氮气氛直拉硅中氮氧复合物及其红外吸收

本文分析了掺氮的CZ硅中与氮有关的七条红外吸收峰的形成,指出所谓的“氮氧复合物”实质上是在氮对-硅四面体基础上发展而成的氮对-硅-氧复合体。文章还分析了热处理后的掺氮CZ硅的红外吸收,由此找到了研究硅中氮氧相互作用的一种有效方法。     

辉光放电空气等离子体改性聚砜膜的研究

为了研究空气中等离子体改性对聚砜(PSF)超滤膜性能的影响,通过辉光放电空气等离子体对聚砜膜进行表面改性,采用亲水接触角法评价了改性条件对聚砜膜表面性质的影响规律.采用牛血清蛋白溶液作为类蛋白污染物进行试验,评价了改性前后聚砜膜的渗透性、污染率、恢复率等性能.结果表明,聚砜膜表面经等离子体处理后,表面润湿性发生变化,在最佳表面改性条件(放电功率8W,放电时间30s)下,膜表面的水接触角从69°下降到20°.改性后的聚砜膜渗透性能提高,抗污染性能得到了明显改善.     

制造非晶硅锗合金膜的新技术

本文报告了我们设计的制造非晶硅锗合金膜的一种新方法——直流反应溅射法。用这种方法,我们得到了锗含量从5％到95％的分布均匀的氢化非晶硅锗合金,膜质均匀、致密,是制造太阳能电池、锗化锗晶体管的优良材料。     

室温下硅与硅锗合金的热电性能研究

采用第一性原理方法研究在温度为300 K时,硅单质和两种锗组分不同的硅锗合金的热电性能,发现虽然硅的热电功率因子S2σ较大,但由于其热导率也高,故不是良好的热电材料,但若与其同族的元素锗形成合金,就可使材料的热导率得到显著下降,伴随而来的载流子迁移率的下降则远不如热导率明显,从而可获得较大的热电优值,而且在硅锗合金中锗含量不同时,热电优值也会有变化.     

多晶硅发射极锗硅合金基区HBT理论模型

对多晶硅发射极锗硅合金基区ＨＢＴ提出了一个理论模型，认为在多晶硅发射区和锗硅合金基区间存在一界面层。通过计算机模拟得到界面层的厚度取适当值时有利于增益的提高，但应降低界面态密度；随着基区中锗含量ｘ的增大增益相应增大，但由于界面态的作用，当ｘ增加到一定值时增益的提高变缓。     

辉光放电等离子体降解水中氧四环素（英文）

采用接触辉光放电等离子体(CGDE)降解水中氧四环素,考察了不同条件(放电电压、初始浓度、电解质浓度、初始p H值)对氧四环素(OTC)降解率的影响.研究结果表明,放电电压500 V、OTC浓度60 mg/L、电解质为3 g/L Na_2SO_4、初始p H为3.0时,放电60 min,OTC降解率达98.12%.Fe~(2+)为4.0 mg/L时,CGDE放电5min,OTC降解率高达98.48%.CGDE体系中添加亚铁盐能有效加快OTC的降解过程.     

锗合金扩散晶体管负阻特性的研究

兰大技革组已从实验上发现,只要时3AG63锗合金扩散晶体管进行适当地脉冲“处理后”,它的Ⅰ-Ⅴ特性就具有典型的负阻特性。文中探讨了这种负阻现象的物理机理,借用电子计算机求解了热—电传导方程式,所得结果同实验一致。     

硅锗合金氧化纳米结构的光致发光谱

首次发现硅锗合金氧化纳米结构中的锗纳米层的PL谱(5410A波长处的谱峰),采用量子受限模型分析PL谱结构得到的计算方法和结果与实验拟合较好.     

硅,锗衬底上的软硬碳氢膜

我们使用射频-直流辉光放电系统制备了非晶碳氢膜(a-C:H),所用的衬底为半导体级抛光后的硅、锗单晶片,锗片纯度在9个9以上,硅片为N型,电阻率10～20Ω·cm为研究淀积源对膜层结构的影响,我们除使用气态源乙炔(C_2H_2)外,还使用了液态源戌烷(C_5H_(12))。所用淀积参数为:高频频率10MHz,高频功率密度1.4～2.8W/cm~2(未能精确测量),直流偏压0～600V,气体流量0.3～0.61/min,反应室内压强0.01～1托,衬底温度:室温～300℃。     

纳米晶硅和无定形硅混合物特性研究

利用ＴＦＤ模型和电子的能量分析对纳米硅和无定形硅两种材料的混合物进行了分析计算，给出了提高材料导电性能和增加材料韧性的一些基本准则，指出利用纳米级材料有可能设计出轻质、高韧性的实用材料。     

近表面辉光放电促进金刚石在镜面抛光硅表…

近表面辉光放电实现了在镜面抛光硅表面的高密度形核。形核时间可以缩短到３ｍｉｎ，形核密度可达〉１０＾１０／ｃｍ＾２。用原子力显微镜观察近表面辉光放电法和负偏压法处理的基片表面形貌、观察结果表明近表辉光放是法极大地避免了正，负离子轰击造成榈表面的破坏。     

介质表面的辉光放电特性

为产生大面积片状等离子体,实验研究了在介质表面的直流放电氩等离子体特性. 测试了共面电极和对面电极两种结构下的放电伏安特性曲线和等离子体发光图像,讨论了介质表面效应对电场分布和放电特性的影响. 结果表明,这两种电极结构具有相似的放电特征,等离子体通道紧贴介质表面;二者伏安特性曲线基本相同,它们随放电条件的变化规律也比较相似,但与传统平板电极直流放电特性不尽相同. 介质表面影响电场分布和电荷损失机制,因而影响放电特性. 介质表面共面和对面电极结构可以产生高密度平面等离子体.     

掺钇非晶硅膜的红外吸收谱

研究了不同衬底温度,不同掺钇浓度的a-Si:H(Y)膜的红外吸收谱,并与未掺杂的a-Si:H 膜比较。利用吸收峰的积分估算了样品中Si-H 键的数目。     

真空蒸发微晶硅和无定形硅薄膜电导研究

我们在140K到450K的温度范围内测量了真空蒸发的无定形和微晶硅薄膜的电导,结果显示出氢处理前后两种材料电导温度特性变化的明显差别。本文给出了新的解释并估计出了它们中的缺陷密度。     

大气压级联辉光放电中射频放电对脉冲放电的影响

针对脉冲放电的起辉过程会影响脉冲介质阻挡放电效率的问题,在脉冲放电前引入脉冲调制射频放电组成级联放电.建立大气压氦气级联辉光放电的二维自洽流体数值模型,研究调制射频放电对脉冲放电特性的影响.深入探讨放电极板间隙中调制射频放电段结束后剩余的等离子体粒子的空间分布及时空演化过程.分析电子密度、离子密度和电场强度随时间与空间...     

脉冲激光作用硅锗合金形成多种捕获界面态

用脉冲激光辐照和退火氧化处理在硅锗合金衬底上形成了具有不同界面态分布的氧化低维结构.在这些结构中都有在几个纳米的氧化层中约束了大量的硅和锗的纳米团簇结构,分析这些低维结构所产生的光致荧光(PL)光谱发现,由于氧化条件的不同所生成的这些结构对应的PL光谱无论是强度,还是频率都发生了显著的变化.用量子受限-硅锗与氧化物界面态综合模型解释了样品PL发光的变化.     

氩辉光放电阴极区离子的能量和角分布

由蒙特卡罗方法模拟离子在氩直流辉光放电阴极位降区的运动，包括了 离子现中性原子的电荷交换碰撞和弹性散射，用到了较精确的依赖于离子能 量的电荷交换和动量输运截面，得到了阴极位降区不同位置离子的能量分布 和角分布．发现：离子由负辉光区向阴极运动过程中，离子能量分布的高能部 分逐渐增大，角分布向小角度部分压缩，阴极位降区的强电场加速和聚焦了 离子．     

辉光放电钎焊的材料适应性研究

为研究辉光放电钎焊对材料的适应性,对几种常用的黑色金属和有色金属进行了辉光钎焊。实验证明：采用合适的钎焊工艺,选择合适的钎料可以获得高质量的钎焊接头,利用辉光放电可实现钎焊的快速加热及工件的阴极净化。