菱镁矿轻烧水化对MgO烧结的影响

分别以Mg(OH)2(菱镁矿轻烧后水化得到的,简称水化后)和菱镁矿(称为水化前)为原料,按轻烧(850℃1h)→细磨→成型→煅烧(1600℃3h)的工艺制得烧结镁砂(又称烧结MgO)。通过XRD、SEM及傅立叶红外光谱(FT-IR)对水化前后所得的轻烧MgO的形貌和结构进行了分析,并研究了水化前后得到的烧结镁砂的烧结性能和显微结构。结果发现:水化前后得到的都是面心立方晶体结构的MgO,但水化前得到的轻烧MgO中仍存在官能团CO32-的残留物,而水化后得到的轻烧MgO中不存在CO32-,而且颗粒变得较易破碎,大大减少了细磨时间;再者,水化后的轻烧MgO活性较高,加上Mg(OH)2在分解过程中残留的水分对MgO的烧结起催化作用,因此,使其经高温煅烧制得的烧结镁砂的开口气孔率由水化前的2.0%下降到0.6%,闭口气孔率由水化前的6.1%下降到2.8%,体积密度由水化前的3.29g.cm-3提高到3.46g.cm-3。     

烧结温度对GZO陶瓷靶材无压烧结致密化的影响

采用模压成型-无压烧结法制备Ga掺杂量为3 wt%的氧化锌陶瓷靶材(ZnO∶Ga_2O_3=97∶3,wt%)。分析研究了烧结温度对靶材致密度、物相组成、微观结构及烧结收缩变化率的影响。结果表明:烧结温度的升高对GZO靶材试样中的Ga元素扩散有促进作用,并且当烧结温度达到1000℃时,试样中经由固相反应生成ZnGa_2O_4尖晶石相,随着烧结温度进一步升高,生成的ZnGa_2O_4尖晶石相会与ZnO继续反应生成化合物Zn_9Ga_2O_(12)。烧结温度为1400℃时靶材致密程度最高,相对密度达90.5%TD(Theoretical Density)。根据试样的受热收缩曲线,制定出GZO靶材的烧结制度,按制度烧结得到的靶材试样相对密度提升至93.54%TD。     

振荡压力对高性能氮化硅陶瓷烧结致密化的影响

采用新型振荡压力烧结技术制备高性能氮化硅陶瓷,并对比热压烧结技术,研究了不同工艺下氮化硅陶瓷的致密度、物相、晶粒尺寸、微观形貌及力学性能变化规律,分析了振荡压力对氮化硅陶瓷的致密化作用.结果表明:振荡压力烧结工艺下氮化硅陶瓷实现了α相到β相的物相完全转变,相对密度达到了99.82％;对比热压烧结工艺,振荡压力作用下氮化...     

MgO–Al_2O_3–CeO_2复合烧结助剂对放电等离子烧结氮化硅陶瓷致密化和性能的影响

以MgO–Al_2O_3–CeO_2复合体系为烧结助剂,采用放电等离子烧结工艺制备氮化硅陶瓷。研究了MgO–Al_2O_3–CeO_2含量、烧结温度对氮化硅陶瓷显微结构及力学性能的影响;探讨了复合烧结助剂作用下氮化硅陶瓷的烧结机理。结果表明:当混合粉体中Si_3N_4、MgO、Al_2O_3和CeO_2的质量比为91:3:3:3、烧结温度为1600℃时,氮化硅烧结体相对密度(99.70%)、硬度(18.84GPa)和断裂韧性(8.82MPa?m1/2)达最大值,晶粒以长柱状的β相为主,α-Si_3N_4→β-Si_3N_4相转变率达93%;当混合粉体中Si_3N_4、MgO、Al2O3和CeO_2的质量比为88:4:4:4、烧结温度为1600℃时,烧结体抗弯强度(1086MPa)达到最大值。     

菱镁矿粒度对堇青石陶瓷烧结性能的影响

以菱镁矿、高岭土和石英为主要原料,采用固相反应法制备了堇青石陶瓷。采用TG-DSC、XRD、SEM能谱分析等方法,研究了菱镁矿粒度对堇青石陶瓷烧结性能的影响以及堇青石合成过程的反应机理。结果表明,降低菱镁矿的粒度可以有效降低堇青石陶瓷的烧成温度;在该体系中,堇青石陶瓷的烧成受固相扩散传质控制,降低原料粒度可以促进堇青石陶瓷的烧成。     

比表面积对TiO2陶瓷烧结初期致密化行为的影响

将比表面积分别为30 m2/g和1 m2/g的纳米(50 nln)和微米(2 μm)金红石TiO2陶瓷坯体在高温热膨胀仪中自室温至1200℃进行恒速无压烧结,升温速率为1℃/min,3℃/min和5℃/min,热膨胀仪自动记录烧结收缩.为阐明比表面对无压烧结初期致密化行为的影响,研究了氧化钛陶瓷的烧结收缩行为.同时,利用Arrhenius曲线研究了纳米和微米氧化钛陶瓷的烧结激活能.结果表明:随烧结温度的增加,比表面积的增加加速了致密化速率;纳米和微米氧化钛的烧结激活能分别为115±10 kJ/mol和302±15 kJ/mol;对于纳米氧化钛,当烧结体的瞬时相对密度为70～80%时,出现最大致密化速率,而对于微米氧化钛陶瓷,最大致密化速率出现在相对密度为75～85%.     

添加剂对MgO致密层性能及结构的影响

在这篇论文中，我们对四组添加剂，诸如Ａｌ，Ａｌ＾＋Ｃａ－Ｓｉ，Ａｌ＋Ｃｒ和Ａｌ＋Ｂ４Ｃ在镁碳试样对对氧化镁致密层的性能及结构的影响进行了研究，通过使用这种四组添加剂，镁碳试样的强度和抗氧化性得到改善，在这些添加剂中，以添加Ｂ４Ｃ的生物物理性能试验中取得的效果最好，但在气体吹入试验中其效果最差，在试样中，由于加入了不同的添加剂，形成氧化镁致密层的结构也不一样，因此有必要在不同的使用条件下，对不同的添     

ZrB_2-YAG陶瓷的烧结致密化

通过共沉淀法获得包覆式Al2O3-Y2O3/ZrB2复合粉体,对其进行放电等离子烧结以提高ZxB2陶瓷的烧结致密度.用扫描电镜观察试样的显微结构,用X射线衍射仪对试样进行物相分析.结果表明:包覆犁粉体在700～1 000℃时出现1次大的收缩,然后出现1个不收缩的平台,当温度达到1 100℃之后出现第2次收缩.适宜制备高致密的ZrB2-钇铝石榴石(yttrium aluminium garnet,YAG)陶瓷的工艺条件为;烧结温度为1 700℃,烧结压力为20MPa,保温时间为4min,YAG的添加量为30%(质量分数),所制备的ZrB2-YAG陶瓷相对密度大于95%.     

氧化铝对MgO—C砖致密性的影响

1 前言 MgO-C砖因其具有良好的耐侵蚀性及耐热震稳定性而被广泛地应用于精炼用容器的内衬。在MgO-C砖中,主要研究以提高抗氧化性及强度为目的的各种金属的添加,以及其效果的提高。在MgO-C砖中添加Al等金属时,由于MgAl_2O_4、Al_4C_3、AIN的生成而使组织致密化。MgAl_2O_4的生成过程是Al与气氛中的CO气体反应,生成Al_2O_3和碳,其后与MgO反应生成MgAl_2O_4,此时伴随着较大的重量增加和体积增加而使组织致密化。另外,Al在从800℃到1300℃的较低温度区域就可还原MgO,这时由于添加Al,重量减少,得不到致     

高纯度氧化铝粉体颗粒细化对烧结致密化及透光性能的影响

以法国Baikowski公司高纯度氧化铝粉体为参照,选取大连瑞尔精细陶瓷有限公司产超高纯度氧化铝粉体为研究对象。采用研磨处理,以改善国产氧化铝粉体的形貌、粒径及其分布。分别采用硅钼电炉中常压烧结和真空气氛下在1850℃烧结2种不同的烧结方式评价了研磨后粉体的烧结性能和用于制备半透明氧化铝陶瓷的可行性。结果表明:经过研磨改性处理后,粉体的粒径分布和比表面积接近于法国粉体;在1600℃常压烧结得到的氧化铝陶瓷达到理论密度的97%,具有均一的晶粒尺寸(～5μm)。添加MgO为烧结助剂,在真空下烧结得到了半透明氧化铝陶瓷,在波长为200～1100nm范围直线透过率最大值达到16%。     

添加MgO及烧结参数对莫来石形成的影响

对添加MgO及烧结参数对莫来石形成和致密化影响进行了研究。采用扫描电子显微镜,对粉末形态和烧结试样的显微结构特征进,亍描述。采用X射线衍射对烧结试样中相的特征进行观测。依据阿基米德原理采用密度和量化,测定烧结试样的密度。结果发现,MgO的添加不仅影响莫来石的形成,而且也促进了颗粒的生长。对于含有MgO0％、1％、2％的试佯仅有莫来石形成。而除莫来石之外,Al2O3存在于含MgO3％的试样之中。更高的MgO含量（4％、5％和6％）,形成三种相,即莫来石、Al2O3和尖晶石。与更高的烧结温度相对应,对于所有烧结时间和更高的密度,添加MgO1％所有试样的密度增加。在更高的MgO含量状态下,几乎在所有烧结温度下．更高的温度导致更低的密度并且更低的温度导致更高的密摩。     

微晶玻璃烧结过程中晶化和致密化的关系

以钢渣和粉煤灰为主要原料,采用烧结工艺,制得以透辉石为主晶相的微晶玻璃;通过热分析、X射线衍射、收缩率、扫描电镜等分析方法,详细说明了在烧结过程中晶化和致密化的关系;试验结果表明晶化主要发生在烧结的前期,后期以致密化为主,晶化会影响烧结体的致密化。     

电磁场对形成MgO-C质耐火材料MgO致密层的影响

采用碳含量为6%（质量分数）的MgO–C质耐火材料和CaO与SiO2质量比为0.87的钢渣,分别在中频感应炉和电阻炉中氩气气氛下进行抗渣侵蚀实验,利用X射线衍射仪、扫描电子显微镜和能谱仪对抗渣样品渣线界面层进行分析。结果表明：在电磁场环境中,MgO–C质耐火材料界面层没有发生Mg（g）氧化反应,因此未形成MgO致密层;...     

AIN陶瓷的烧结致密化与导热性能

氮化铝陶瓷具有高热导率，低介电常数，与硅相匹配的热膨胀系数等优良特性，应用领域非常广泛，对AIN粉体的合成，烧结工艺，助烧结剂及其应用等方面进行了介绍，并对AIN未来的发展趋势进行了展望。     

变密宽Cu-W梯度材料的烧结致密化

本论文采用热压烧结方法,选择Zn作为烧结助剂,进行了不同W含量的Cu-W烧结体的低温致密化研究。各烧结体在相同的烧结工艺条件下（1123K,20MPa,1h）相对密度均达到97%以上,在此基础上,成功地制备出了整体致密的Cu-W体系梯度材料,共W含量沿厚度方向在0～25%（质量分数）范围内变化。     

AlN陶瓷的烧结致密化与导热性能

氮化铝陶瓷具有高热导率、低介电常数、与硅相匹配的热膨胀系数等优良特性,应用领域非常广泛。对A l N粉体的合成、烧结工艺、助烧结剂及其应用等方面进行了介绍,并对A l N未来的发展趋势进行了展望。     

β-氮化硅陶瓷烧结致密化的研究

以β-Si3N4粉末为原料,MgAl2O4为烧结助剂,通过气氛压力烧结(GPS)制备出致密的β-氮化硅陶瓷材料,探讨了β-氮化硅陶瓷烧结机制,系统研究了烧结助剂质量分数、烧结温度以及保温时间对材料致密化的影响.     

合成和烧结工艺对PZT95/5陶瓷致密化影响的研究

以Pb3O4、ZrO2和TiO2为原料，Nb2O5为掺杂剂，利用固相法制备钙钛矿型PZT95／5陶瓷。采用正交实验优化合成和烧结工艺．综合分析了合成温度、合成时间、烧结温度、烧结保温时间、升温速率和烧结气氛对陶瓷体致密化影响的规律性变化。结果表明：其中合成温度和烧结温度是影响陶瓷致密化的重要因素。