blue-shifted and broadened photoluminescence spectra involving shallow donor/acceptor states. Such residual strain is of great importance for a better understanding of the optical and electrical behaviors of various semiconductor nanomaterials as well as for device design and applications.     

热化学气相沉积法在硅纳米丝上合成碳纳米管

利用热化学气相沉积法在负载不同厚度催化剂的硅纳米丝(SiNW)表面生长碳纳米管(CNTs),探讨了生长条件对所合成SiNW-CNT的结构和场发射特性的影响.这种类似树状的三维结构具有较高碳纳米管表面密度及降低的电场筛除效应等潜在优势.使用拉曼光谱( Raman)、电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、能量扩散分光仪(EDS)分析了碳纳米管的结构性质,并在高真空下施加电场测得碳纳米管的场发射特性.结果表明:随硅纳米丝上负载催化剂镍膜厚度的变化,所合成碳纳米管的表面特性、结晶结构及功函数改变,导致电子发射难易程度的改变,进一步影响碳纳米管的场发射特性.     

Batchwise growth of silica cone patterns via self-assembly of aligned nanowires

Silica-cone patterns self-assembled from well-aligned nanowires are synthesized using gallium droplets as the catalyst and silicon wafers as the silicon source. The cones form a triangular pattern array radially on almost the whole surface of the molten Ga ball. Detailed field-emission scanning electron microscopy (SEM) analysis shows that the cone-pattern pieces frequently slide off and are detached from the molten Ga ball surface, which leads to the exposure of the catalyst surface and the growth of a new batch of silicon oxide nanowires as well as the cone patterns. The processes of growth and detachment alternate, giving rise to the formation of a volcano-like or a flower-like structure with bulk-quantity pieces of cone patterns piled up around the Ga ball. Consequently, the cone-patterned layer grows batch by batch until the reaction is terminated. Different to the conventional metal-catalyzed growth model, the batch-by-batch growth of the triangular cone patterns proceeds on the molten Ga balls via alternate growth on and detachment from the catalyst surface of the patterns; the Ga droplet can be used continuously and circularly as an effective catalyst for the growth of amorphous SiO(x) nanowires during the whole growth period. The intriguing batchwise growth phenomena may enrich our understanding of the vapour-liquid-solid (VLS) growth mechanism for the catalyst growth of nanowires or other nanostructures and may offer a different way of self-assembling novel silica nanostructures.     

阵列纳米ZnO的一种新颖的制备方法及其光致发光特性研究

将锌粉、炭粉和氧化锌粉末混合,用简单的热蒸发方法一步就合成了大量的尖锥状纳米ZnO阵列,该方法克服了其它制备方法需要先单独制备催化剂再合成ZnO的缺点而且得到产物不含杂质.用SEM、EDX、XRD和PL对样品进行了形貌、结构和发光特性分析.结果表明,生成的锥状阵列纳米ZnO为六方纤锌矿结构,产物中氧的含量不足,初步探讨了阵列纳米ZnO结构的生长机理和光致发光性质.     

纳米多孔二氧化硅绝热薄膜的研究进展

作为微电子机械系统(MEMS)技术中最有潜力的绝热材料,纳米多孔二氧化硅薄膜近年来引起了广泛的关注.研究表明其绝热性能与微观结构密切相关.综述了纳米多孔二氧化硅薄膜的制备方法、表征手段和绝热机理,并讨论了目前存在的一些问题和今后的发展方向.