分离送入甲烷和氢气的热丝法沉积金刚石膜

采用热丝法沉积金刚石膜，分离送入氢气和甲烷，使作为发热体的钨丝电阻值比经典的热丝法降低２０％，用此法制得的金刚石晶形较好，实验表明：反应气体的流量对膜的致密生长区影响很大。     

在硅和硬质合金基体上金刚石薄膜生长研究

在硅和硬质合金基体上，用热丝CVD法生长出金刚石薄膜。利用X衍射、拉曼谱和扫描电镜对金刚石薄膜的结构形貌进行了检测，并与天然金刚石对比分析。     

等离子热丝化学气相沉积金刚石膜工艺参数研究

采用等离子热丝化学气相沉积(PHFCVD)装置进行了金刚石薄膜的制备实验。实验条件为：氢气流量为200sccm,甲烷流量为2～12sccm,基体温度为700～900℃,偏压为0～400V,真空室压力为4kPa。通过实验得出了甲烷含量、基体温度和偏压对沉积金刚石膜的影响,并运用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和X射线衍射(XRD)等测试方法对金刚石薄膜进行了观察分析。     

热丝法化学气相沉积金刚石膜

用热丝法沉积金刚石膜,分离送入氢气和甲烷,可以减少钨丝碳化,提高功率利用率.分送与混送相结合,可以制备晶体形态良好的金刚石膜.到达基材表面的活性粒子的数量是提高金刚石膜生长速率的关键.生长速率可达3.8μm/h,均匀区面积达400mm2.     

光子热丝法沉积金刚石膜

采用一种改进的热丝CVD系统沉积金刚石膜,在传统热丝CVD腔中设置一套红外线发生器,中心波长3.5μm,处于氢与甲烷分子拉伸振动吸收峰位置。由于共振吸收能量使反应气体分解加强,在反应区获得较高浓度的原子氢和活性碳氢基团,使金刚石膜的生长速率和品质得到了提高。     

火焰法在硬质合金上合成金刚石薄膜

用Ｏ２／Ｃ２Ｈ２燃烧火焰法在各种不同性质的衬底材料上直接合成金刚石薄膜，研究了硬质合金刀头的不同的冷却方式下，对合成金刚石膜的影响。结果表明：ＹＧ６硬质合金由于Ｃｏ的存在影响了金刚石膜的质量；当冷却方法不当时，硬质合金头刃部易过热；采和分段沉积法可改善金刚石膜与硬质合金的附着性。     

在硬质合金上化学气相沉积金刚石膜

含碳化物的硬质合金材料,是一种有用的刀具和耐磨材料。用热灯丝化学气相沉积的方法,在其上沉积金刚石薄膜,可进一步提高其耐磨性、切削性和使用寿命。采用了不同的表面预处理方法和沉积参数,在硬质合金底材上沉积出了均匀的金刚石薄膜。初步检验证明其样品有很高的硬度和附着力。     

金刚石涂层与硬质合金刀具附着力的研究进展

介绍了国内外在低压合成金刚石涂层刀具中提高薄膜基体附着力的几种典型工艺方法。给出了ＷＣ－Ｃｏ基底刀具预处理对低压合成金刚石薄膜附着力的影响。     

硫化锌窗口上CVD法制备金刚石膜的研究进展

金刚石具有优异的红外透过性能,可作为硫化锌红外窗口的保护膜。但由于CVD金刚石的沉积过程会刻蚀硫化锌衬底,导致在窗口表面直接生长金刚石膜比较困难。本文主要综述了近年来通过添加过渡层沉积金刚石薄膜的方法和光学焊接金刚石厚膜的方法来增强硫化锌窗口的性能,并介绍了CVD金刚石膜的光学应用及其目前所存在的问题,最后对未来CVD金刚石膜发展的方向作出了展望。     

激光低温沉积金刚石膜

用ＸｅＣｌ紫外与ＣＯ２红外复合激光化学气相沉积方法，在３４０℃硅衬底上沉积成高纯金刚石膜。     

微波CVD金刚石热沉片的制备研究

采用化学气相沉积法（CVD）制备的金刚石薄膜具有接近于天然金刚石的导热性能,是目前最为理想的热沉材料。利用微波等离子体化学气相沉积法（MPCVD）制备了金刚石热沉片,并在此基础上研究了不同沉积工艺对金刚石热沉片散热性能的影响。采用扫描电子显微镜（SEM）和激光拉曼光谱（Raman）检测了薄膜的表面形貌及纯度,金刚石热沉片的导热性能则通过测量封装LED后薄膜的散热效果来进行表征。结果表明,在其他条件不变的情况下,提高生长过程中的微波输出功率、降低反应气压以及增加基片温度有利于制备出散热性能更佳的金刚石热沉片。     

低压气相合成金刚石的机理研究新进展

本文第1部分评述了低压气相合成金刚石的进展。第2部分介绍了用表面分析方法和HREM对金刚石(111)和(100)面的生长机理,原子氢和氧对金刚石生长本身的影响,亚稳态条件下金刚石的晶形显露规律,硅衬底上的形核机理和初期生长规律进行研究所取得的重要进展。     

CVD金刚石薄膜的成核机制

已有许多有效的方法来提高ＣＶＤ金刚石薄膜的成核密度，但成核机理仍有很多问题，本文简要介绍作者在这方面的一些工作。     

CO2对MPCVD制备金刚石膜的影响研究

应用微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）技术,以CH4／H2／N2为主要气源,通过添加CO2辅助气体,并与未添加CO2辅助气体进行对比,进行了金刚石膜沉积。研究了添加不同浓度CO2对生长金刚石膜的影响。结果表明：当CO2流量在0～25cm3／min范围变化时,金刚石膜表面粗糙度分别为8．9nm、6．8nm、9．2nm、9．6nm。表明适量引入CO2可以降低膜面粗糙度,但是进一步提高CO2流量,膜面粗糙度反而上升。同时当CO：流量在0～15cm3／min范围变化时,金刚石膜的品质和生长都表现出上升趋势,但是超过该流量,其品质和生长率都出现下降趋势。另外,当CO2流量为15cm3／min,生长的金刚石膜不仅品质好,而且生长率也较高。     

CVD金刚石膜生长过程的Raman分析

采用激光Raman散射分析法对CVD金刚石膜的生长过程进行研究 ,讨论在金刚石膜生长的不同阶段 ,膜内金刚石和非金刚石成分的相对含量及其残余应力的变化情况     

CVD金刚石薄膜热,导率的研究

研究了直流等离子体喷射沉积金刚石膜的晶粒尺寸、晶粒取向、膜厚、杂质和缺陷对金刚石膜的热导率的影响。结果表明，随着晶粒尺寸的增大，金刚石膜的热导率先慢后快逐渐增大；随着膜的增厚，热导率先大幅度提高，达到一定值后，变化率变小；晶粒（111）取向对金刚石膜的热导率最有利，其次是（110）；非金刚石碳相和缺陷都降低膜的热导率，但晶间空隙对热导率的影响比非金刚石碳相大。     

抛光对化学气相沉积金刚石自支撑膜断裂强度的影响

研究了抛光对化学气相沉积金刚石自支撑膜断裂强度的影响。结果表明,金刚石自支撑膜粗糙表面所带来的V形缺口会降低其断裂强度,而且随着膜厚的增加,降低的程度越明显,通过抛光粗糙表面,消除了V形缺口对断裂强度的影响,有利于提高金刚石膜的抗破坏能力。提出了一种金刚石膜断裂强度的经验计算方法,获得的断裂强度值更接近于金刚石膜的本征断裂强度。