IGBT驱动保护电路的研究

介绍了 IGBT驱动集成电路的过流保护原理 ,讨论了 IGBT保护电路的设计思路 ,同时 ,对几种 IGBT驱动集成电路的性能进行了比较     

功率IGBT驱动电路和保护电路的设计

在分析对比几种实用的ＩＧＢＴ驱动电路基础上,根据保证驱动可靠性关键要求,并考虑性能价格比,选择了混合集成专用驱动芯ＥＸＢ８４０,从而设计出一种新型的利用ＥＸＢ８４０的ＩＧＢＴ驱动电路;同时提出了保护电路的设计 。     

适用于IGBT串联系统集成的驱动电路

为了减少电力电子装置的体积和重量,提高功率密度和变换效率,且避免器件高频工作时,驱动线路寄生参数引起的电磁干扰（EMI）问题,最大限度地提高装置的性能和可靠性,有必要将绝缘栅极双极型晶体管（IGBT）串联驱动电路集成到芯片级的串联模块当中,并实现标准化大规模生产.通过对现有IGBT串联驱动辅助电源拓扑的归纳总结和横向比较表明：在体积、价格和结构复杂程度上,非隔离型的IGBT串联驱动辅助电源均较隔离型的IGBT串联驱动辅助电源有较大优势,因而认为其更适合集成化的串联系统,并在此基础上针对性地提出了自举型驱动辅助电源拓扑,并给出了关键参数的设计方法和可能存在的技术问题及解决方案,这有利于器件（IGBT）串联技术能更有效地应用到中高压、大功率变换装置的工程实践.     

逆变焊机IGBT驱动及保护电路的比较分析

通过对逆变焊机IGBT驱动及保护电路的分析与改造,提高了焊机的性能,大大降低了IGBT模块的损坏几率。     

基于EXB841的IGBT驱动保护电路的设计

分析了IGBT驱动保护模块EXB841的工作原理,设计了三相三线制的无功功率发生器主电路IGBT模块驱动信号的预处理电路和保护电路,通过对电路及其参数在静止型无功发生器中进行的实验调试研究,结果证明电路设计的正确和可行。     

IGBT栅极驱动电路的特性分析和应用

分析了功率绝缘栅双极性晶体管IGBT 对驱动电路的特殊要求以及设计驱动电路应该考虑的问题,概述了IGBT驱动电路的常用类型,并给出了几个具有实用意义的典型电路.     

IGBT栅极驱动电路的特性分析和应用

分析了功率绝缘栅双极性晶体管IGBT对驱动电路的特殊要求以及设计驱动电路应该考虑的问题，概述了IGBT驱动电路的常用类型，并给出了几个具有实用意义的典型电路。     

大功率IGBT模块的驱动电路及参数选择

根据IGBT模块的工作特性介绍了三种栅极驱动电路，即分立元件组成的驱动电路、集成元件组成的驱动电路、混合驱动电路，并讨论了栅极驱动正向电压、反向关断电压及RG参数的合理确定。     

基于MC33153的IGBT驱动电路设计

在分析IGBT的保护设计要求和MC33153的驱动特性基础上,设计一种基于MC33153的IGBT驱动电路。该电路采用光电隔离、延时消隐和负载检测等方法使其具有短路保护和自锁功能,既能满足IGBT的外围保护设计要求,又能克服MC33153内部无隔离电路、存在保护盲区和短路不能自锁的不足。实验结果表明,该驱动电路能够对IGBT进行有效驱动和保护。     

一种三电平高压变频器IGBT驱动电路的实现

三电平高压变频器对绝缘门极双极性晶体管（IGBT）驱动电路有特殊的要求，比如：高低压侧的隔离问题、绝缘等级、动态驱动能力以及快速保护功能都有严格的要求，采用美国UNITRODE公司生产的UC3726／3727驱动IGBT芯片对，两芯片可组合使用，从而可以达到理想的驱动效果。测试结果表明了该方法的可行性。     

基于IGBT特性的电路改进

绝缘栅双极晶体管(IGBT)、集成门极换流晶闸管(IGCT)和门极可关断晶闸管(GTO)的特性各不相同，因此对它们的过电流保护方法也不相同．IGCT或GTO的过电流保护一般在主电路中实现，使主电路复杂、成本高、体积大．IGBT的过电流保护一般在自身的驱动电路中实现．而主电路相对简单、体积小．用IGBT改造已有的IGCT或GTO主电路，可使主电路得到简化．减小体积．保证过电流保护的同时，还提高了开关频率，减小了输出谐波．     

IGBT过流保护方法的研究

介绍了ＩＧＢＴ过流的特点和过流保护的特殊问题，给出了过流保护的方法和综合保护的方案，并进行了试验，还介绍了过流保护中的抗干扰措施     

An IGBT Model Based on Study of Nonlinear Capacitances

somNWiththefastdeveloPmentofthepowrelecbonictechnology,Inannewpowrsedriconductordeviceshadbeendevelopedandused.Inthesedevices,IGBT(Insu-latedGateBiPOlarTamsistor)isanewpowrdevicede-signedtoovercomethelowtum-onresistanceandthehighon-stateloosofthepowrMOSm.Inaddition,theIG-BThastheadvantagesofbothpowrMOSFcrandthepowerbipolartIanSistor.So,IGThhavebeenwidelyac-ceptedbycireuitdesignersasanaltemativetopowertran-sistorsandDarlingtontransistorsinavchetyofpowercon-verterandmotOrdriveaPplic…     

绝缘栅双极晶体管弧焊逆变器的研究

分析了采用新型功率器件绝缘栅双极晶体管 ( IGBT)设计的弧焊逆变器的主电路、控制电路、驱动电路的构成及工作原理 ,并介绍了抗干扰措施。     

新型IGBT的混合IC驱动器的研究

详细介绍了绝缘栅双极性晶体管(IGBT)专用驱动芯片EXB841内部结构、功能及其应用.其独特的负压可靠关断IGBT和过流保护功能,经实验检验有效、稳定、可靠.     

GTR和IGBT动态特性测试的研究

研究一种采用通用示波器测试GTR和IGBT动态特性的简易装置 ,介绍由intel80 98单片机硬软件技术构成PWM信号脉冲源 ,给出了进口GTR模块 2DI50D - 1 0 0 (50A/ 1 2 0 0V)和IGBT模块 2MBI50L - 1 2 0 (50A/ 1 2 0 0V)的测试结果     

IGBT平面高压终端结构的研究

耐压是 IGBT的一个重要参数 ,所以其高压终端结构的研究一直受到人们的重视。针对常规采用的场限制保护环法和场板法高压终端结构的缺陷 ,本文提出了场板混合终端结构。此结构结合了场限制环和场板的各自优点 ,可使得击穿电压对环间距、氧化层厚度及氧化层电荷的敏感程度大大降低 ,从而简化了工艺的复杂性 ,并可获得最佳的耐压效果。本文首先对场板混合终端结构的优化设计进行了解析研究 ,提出了一套完整的设计理论 ,然后通过实验验证了此理论的正确性     

基于FPGA的IGBT触发信号发生器

介绍了一种基于可编程逻辑门阵列(FPGA)的脉冲触发信号发生器。通过该触发器,利用脉冲宽度调制(PWM)技术控制绝缘栅双极晶体管(IGBT)的栅极,可以实现对IGBT通断时间的控制,从而使逆变电路等效地输出多种频率的方波、正弦波和三角波。