电子束蒸发与磁控溅射制备AI／PI复合薄膜的性能研究

利用磁控溅射法和电子束蒸发法在聚酰亚胺（PI）薄膜基底上沉积了铝功能膜。测试了两种方法薄膜的膜厚、附着力、反射率、折射率和电导率。结果表明,磁控溅射法制备的铝膜的综合性能较电子束蒸制备的铝膜的性能优越。     

电子束蒸发与磁控溅射制备Al/PI复合薄膜的性能研究

利用磁控溅射法和电子束蒸发法在聚酰亚胺（PI）薄膜基底上沉积了铝功能膜。测试了两种方法薄膜的膜厚、附着力、反射率、折射率和电导率。结果表明,磁控溅射法制备的铝膜的综合性能较电子束蒸制备的铝膜的性能优越。     

碳化硼薄膜的电子束蒸发制备及表面分析

采用电子束蒸发技术制备碳化硼薄膜,利用X射线衍射(XRD)分析了薄膜的结构,测量了薄膜的X射线光电子能谱(XPS),并利用原子力显微镜(AFM)对薄膜进行表面分析.XRD结果表明:薄膜的结晶性随着衬底温度的升高逐渐转好,在较低的衬底温度下制备出多晶碳化硼薄膜.XPS分析得到了碳化硼薄膜表面的化学成分和结构特性,其主要成分为B_4C.AFM结果表明,薄膜表面光滑平整、均匀致密,随着衬底温度的升高薄膜均方根(RMS)粗糙度逐渐增大.     

电子束蒸发沉积Al-Cr合金涂层研究

研究了电子束蒸发镀沉积Al-Cr合金涂层的工艺，探讨了铬含量对涂层耐蚀性的影响。对涂层的物相、形貌以及热处理对涂层和基体之间热扩散的影响进行了分析．结果表明：涂层中铬含量与膜料中铬含量有较大差异；在温度为283K，30g／L NaCl溶液中含1.5％Cr、2.5％Cr、5％Cr的Al-Cr合金涂层的自腐蚀电位均比普通钢基材的电位负，因此它们作为阳极性涂层对普通钢基材能起到较好的电化学保护；涂层为晶态组织，其物相为Al和少量的Cr9Al17。随膜料中Cr含量的增加，其生成的Cr9Al17的量也随之增多；在真空蒸镀时涂层沉积有方向性；对涂层进行600℃，lh热处理后，涂层与基体间元素产生了互扩散．     

TiAl合金的电子束蒸发行为

建立了TiAl合金蒸发和沉积数学模型，采用活度系数体现溶池中不同组元的相互作用，影响组元蒸发速率的因素主要有元素饱和蒸气压和活度系数，计算值与试验值符合良好。研究结果表明，TiAl合金可以采用底部连续进给单一水冷铜坩埚通过电子束物理气相沉积得到。     

电子束蒸发镀铬制备凹印版材耐磨层的研究

利用电子束蒸发镀技术在铜表面沉积铬层,并对制备的工艺,涂层的性能行了初步研究.结果显示,采用低电压(6kV)和低束流(50mA、60mA))蒸镀时,沉积速度适中,所得的膜层呈银白色且光亮,内应力较小,无开裂现象,镀层厚度均匀,硬度较高,且与基体结合良好.适当控制电子枪的工艺参数和烘烤时间可以增加薄膜与基体的结合力.     

等离子辅助电子束蒸发La2O3薄膜的制备

采用等离子辅助电子束蒸发，在Si（100）衬底上沉积La2O3薄膜。随后对非晶的沉积态薄膜在750℃和900℃分别退火1h。实验结果表明，采用等离子辅助电子束蒸发，可以获得非晶态的La2O3薄膜：经750℃热处理后，薄膜部分晶化：经900℃热处理后，薄膜显著晶化，晶粒尺寸明显增大，并沿（002）方向择优取向。对薄膜厶矿特性的测量结果表明，沉积态薄膜具有较小的漏电流，但随着热处理温度升高，薄膜晶化程度提高，薄膜漏电流逐渐增大：对薄膜透过率的测量结果表明，单面抛光的Si衬底上沉积La2O3薄膜，在近红外范围内有明显的增透效果，最大可达20％左右。     

等离子辅助电子束蒸发La2O3薄膜的制备

采用等离子辅助电子束蒸发,在Si(100)衬底上沉积La2O3薄膜.随后对非晶的沉积态薄膜在750℃和900℃分别退火1 h.实验结果表明,采用等离子辅助电子束蒸发,可以获得非晶态的La2O3薄膜;经750℃热处理后,薄膜部分晶化;经900℃热处理后,薄膜显著晶化,晶粒尺寸明显增大,并沿(002)方向择优取向.对薄膜I-V特性的测量结果表明,沉积态薄膜具有较小的漏电流,但随着热处理温度升高,薄膜晶化程度提高,薄膜漏电流逐渐增大;对薄膜透过率的测量结果表明,单面抛光的Si衬底上沉积La2O3薄膜,在近红外范围内有明显的增透效果,最大可达20%左右.     

蓄能光催化材料对大肠杆菌的抗菌性能研究

将长余辉发光材料与TiO2薄膜相复合制备了蓄能光催化材料，研究了此材料对大肠杆菌的抗菌性能。TiO2在光照下具有高的光催化活性，能够将细菌完全分解，而在黑暗中却没有光催化性能。蓄能发光材料能够为TiO2提供光源，这样即使在关闭光源的黑暗中，蓄能光催化材料也具有抗菌作用。这种蓄能光催化材料可以采用间歇照明的方式实现全天候抗菌功能。     

电子束焊接5A06铝合金接头Mg元素蒸发烧损行为分析

研究了5A06铝合金电子束焊接后熔池内Mg元素的分布及其对焊缝硬度的影响,并分析了焊接工艺参数对Mg元素烧损行为的影响.结果表明,在接头区域随着熔深的增加,Mg元素含量增加,即烧损程度减小,同时显微硬度增大;随着加速电压和束流的增加,熔深增加,Mg元素烧损率降低;随着焊接速度增加,Mg元素烧损率降低,熔深却减小.为减小Mg元素烧损,在电子束焊时可适当增加焊接的加速电压与束流、加快焊接速度.     

蒸镀法制备ZnS光学薄膜研究

采用真空蒸镀法在Si(111)基板上制备了ZnS光学薄膜,并系统研究了蒸发温度、沉积时间、基板距蒸发源的位置等因素对所制备薄膜物相及显微结构的影响.用X-射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)对制备的薄膜进行了表征.结果表明:制备薄膜的物相主要以β-znS闪锌矿(Sphalerite)为主,并有少量的α-ZnS纤锌矿(Wurtzite),薄膜具有(111)结晶取向的生长特征.当沉积温度为1200℃时,所制备薄膜的结晶性能较好,随沉积时间延长,薄膜的结晶性能降低.     

Nano-structural Modification of Amorphous Carbon Thin Films by Low-energy Electron Beam Irradiation

CARBON-BASED MATERIALS have been regardedas one of the most important materials in nano-technology.Not only nanotubes and fullerenes but alsoa new form of carbon incorporating distinct graphiticconfigurations in amorphous carbon networks hasrecently attracted extensive interests in order toaccomplish high performances by combining diversephysical properties which arise from carbon structuresfl,2].In particular,the establishment of functionallyhybridized carbon systems with a thin film f…     

热蒸发法制备Mg和Mg-Ni薄膜及其氢化性能

采用热蒸发法制备了纯Mg膜及Mg78Ni22合金膜,研究了薄膜的结构及其氢化性能．Mg膜具有典型的柱状晶结构,择优取向生长趋势明显;Mg78Ni22薄膜由纳米晶Mg2Ni,Mg及少量非晶组成,Mg2Ni相沿着平行于薄膜表面的(001)方向择优生长．纯Mg膜的吸放氢温度分别为593和653K,其吸氢过程遵循形核长大机制．Mg78Ni22薄膜的压力一组成等温曲线存在低压和高压两个平台区,分别对应Mg和Mg2Ni的氢化反应,薄膜内Mg的吸放氢温度可分别降至473和503K,薄膜的最大吸氢量(质量分数)达到5．7％．Mg的氢化性能改善与薄膜中纳米晶Mg2Ni和非晶相起到的催化作用有关．     

Effects of Nitrogen Content on the Phase and Resistivity of TaN Thin Films Deposited by Electron Beam Evaporation

A series of amorphous electron beam evaporated Ta and TaN films with N/Ta ratio from 0 to 1.15 were deposited on Si/SiO₂ substrates at 200°C. As N/Ta ratio increases, the TaN films undergo phase changes from pure metallic Ta to a mixture of Ta, Ta₂N, and nitrogen-rich TaN films. The electrical resistivity of the Ta and TaN films increased from 242 µΩ-cm to 1126 µΩ-cm with increasing N/Ta ratio. X-ray diffraction patterns revealed the development of different phases of TaN that are in agreement with the TaN phase diagram. The presence of different phases on the film surface was also confirmed by x-ray photo-emission spectroscopy (XPS) analysis. Groups of Ta4f doublet related to different TaN phases were observed in the core-level spectra of TaN films. Field-emission scanning electron microscopy images revealed that surface morphology also varied with the phase change in TaN films. The N/Ta ratios from energy-dispersive x-ray generally agreed with those from the XPS analysis.     

示教再现方法在真空电子束焊接时的应用

叙述了用于真空电子束圆形焊缝的自动跟踪系统的设计和试验过程。在真空电子束焊接航天器件的圆形焊缝时 ,由于工装等原因 ,出现电子枪回转中心与焊缝圆心不同心现象。使用本控制系统 ,用小束流电子束先对焊缝进行扫描 ,利用电子束在焊缝上和在工件上反射回来的二次电子数量不同而反映出焊缝的位置 ,并由计算机实时记录整个圆形焊缝各点与束斑间的偏差值 ,完成一个示教过程 ;然后由计算机处理与分析所获取的数据并存储 ;在焊接时利用处理后的偏差值在圆形焊缝相应位置不断修正电子枪的位置 ,从而达到电子束斑点与焊缝对中的目的