Parylene F薄膜介电材料的制备与研穷

通过真空化学气相沉积方法制备了Parylene F薄膜,采用扫描电镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)观察了表面形貌,并用红外光谱(IR)、X射线光电子能谱(XPS)及热重分析仪(TGA)等分析手段对薄膜组成与性能进行了表征,阻抗分析仪测试了薄膜的介电参数.研究结果表明化学气相沉积方法制备的Parylene F薄膜是一...     

氮氧化硅薄膜的研究进展

氮氧化硅薄膜材料具有优异的热力学、介电及光学性能,在微电子、光学器件等方面有着重要应用.其主要制备方法包括化学气相沉积、溅射、直接氮化/氧化及离子植入.综述了该类材料的制备方法和应用研究进展,并指出了制备方法和应用研究的发展方向.     

SiC薄膜制备工艺进展

本文综述了ＳｉＣ薄膜的制备工艺及进展，介绍了物理气相沉积、化学气相沉积、等离子化学气相沉积及光化学气相沉积等各种ＳｉＣ薄膜的制备方法，简单阐述了各种工艺对薄膜性能的影响，评述了各种制备工艺的优缺点。     

聚对苯(撑)二甲基膜的化学气相沉积(CVD)聚合

采用化学气相沉积(CVD)聚合工艺制备的对苯撑二甲基聚合物可广泛应用在航天、航空、军工、电子、生物医学工程、控制系统、文物保护、纳米材料和磁性材料等诸多领域.综述了聚对苯(撑)二甲基系列膜的化学气相沉积聚合工艺和原理,介绍了底物温度和沉积舱压力等主要因素对膜沉积率的影响和膜的一些主要性能,并讨论了典型的Parylene N膜的光氧降解性能.     

SiC薄膜制备工艺进展

本文综述了ＳｉＣ薄膜的制备工艺及进展，介绍了物理气相沉积、化学气相沉积、等离子化学气相沉积及光化学气相沉积等各处ＳｉＣ薄膜的制备方法，简单阐述了各种工艺对薄膜性能的影响，评述了各种制备工艺的优缺点。     

基于微孔SiO2栅介质的透明氧化物薄膜晶体管

采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)法制备微孔SiO2薄膜并将其作为栅介质,制作了基于微孔SiO2栅介质层的透明氧化物薄膜晶体管。利用场发射扫描电镜、阻抗分析仪以及半导体分析仪对样品进行表征。结果表明,微孔SiO2栅介质具有双电层效应,这种微孔SiO2栅介质透明氧化物薄膜晶体管器件具有工作电压低,开关电流比大,透光性高,稳定性强等良好性能。     

甲烷浓度对金刚石薄膜质量的影响

纳米金刚石薄膜具有优异的性能,已在多个领域获得广泛应用.但微波等离子体化学气相沉积制备的金刚石薄膜质量却严重受沉积工艺的影响,为了深入了解沉积工艺对制备的金刚石薄膜质量的影响,本文详细研究了甲烷浓度对微波等离子体化学气相沉积( MPCVD)金刚石薄膜质量的影响,利用扫描电镜、X射线衍射、拉曼光谱以及原子力显微镜对其进行...     

Ta_2O_5薄膜制备的研究现状及进展

Ta2O5薄膜具有很好的电学性能和光学性能,制备方法种类繁多,如溶胶-凝胶法(Sol-gel)、化学气相沉积法、电子束蒸发技术、溅射法、Ta层阳极氧化或热氧化法、离子辅助沉积法(IBAD)、原子层沉积法(ALD)等。评述了现有各种制备方法的优缺点,综述了Ta2O5薄膜各种方法制备的条件、薄膜的功能性质等,并评析了金属有机化合物为前驱体制备性能优良的Ta2O5薄膜的前景。     

金属有机化学气相沉积制备铁电薄膜材料研究进展

铁电薄膜是一类重要的功能材料,是近年来高新技术研究的前沿和热点之一.金属有机化学气相沉积(MOCVD)是制备铁电薄膜的一种重要方法.综述了金属有机化学气相沉积法制备铁电薄膜的历史、原理、工艺参数、特点和采用此方法制备出的某些材料的铁电性能.     

薄膜的光化学气相沉积

光化学气相沉积(光 CVD)是一种继低压化学气相沉积(LPCVD)和等离子体化学气相沉积(PECVD)之后的又一项新的低温成膜工艺。首先介绍了光化学气相沉积的物理基础,然后重点介绍了光化学气相沉积的实验方法,最后简要介绍了光化学气相沉积在薄膜制备中的一些应用。     

等离子增强型化学气相沉积条件对氮化硅薄膜性能的影响

等离子增强型化学气相沉积(PECVD)氮化硅技术是目前半导体器件在合金化后低温生长氮化硅的唯一方法.研究了由进口PECVD设备制备的氮化硅薄膜性质与沉积条件的关系,测定了生成膜的各种物理化学性能,详细探讨了各种沉积参数对薄膜性能的影响,提出了沉积优质氮化硅薄膜的工艺条件.     

类金刚石薄膜的摩擦学特性及磨损机制研究进展

类金刚石薄膜已显示了重要的摩擦学应用价值,其中化学气相沉积的类金刚石薄膜(DLC)具有膜层致密、厚度均匀、摩擦学性能优良等特点成为广泛采用的一种沉积方法.本文介绍了气源成分、基体材料、摩擦环境、摩擦对偶、载荷及速度对化学气相沉积制备类金刚石薄膜的摩擦学特性的影响,概述了其摩擦磨损机理,同时探讨了进一步研究工作的方向.     

氟化非晶碳薄膜的低频介电性质分析

研究了电子回旋共振等离子体技术沉积的氟化非晶碳(α-C：F)薄膜的低频(10^2～10^6Hz)介电性质。发现α-C：F薄膜的低频介电色散随源气体CHF3／C6H6的比例、微波入射功率而改变。结合薄膜键结构的红外分析,发现薄膜中C=C相对含量的增大是导致低频介电色散增强的原因,而C—F相对含量的增大则使低频介电色散减弱。     

钛酸锶薄膜的制备与应用研究进展

介绍了钛酸锶(STO)薄膜的五种制备方法(等离子体增强化学气相淀积、射频磁控溅射、金属有机化学气相沉积、脉冲激光沉积、溶胶-凝胶)及STO薄膜在电容-电压敏双功能材料、CMOS器件、氧敏材料、PZT铁电薄膜电极材料等方面的应用的研究进展.提出了需进一步开展的研究课题如:晶粒晶界控制、界面控制、漏电导机制、疲劳机制、非线...     

CF4,CH4制备氟化非晶碳薄膜工艺研究

以CF4和CH4为源气体,用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备了不同工艺条件下的氟化非晶碳(a-C∶F)薄膜.发现薄膜的沉积速率和射频功率几乎成正比关系,薄膜中氟的存在是导致薄膜具有紫外吸收特性的根本原因;用傅立叶变换红外光谱(FTIR)分析可知薄膜中有C-F基团的存在,使得薄膜的介电常数降低;合理控制沉积条件,可获得理想的电介质薄膜.     

PCVD法制备精细陶瓷薄膜

综述了等离子体化学气相沉积法(PCVD)的特点,等离子体对化学气相沉积的作用,PCVD精细陶瓷薄膜制备系统的结构和选择,并展望了该法的发展及在精细陶瓷薄膜制备中的应用。     

碳化硼薄膜制备的研究进展

综述了碳化硼材料的主要性能和制备碳化硼薄膜的主要方法,讨论了包括磁控溅射、离子束沉积和化学气相沉积等制备方法的优点及重要工艺参数,并就各方法指出了提高薄膜性能的主要措施,指出制备出更均匀、致密的碳化硼薄膜,提高薄膜与基体间的结合力,降低薄膜应力仍是今后研究的重点.     

等离子体源对制备类PEO生物功能薄膜的结构性能影响

PEO(聚乙烯氧)和PEO-like(类聚乙烯氧)材料具有高亲水性,表现出良好的生物惰性和抗细菌吸附特性,在生物医学领域被视为理想的抗吸附和改善血液相容性的功能材料。目前PEO和PEO-like的制备主要是物理、化学方法。本文介绍了采用等离子体化学气相沉积的方法,使用不同的等离子体源制备类PEO功能薄膜,分析和比较不同的等离子体源对制备类PEO材料的结构及性能影响。用挥发性的乙二醇二甲基醚作为反应单体,以氩气为工作气体,分别采用电容耦合(CCP)、电感耦合(ICP)和离子源辅助等离子体化学气相沉积(IB-PECVD)的方法制备(类)PEO功能材料。通过傅里叶变换红外光谱(FTIR)、X-射线光电子能谱(XPS)和原子力显微镜(AFM)等测试方法确定薄膜中各官能团和元素的含量,以及薄膜的表面形貌。使用接触角测试仪测量了薄膜表面的亲水性。并研究了等离子体工艺参数对薄膜结构成分及薄膜性能的影响。实验得到的结论为:采用等离子体化学气相沉积的方法能够制备出类PEO功能材料。而且使用不同的等离子体源会对薄膜的结构成分和表面形貌产生较多的影响。等离子体的工艺参数如工作气压、放电功率、等离子体源与基片的距离、单体与氩气的比例...     

超低介电常数的多孔F-pSiCOH薄膜制备及其紫外固化处理

面向高性能集成电路可靠性设计要求之下,开展以硅集成电路(IC)三维集成器件超低介电常数的介电薄膜研究。采用化学气相沉积法制备了一种超低介电常数(k)值的多孔F-pSiCOH薄膜。利用傅里叶变换红外光谱测定了多孔F-pSiCOH薄膜的化学结构和化学键,并探究了紫外线辐射对多孔F-pSiCOH薄膜机械性能的影响。结果表明：纳米孔和氟原子的引入能有效地降低介电常数,使多孔F-SiCOH薄膜的k值为2.15。紫外固化处理增强了多孔F-pSiCOH薄膜的弹性模量,使多孔F-pSiCOH薄膜的弹性模量从4.84GPa增大到5.76GPa,力学性能得到优化。     

PECVD法玻璃容器内壁沉积SiO_2薄膜的SEM表征

采用自主研制的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)专用设备,在玻璃容器内壁沉积SiO2薄膜,用作阻隔涂层。通过设计沉积工艺,在不同的气体流量比例、工作气压和生长时间等生长条件下制备出SiO2薄膜;通过扫描电子显微镜(SEM)测试表征薄膜的形貌和结构,评价薄膜的性能。根据表征结果分析了各种工艺参数对薄膜性能的影响,获得了较为优化的工艺参数,在玻璃容器内壁制备出较高质量的SiO2薄膜。