用激光形成非晶态薄膜

用于复印机、太阳电池、集成电路等的薄膜，必须均匀,无缺陷，能牢固地粘附在衬底上。迄今使用的制造法,例如等离子体、辉光放电、溅射、CVD(化学汽相淀积)等方法都各有优点，但也有不足之处。太阳电池若采用厚约2 μm的非晶态薄膜,则效率提高，与晶态膜场合的50~100 μm相比，可大幅度降低成本。麻省理工学院的能源研究所开拓了使用激光的新型非晶态薄膜制造法。     

稀土—过渡族金属非晶态磁光材料信号读出特性研究

在计算RE-TM饱和磁化强度和温度关系曲线的基础上,本文建立了一种适用于计算磁光光盘读出信号质量与读出激光功率关系的方法,对经优化的四层膜结构实例给出了最佳读出激光功率,并讨论了稀土含量变化时,对最佳读出激光功率和信噪比的影响,结果与有关的实验规律相吻合。     

非晶态有机聚合物薄膜脉冲激光沉积

非晶态有机聚合物薄膜具有低介电常数，高强度等优良物理特性，在微电子工业领域有着潜在应用价值而引起人们极大兴趣，本文就其沉积方法及沉积机制进行简要综述，并展望了其应用前景。     

飞秒激光加热多层金属薄膜的热响应

采用微观双曲两步热传导模型,研究了飞秒脉冲激光加热过程中多层金属薄膜的热响应。利用界面连续条件,推得三层金属薄膜各层薄膜内电子温度和晶格温度在拉普拉斯域内的解析表达式。通过拉普拉斯数值反变换,计算并绘制了100nm单层Au膜和34nmAu/33nmCr/33nmAu三层膜在飞秒脉冲激光加热过程中各层薄膜内电子温度和晶格温度沿薄膜厚度的分布曲线。数值结果表明,激光加热过程中不仅电子与晶格之间存在强烈的非平衡热行为,不同金属材料薄膜界面上金属晶格温度也具有急剧的非平衡行为。同时讨论了多层薄膜温度分布特点及其与薄膜材料参数的关系。     

掺过渡金属钴的非晶硅薄膜的研究

本文报道用电子束蒸发法将过渡金属Co掺入a-Si薄膜,用电导率与温度的依赖关系,ESR紫外透射谱测量手段对a-Si:Co薄膜的电学、光学特性,杂质对缺陷态的补偿和掺杂机理进行了研究。测量结果表明,Co杂质能级的中心位置在价带E_v以上0.13eV.在480K相似文献   

用扫描电子显微镜研究激光法制备的非晶态金属

用扫描电子显微镜观察分析了铁基(Fe-Ni-P-B-C、Fe-B-C)和铝基(Al-Si、Al-Si-Mg-Mn)共晶试样在高重复频率YAG激光器处理前后的表面形态、金相组织、断口形貌等特征。结果指出经激光处理后的样品表面实现了非晶态转变,该非晶层具有一定的韧性和热稳定性。     

激光热引起金属的热离子发射

加拿大约克大学研究人员发现,二氧化碳激光器产生的热会使金属产生热离子发射。把40瓦的连续光束对准钨或钼靶时,产生的电子温度约为8000 °K。此实验说明这种直接能量转换特别有效。得到的短路电流为2~7微安,开路电压在0.1与0.4伏特之间。     

非晶态砷化镓薄膜的研制

本文报道了制备a-GaAs 薄膜材料的一种新方法——PECTD法(等离子体加强的化学输运法).测量结果表明适当地选择并控制生长条件,可获得表面光亮、组分近化学比且重复性较好的a-GaAs 薄膜.文中对PECTD法的生长机理作了初步的分析.     

用金属诱导-准分子激光晶化法制备多晶硅薄膜

提出了一种新的晶化方法——金属诱导-准分子激光晶化法(MI-ELA)。该方法在制备多晶硅(p-Si)薄膜中包括两个步骤：第一步是用镍金属诱导方法(MIC)通过热退火形成NiSi2；第二步是再通过准分子激光退火方法(ELA)晶化形成p-Si。通过用XRD、Raman与SEM测试，研究了p-Si的结晶性和表面形貌特征。研究发现，MI-ELA方法制备的p-Si与传统的ELA方法和MIC方法相比在形貌上不一样，而且从XRD的特征峰强度可以看出在结晶度上有进一步提高。这个结果源于用MIC方法形成的且与e-Si晶格匹配的NiSi2在ELA中起到晶核的作用。这种晶化方法说明，在ELA中，晶粒生长不再仅仅依赖于熔融非晶硅和氧化物表面上残存的随机的固体a-Si作为成核媒介。这种方法不但可以提供晶粒稳定生长条件，而且也可能使获得更大晶粒粒度的激光晶化能量展宽。     

非晶态Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的热电势测量

本文用热电势和直流电导变温测量相结合的方法,研究了离子束轰击单晶GaAs、GaP和Inp得到的薄层非晶态化合物半导体材料的电学行为。结果表明,离子轰击非晶化是研究和了解非晶化合物半导体基本特性的一种良好手段。     

部分贵金属合金非晶态的热与激光诱导晶化

通过对Cu-Ag,Cu-Al,Ag-Al,Cu-Ag-Al等系列合金在低温气相沉积中形成的亚稳态结构及其结构转变行为全面而系统的研究,发现这类合金非晶态的形成及其晶化具有某些独特行为。观察到非晶态在晶化初相普遍出现具有面心立方结构的均匀固溶相,并在向平衡态的结构转变中呈现亚稳态的逐级转变。结合对Cu_(29)Al_(71)非晶态薄膜激光相变研究的实验结果,认为这类合金作为相变型光盘介质材料应用具有很大潜力。     

薄膜中激光感生的各向异性热电压

当钼和钨薄膜受到垂直射到膜上的脉冲激光激励时,观察到发生横向热电压。使用了冲宽约为3~300亳微秒和范围在0.46~1.06微米的波长。观察到在入射激光功率为1千瓦时,50欧姆负载电阻两端出现的最高热电压约为50亳伏。薄膜内应力和输出电压间的相互关系指出,即使大块物质的运输特性是各向同性的,应力引起了非标量的绝对热电功率（塞贝克系数）。     

聚酰亚胺基底金属薄膜激光刻蚀温度场分布

为研究脉冲激光刻蚀聚酰亚胺基底镀金属薄膜过程,采用有限元软件COMSOL Multiphysics构建高斯脉冲激光辐照复合材料的2维非稳态物理模型,通过求解热传导方程计算不同功率激光辐照金属薄膜的温度场分布,讨论不同激光参数对刻蚀进程的影响。模拟结果表明:刻蚀深度主要受激光功率密度的影响,且随着金属薄膜厚度的增加,激光刻蚀深度先减小后保持不变。在刻蚀过程中,为了更好地保护基底,应选择大功率短脉宽的激光参数;由于铜薄膜比铝薄膜更难刻蚀,在铜薄膜的刻蚀过程中应选择较大功率密度的激光。结果有助于理解激光刻蚀过程,对实际刻蚀过程有一定的指导意义。     

脉冲激光改性金属纳米薄膜的等离子体特性

在室温环境下,实验采用Nd\:YAG光纤脉冲激光器辐照银(Ag)、铜(Cu)、铝(Al)三种光滑连续的金属薄膜,制备出了对应的三种金属纳米颗粒薄膜。通过调节激光扫描速率可以实现三种金属纳米颗粒薄膜的局域表面等离子体共振(LSPR)波长和强度的调谐。其中,Ag纳米颗粒薄膜在可见光波段的等离子体吸收峰的波长和强度均表现出较宽的调谐范围,Cu纳米颗粒薄膜在可见光波段的等离子体吸收峰的波长和强度均表现较小的调谐范围,Al纳米颗粒薄膜在紫外光波段的等离子体吸收峰窄而尖锐,且LSPR波长调谐范围也较小。与激光辐照前的三种金属薄膜相比,激光辐照后生成的三种金属纳米颗粒薄膜出现了更强的表面增强拉曼散射信号。有限差分时域仿真模拟出的样品的电场强度分布与实验得到的表面增强拉曼散射结果一致。     

激光感应聚酰亚胺薄膜表面电镀金属的研究

本文介绍了用电镀的方法提高激光感应聚酰亚胺薄膜电导率的实验结果。实验证实,激光感应聚酰亚胺薄膜表面产生的物理和化学变化对金属镀膜的形成和镀层与衬底的结合性有积极的影响。文中讨论了在整个过程中一些电镀条件,如电流密度等对金属镀层的均匀性、晶粒的大小等性质所起的作用。实验证明电流密度越小,镀层越均匀,晶粒也越小。该实验将激光技术与电镀这一传统工艺相结合,从而提高了有机复合薄膜的电导率。这一结果有可能在     

最新高密度磁记录材料FePt薄膜的开发

随着数字化技术的飞速发展，需要传输、记录大量的信息，因此要求磁记录向高密度化发展。磁记录代表性装置即硬盘驱动设备(HDD)，它比半导体、光磁记录装置容量更大，速度更快，可靠性更好，性价比也更理想。过去的十年中其记录密度以年增长100％的发展，近年来略有下降。HDD的高密度化就必须记录介质、磁头、信号处理技术及伺服技术高性能化，     

过渡金属硫族化合物的制备、特性和光电应用

过渡金属硫族化合物(TMD)因其原子层级的厚度和独特的光电性能而受到了广泛的关注和研究。大量文章报道了TMD的可控制备、奇特的光电性能及其在光探测、发光、自旋和能谷电子学等光电子领域的应用。从TMD的材料制备、光电性能及光电应用三个角度对这些工作进行了总结。     

碳-氮共渗层激光非晶态的研究

本文采用高能量脉冲钕玻璃激光、高重复频率YAG激光和大功率CO_2激光对碳-氮共渗后的20号钢进行非晶化处理。研究激光形成非晶态的工艺条件与其表面硬度以及磨蚀及腐蚀的关系,并对非晶层的热稳定性进行测试。     

非晶态SiO2过渡层对生长C轴取向LiNbO3薄膜的影响

采用磁控溅射方法,在Si衬底和LiNbO3薄膜之间引入SiO2过渡层制备LiNbO3薄膜。采用X射线衍射（XRD〉、傅里叶变换红外吸收光谱（FT-IR）和扫描电子显微镜（SEM）对LiNbO3薄膜的结晶取向、组成成分和表面形貌进行了表征,重点研究了非晶态SiO2过渡层对LiNbO3薄膜C轴取向的影响。结果表明,非晶态S...