亚半微米投影曝光机的逐场焦调平技术

介绍用于亚半微米分步重复投影曝光机的ＰＳＤ调焦调平、激光干涉调信调平、多点高度测量传感和单光路多点检测等逐场调焦调平技术，较详细地阐述各技术原理、组成及能达到的精度、分析各种方法的优缺点和主要实用范围，为自主研制亚半微米分步重复投影曝光机的逐场调焦调平系统提供了参考方案。     

投影光刻机调焦调平传感技术的研究进展

阐述了投影光刻机调焦调平传感器的重要作用及其技术进展,详细介绍了国际上典型的调焦调平传感器,并对多种传感技术的光学原理和关键技术进行了分析和比较。     

亚半微米投影光刻物镜的研究设计

介绍了分步重复投影光刻业半微米光刻物镜光学和机械结构研究设计、设计结果,以及公差控制。指出技术指标已达到：数值孔径ＮＡ＝０．６３、工作波长λ＝３６５ｎｍ、倍率５ｘ、工作分辨力Ｒ≤０．３５μｍ,设计和镜所用透镜片数最少,无胶合件,并具有暗场同轴对准和温度气压控制补偿功能。     

亚微米电子束曝光机镜筒光路与结构

介绍了亚微米电子束曝光机光路与结构设计，该电子光学系统采用透镜内偏转设计，系统象差小，偏转灵敏度高，工件面上电流密度大，通过调试和使用，电子束流、最小电子束斑直径等主要设计指标均达要求。     

高精度逐场调焦调平控制系统数学模型分析

详细介绍了基于硅片ＣＨＩＰ中心坐标的高精度逐场调焦调平控制系统数学模型,并简要给出了系统控制算法。     

高精度逐场调焦调平实时动态控制算法研究

主要介绍一种高精度逐场调焦调平实时动态控制算法。逐场动态精确求解耦合传递矩阵和解耦矩阵，将每个 Ｃ Ｈ Ｉ Ｐ的坐标位置和尺寸纳入耦合关系，使各控制回路实时独立调节，以满足系统稳定和高精度实时逐场调焦调平。     

DY－5型亚微米电子束曝光机

本文介绍了ＤＹ－５型亚微米电子束曝光机的主要技术性能：最细特征线宽０．４μｍ；图形位置精度及拼接精度优于±０．１５μｍ；扫描场尺寸１×１ｍｍ２和２×２ｍｍ２；最高扫描速度１ＭＨｚ；可加工１００×１００ｍｍ２掩模版或Φ７５硅圆片。给出了部分曝光试验结果。     

亚微米电子束曝光机激光工件台位置显示系统

介绍了工件台位置显示系统的组成,工作原理及软件设计。由于采用单片机控制技术,从而保证了系统的显示精度和运行可靠性。     

投影光刻机调平调焦系统原理与故障分析

以某型投影光刻机为例介绍了调平调焦系统的基本原理和主要构成,详细叙述了调平调焦系统的运行步骤,并结合多年的投影光刻机维修经验总结了调平调焦系统的常见故障,给出了处理故障的方法和步骤。     

缩小投影电子束曝光机的调试技术

详细介绍了在透射电镜上进行缩小投影电子束曝光技术原理性实验的主要调试过程。它充分利用了透射电镜本身的功能与特点。整个调试方法不仅可获得高分辨率图形，而且为下一步的研究工作提供了比较好的工作参数。     

584A投影曝光机的光学系统

介绍白俄罗斯Ｐｌａｎａｒ联合体生产的５８４Ａ投影曝光机的光学系统，剖析其工作原理，并对如何应用提出了建议。     

亚半微米铬掩模版制作技术研究

介绍了用LeicaVB5电子束曝光系统在涂敷有PMMA电子束抗蚀剂的4英寸铬板上,通过扫描曝光、湿法显影、干法刻蚀等手段制作亚微米、亚半微米铬掩模版的工艺技术。     

365~193mm曝光的亚半微米多晶硅栅控制

综述了测量越过典型有源区形貌的多晶硅线宽偏差，采用光刻模拟程序计算，采用顶层和底层抗反射涂层与否，对从３６５ｍｍ曝光的０．４０μｍ到１９３ｍｍ曝光的０．２２５μｍ范围抗蚀剂成像中所有线宽进行了计算。     

亚微米光刻的线宽测量技术

很久以来，传统的光学显微技术一直是IC测量中的重要技术，但它正在被共焦扫描显微技术、相干探测显微技术和扫描电子显微技术等精度更高的技术所取代。本文重点对用于在线线宽测量的低压扫描电子显微镜进行了讨论。     

亚半微米投影光刻的自动对准技术

主要介绍了国外用于生产型亚半微米分步投影曝光机的几种自动对准技术。通过分析对比，指出了相位光栅自动对准技术是我所研制下一代分步曝光机最具吸引力的方案。     

基于混合曝光技术的新型亚微米图形制作方法

提出了一种基于投影式光刻机和电子束光刻机混合曝光技术的新型亚微米图形制作方法,该方法可用于制作对精度要求比较高的亚微米图形。具体的做法是将亚微米图形分解成高精度图层和普通精度图层,并将两个图层分别采用电子束直写和投影式光刻机依次在同一层光刻胶曝光后,经过一次显影得到完整图形。通过该方法不仅可以大幅减少采用电子束直写亚微米图形所需的时间,还可以有效地保证图形的线宽精度。从图形的数据处理和实验制作两个方面,详细地介绍了采用该方法在硅衬底上制作SU-8亚微米图形的过程。经SEM测试得出,本方法制作的图形尺寸精度和棱角的锐度都非常精确,可比较理想地实现设计者的设计要求。     

亚微米光栅曝光系统的应用及设备关键技术研究

半导体工艺中的光刻是芯片制造中最关键的工艺。DFB半导体激光器的腔体结构与普通半导体激光器的腔体结构不同,需要制作周期光栅,光栅周期为亚微米数量级;鉴于亚微米光栅曝光系统在半导体激光器的应用需求,瑞士一家公司研制了一款专用于亚微米周期光栅的设备Phabler 100M DUV光刻机;本系统采用了非线性晶体的倍频效应和周期性光栅的泰伯效应。这些关键技术用较低的成本实现了极高的分辨率,可以制作周期性光栅并达到100 nm的线条分辨率;掩模版和晶片的不平行将造成光刻线条的不均匀,应用CCD探测器和计算机相结合的办法是做平行度的关键调试。     

亚微米器件制造技术的发展动态

主要从光刻隔离,金属互连线三个方面讨论了亚微米器件所面临的挑战及其发展趋势。