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利用一套自己研制的实验装置对VCSEL的偏振相关特性进行了研究,包括偏振相关静态LI曲线、光谱以及时间响应等,分析了偏振模式分配噪声的产生机理。在此基础上提出了实现完全偏振稳定的设计思路。 相似文献
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针对VCSEL的结构特点 ,在其单模速率方程的基础上引入了Langevin噪声项 ,运用改进型的Yule -Walker谱估计方法 ,得到了在零调制电流条件下VCSEL输出光的相对强度噪声 ,频率噪声的功率谱以及小信号调制下的频率啁啾随电流孔径以及自发辐射因子等参数的变化规律。 相似文献
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伪装涂层的红外辐射强度信息较弱,但红外偏振信息相对较强,以钛合金为基底的伪装涂层样品为实验对象,研究了其红外偏振光谱特性及方向特性,设计实现了伪装涂层钛合金人造目标的红外偏振成像检测实验,实验结果表明,利用红外偏振成像检测技术能够实现对伪装涂层金属人造目标的有效检测。 相似文献
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VCSEL稳态热特性分析 总被引:3,自引:0,他引:3
使用数值方法对氧化层限制型垂直腔面发射激光器(VCSEL)内部稳态热场分布进行了计算,结果显示其分布形式取决于DBR区热导率及其与高阻限制层热导率的差异,并指出在限制层孔径变化及外加电极电压变化时对热场分布的影响;器件中温度最高的部分处于中心氧化限制层附近。有源层中温度沿径向的分布情况表明,在氧化限制孔径下方形成明显的温度台阶是导致器件有源层中产生折射率台阶的主要原因。 相似文献
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偏振模色散及偏振相关损耗对光传输链路相关特性的影响 总被引:1,自引:2,他引:1
在同时考虑偏振模色散(PMD)及偏振相关损耗(PDL)情况下,分别通过理论和蒙特一卡罗方法研究了光传输链路的输出信号偏振态相关函数。首先,从理论上得到了光传输链路的输出信号偏振态相关函数的解析表达式,而后,利用蒙特一卡罗方法进行了模拟研究,理论和模拟的结果能很好地吻合。研究结果表明,当光传输链路的偏振模色散值不变时,随着传输链路偏振相关损耗的增大,输出偏振态归一化自相关函数的线宽变宽;而在光传输链路的偏振相关损耗一定的情况下,随着光传输链路的偏振模色散的增大输出偏振态归一化自相关函数的线宽变窄。 相似文献
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Al0.98Ga0.02As的湿法氧化规律 总被引:3,自引:0,他引:3
为实现精确控制VCSELs器件中氧化孔的大小,对Al0.98Ga0.02As的湿法氧化规律进行了分析研究.首先运用一维Deal-Grove模型分析了Al0.98Ga0.02As条形台面湿法氧化的一般规律,并在此基础上进一步分析推导,加以适当的简化,提出了适用于二维圆形台面的简单氧化模型,用此模型模拟得到的结果与实验数据十分吻合.同时,实验中观察到氧化孔径很小时氧化速率突增的现象.运用这些规律,将氧化长度的精度控制在0.5μm内,基本实现了氧化工艺的可控性及可重复性. 相似文献
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垂直腔面发射激光器(VCSEL)的偏振光随着电流的不同,出光的方向会发生变化。VCSEL注入电流在大于阈值时由于在谐振腔中存在微小的各向异性,使得光谱的单色性大大降低,这可能会导致VCSEL通信网络质量的下降,这就要求我们在设计和生长VCSEL时尽量减小腔内的各向异性。我们利用一套实验装置,在不同的注入电流下测量了VCSEL偏振光的光谱,从中得出VCSEL的一些光谱特性。 相似文献
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The characteristics of the electricity aad optics have been studied for the polyacenic semiconductor material prepared by pyrolysis of phenolfor-maldehyde resin in this paper. The experimental results indicate that the electrical conductivity of polyacenic material increasses with a rise in pyrolytic temperature(Tp). The sample prepared at 7p=600℃ demonstrated that behavior governed by three-dimension sional-range-hopping (3D-VRH) mechanism at a temperature range of 77-100K. Both 0.052eV and 0.074eV acceptor energy levels (or energy bands) exist in this sample. Raman spectrum demonstrates the increasing of graphitization structure aromatic rings with the rise in pyrolytic temperature, which would increase electrical conductivity. PL spectrum indicates that the pristine polyacenic material can not become a narrow-gap semiconductor even if the electrical conductivity of sample is larger than 101 S·cm-1. 相似文献