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在SOI/CMOS电路制作中引入了自对准钴硅化物(SALICIDE)技术,研究了SALICIDE工艺对SOI/MOSFET单管特性和SOI/CMOS电路速度性能的影响。实验表明,SALICIDE技术能有效地减小MOSFET栅、源、漏电极的寄生接触电阻和薄层电阻,改善单管的输出特性,降低SOI/CMOS环振电路门延迟时间,提高SOI/CMOS电路的速度特性。 相似文献
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近年来,数字通信、程控交换和ISDN迅速发展,但在INTELSAT的业务中,模拟FDM/FM载波还占一定比例,为了使卫星传输链路数字化,INTELSAT通过收费的优惠政策,鼓励卫星用户使用IDR/DCME来替代FDM/FM载波。IDR载波可传数字化信息,它与FDM/FM载波一样,以FDMA方式工作。它属于TDM/QPSK/FDMA制式,目前工作于FDM/FM制式的地球站只需将FDM/FM终端改为IDR终端,更换上/下变频器的本振,降低相位噪声,使其符合IDR的相位噪声要求,就能把模拟的FDM/FM业务改造成IDR业务。 相似文献
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采用CoSi2 SALICIDE结构CMOS/SOI器件辐照特性的实验研究 总被引:2,自引:0,他引:2
讨论了CoSi2SALICIDE结构对CMOS/SOI器件和电路抗γ射线总剂量辐照特性的影响。通过与多晶硅栅器件对比进行的大量辐照实验表明,CoSi2SALICIDE结构不仅可以降低CMOS/SOI电路的源漏寄生串联电阻和局域互连电阻,而且对SOI器件的抗辐照特性也有明显的改进作用。 相似文献
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本文概述近几年兴起的卫星通信低速时分多址(TDMA)新技术。它与频分多址(SCPC,IDR/IBS,TES,VSAT)相比,以及与中速60Mb/s、高速120Mb/sTDMA相比,有许多独特优点。比较适合我国国情。本文简要说明其特点、技术难点以及这些难点如何解决,还介绍典型系统和设备性能参数,以便引起更多人兴起,促进它的推广应用。 相似文献
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N ISDN给用户提供两种速率接口 :基本速率接口(BRA)和基群码率接入(PRA)。BRA由2个B通道(64kb/s)和1个D通道(16kb/s)组成 ;PRA由30个B通道(64kb/s)和1个D通道(64kb/s)组成。本文将介绍PRA及其在S-12J上的实现。1PRA简介通常PRA通过NT2 ISDNPABX(ISPBX)给用户提供服务 ,ISPBX也是一个PABX ,大部分ISPBX的数据存放在PARM(SACEPABX)中 ,能够通过2Mb/s的PRA接口实现点到点的连接。2Mb/sPCM由30… 相似文献
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本文将多重TCM技术应用于室内慢衰落信道下的直接序列扩频多址(DS/SSMA)系统中,提出了一种发射端和接收端分别采用多重伪码扩频和多重相关接收的DS/SSMA系统模型及其理论分析方法。在系统用户数、用户信源比特速率和伪码周期相同的条件下,模拟结果表明采用多重TCM的DS/SSMA系统性能显著优于一重TCMDS/SSMA系统的性能 相似文献
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介绍了TCM/8PSK/IDR和QPSK/IDR的工作方式以及主要传输参数,就两者对卫星转发器频带和功率利用率进行了比较;提出了今后国内卫星通信网在现仍体制下采用TCM/8PSK/IDR取代QPSK/IDR的建议。 相似文献
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UIM(UserIdentity Module)代表了移动终端卡未来发展方向 ,它比传统的鉴权手段如MIN/IMSI、MIN/ESN适配方式更具优势。UIMID方式除了适用于CDMA系统外 ,还可用于GSM系统和其他的TDMA方式以及第三代移动通信系统。其标准以GSM系统最新执行的标准为基础框架制定 ,CDMA机卡分离 ,手机将遵从该标准进行研发 ,内容包括CDMA、GSM、IMT-2000、Internet、WAP等部分 ,文件格式类似于U NIX。以上这些内容基于IS -95B协议 ,并向下兼容IS -95A ,… 相似文献
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本文提出了一种跳频/多载波频率分集/扩频多址(FH/MCFD/SSMA)无线通信系统,给出了FH/MCFD/SSMA系统的发送和接收模型,对判惟变量统计特性进行了分析,然后对峰窝系统反向链路在理想定时和信道估计条件下用户平均接收误码率进行了仿真。结果表明,FH/MCFD/SSMA蜂窝通信系统具有较好的抗多径衰落能力,同单载波FH/SSMA系统相比其误码性能和频谱效率有显著改善。 相似文献
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借助一新的工艺模拟与异质器件模型用CAD软件──POSES(Poisson-SchroedingerEquationSolver),对以AlGaAs/InGaAs异质结为基础的多种功率PHEMT异质层结构系统(传统、单层与双层平面掺杂)进行了模拟与比较,确定出优化的双平面掺杂AlGaAs/InGaAs功率PHEMT异质结构参数,并结合器件几何结构参数的设定进行器件直流与微波特性的计算,用于指导材料生长与器件制造。采用常规的HEMT工艺进行AlGaAs/InGaAs功率PHEMT的实验研制。对栅长0.8μm、总栅宽1.6mm单胞器件的初步测试结果为:IDss250~450mA/mm;gm0250~320mS/mm;Vp-2.0-2.5V;BVDS5~12V。7GHz下可获得最大1.62W(功率密度1.0W/mm)的功率输出;最大功率附加效率(PAE)达47%。 相似文献
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建立了SMA 薄膜/基片的耦合数学模型,对溅射在基片上的SMA 薄膜产生驱动的过程进行了仿真模拟,结果表明SMA 薄膜/ 基片的耦合驱动是双金属效应和形状记忆效应的双重结果,该驱动力比单纯双金属效应产生的驱动力大得多。该模型对于实际应用SMA 薄膜/基片结构进行微驱动的器件设计具有理论指导意义。 相似文献
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研究了热处理对亚微米晶格匹配和应变的InAlAs/InGaAs亚微米HEMT的影响。发现直流特性变差。IDSS从299mA/mm减到182mA/mm,Gm从513mS/mm减至209mS/mm,还测量出了微波参数的降低。fT和fmax分别减少超过30%和20%,一些证据表明,由于在沟道/缓冲层界面和内部额外陷阱的存在而引起的变化是导致这种参数改变的原因。测量出的欧姆接触电阻率从0.19Ωmm增加至 相似文献
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本文扼要介绍最近卫星通信高速数据传输中采用纠错编译码技术的新进展,说明120Mb/sTDMA/DSI系统中BCH(128,112)码,45Mb/sIDR R3/4Viterbi译码,以及70Mb/s卷积码与Reed-Soloman码级联等三种典型纠错的生成多项式,并行编译码技术及性能。它们对于卫星通信传输高速数字图像信号是非常有用的。 相似文献
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通过在CSMA/CD局域网中引入网络分割这一新概念,建立了以太网模拟模型,改善了CSMA/CD技术在重负载下的性能。 相似文献
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本文将网络编码调制(TCM)应用于市区多径衰落信道下的直接序列扩频多址(DS/SSMA)系统中,应用DS条件下市区多径衰落信道的等效模型,提出了一种采用理论分析和数值模拟相结合分析TCMDS/SSMA系统在该信道下性能的新方法,并将传统的Ungerboeck型TCM才本文所构成的若干种低码率TCMDS/SSMA系统的性能进行了比较。 相似文献
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低功率转换速率限定的RS—485/RS—422收发器 总被引:6,自引:0,他引:6
本章介绍了MAX481/MAX483/MAX485/MAX487-MAX491、RS-485和RS-422通信收发器的特点与性能。 相似文献