高纯铝箔再结晶再粒度对比容的影响

通过对ＬＧ５－Ｙ，ＬＧ４－Ｙ两种国产箔退火工艺的研究，重点分析了铝箔再结晶昌粒度对比容的影响，并确定了高比容下的晶粒大小范围。从而为铝箔的退火工艺参数的确定提供了又一重要依据。     

用锡磷青铜制造弹性零件的热处理工艺技术

用锡磷青铜ＱＳｎ６．５－０．１Ｙ制造弹性原件，如接触簧片等，为改善其弹性性能，采用的主要方法是冷塑性变形加低浊退火。本文为寻求合理的低温退火工艺规范，满足弹性元件的性能要求，首先制定出热处理退火后的机械性能指标，然后在此基础上，采用正交设计法，优选出最佳的热处理工艺参数，用以指导生产实践。     

离子注入和退火技术

离子注入和退火技术（索尼）野口隆１前言多晶硅ＴＦＴ已在ＬＣＤ、ＬＳＩ存储器两个领域中成为重要的开关元件。对于６００℃以上工艺，离子注入和退火技术就成了提高ＴＦＴ性能的最重要的工艺。氢化非晶硅（ａ－Ｓｉ：Ｈ）ＴＦＴ已作为有源矩阵用于大面积显示（ＬＣＤ）...     

无光学系统LD泵浦Nd：YAG微片激光器

无光学系统ＬＤ泵浦Ｎｄ：ＹＡＧ微片激光器在研究单纵模ＬＤ泵浦微片激光器的过程中，我们于１９９４年６月３日实现了无光学系统ＬＤ泵浦Ｎｄ：ＹＡＧ微片激光器的室温连续运转。采用本所研制的高功率半导体激光器列阵器件Ｆ－Ｓｌ－９４０３１１－５，输出波长８０３ｎ...     

横向固相外延生长及其影响因素的研究

对非超高真空条件下对在有ＳｉＯ２图形的硅单晶衬底上用离子束溅射沉积非晶硅薄膜，经过真空退火形成的横向固相外延生长及其影响因素进行了研究，得出了有利于Ｌ－ＳＰＥ生长的材料参数和工艺处理条件。     

自对准Ti－SALICIDE LDD MOS工艺研究

本文着重研究了０．６μｍ自对准Ｔｉ－ＳＡＬＩＣＩＤＥＬＤＤＭＯＳ工艺技术．ＴｉＳｉ２的形成采用两步快速热退火及选择腐蚀完成，Ｔｉ膜厚度的最佳选择使ＳＡＬＩＣＩＤＥ工艺与０．２μｍ浅结相容，源／漏薄层电阻为４Ω／□．上述技术已成功地应用于０．６μｍ自对准Ｔｉ－ＳＡＬＩＣＩＤＥＬＤＤＮＭＯＳ器件及其Ｅ／ＤＭＯＳ３１级环形振荡器的研制，特性良好．     

THE OUTPUT OPTICAL FIELD INTENSITY DISTRIBUTION FORMED BY AN OPTICAL FIBER END

ＴＨＥＯＵＴＰＵＴＯＰＴＩＣＡＬＦＩＥＬＤＩＮＴＥＮＳＩＴＹＤＩＳＴＲＩＢＵＴＩＯＮＦＯＲＭＥＤＢＹＡＮＯＰＴＩＣＡＬＦＩＢＥＲＥＮＤ￥ＹＵＡＮＬｉ－Ｂｏ（Ｄｅｐａｒｔｍｅｎｔｏｆｐｈｙｓｉｃｓ，ＨａｒｂｉｎＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ...     

全数字DOLBY DIGITAL及DOLBY PRO LOGIC解码器

ＡＶ１００１解码器采用日本ＹＡＭＡＨＡ公司先进的２４ｂｉｔ杜比数字（ＡＣ－３）解码芯片ＹＳＳ２４３Ｂ和数字ＤＯＬＢＹ－ＰＲＯＬＯＧＩＣ解码芯片ＹＳＳ２４１Ｂ,兼有杜比数字解码和杜比环绕声解码两大功能。ＡＶ１００１与市面上现有的ＤＯＬＢＹ－ＰＲＯＬＯＧＩＣ环绕声处理器或ＡＶ功放完全兼容,并且有更高的声道分离度,可还原出更逼真的音场效果来。ＡＶ１００１拥有杜比数字（ＡＣ－３）解码的全部功能,包括对白归一化、自动动态范围控制、向下混合等。设有中置和环绕声道的延时调节,超低音、中置和环绕声道的电平微调,…     

亚微米自对准硅化钛CMOS工艺

本文对两步快速热退火形成ＴｉＳｉ２的工艺及其工艺的兼容性、ＴｉＳｉ２的物理化学物性进行了研究，结合ＬＤＤ结构，形成了两步快速热退火亚微米自对准硅化钛ＣＭＯＳ工艺，并应用于集成电路的制造，改善了电路性能。     

薄膜多层布线分层输出软件的应用

结合薄膜多层布线的工艺特点对ＰＲＯＴＥＬ软件进行二次开发编制ＬＡＹＥＲＳ软件处理ＰＲＯＴＥＬ的版，图文件，得到薄膜多层布线工艺所需的各信号层和介质隔离层的版图辩论拼分别输出。     

铝的结晶复合阳极氧化膜Ⅱ．热氧化膜存在下阳极氧化膜的形成

在低压铝电解电容器生产中，铝箔常先在高温（４５０℃以上）短时间加热，形成一薄层热氧化膜，再进行阳极氧化，可形成结晶复合氧化膜，使比容增加，形成电量降低。介绍了有关这种膜的形成机理、结构及应用实例。     

提高铝箔比电容的新途径——引入高介电常数金属(陶瓷)氧化物

介绍国外在高扩面倍率η、低介质膜厚度ｄ的铝电解电容器中引入具有高εｒ值的其他阀金属（如Ｔａ，Ｔｉ，Ｎｂ，Ｚｒ）氧化物和陶瓷，以期进一步提高铝箔比电容的新方法。根据有关专利文献归纳为三种主要方法：物理、化学及合金化方法。这些思路表征着铝电解电容器用铝箔正面临一场新的技术革新     

阴极铝箔化学腐蚀工艺研究──Ⅱ．关于阴极铝箔容量衰减问题

在３０％酒石酸铵溶液中用恒定阳极电流测定阴极箔的计时电压（Ｅ－ｔ）曲线，根据曲线转折电压Ｅ转判断表面氧化膜相对厚度，发现膜厚与电容量有很好对应关系。用ｐＨ＝２磷酸钝化液处理的箔在刚生产出来时表面氧化膜很薄，随时间增厚，容量下降幅度大。改用ｐＨ＝３．４磷酸钝化液，形成的氧化膜较厚，较稳定，容量下降得到改善。对此作了分析探讨。     

高纯铝光箔化学成分对直流电侵蚀的影响

以Fe、Si、Cu含量不同的四种铝光箔进行直流电侵蚀对比实验,研究了高纯铝光箔中化学成分对其作为电容器用铝箔侵蚀过程产生的影响。通过对侵蚀样品的SEM表面观察、腐蚀形貌定量分析,对光箔中化学成分与样品效果进行了分析讨论。结果表明,Cu能增强表面蚀孔的产生,Cu含量相对较低的(25×10–6)光箔侵蚀后适用于制作中压铝电解电容器;Cu含量相对较高的[(50～60)×10–6]光箔侵蚀后适用于制作高压铝电解电容器。     

电解电容器用铝箔现状及其发展趋势

对铝电解电容器用铝箔的现状及其发展趋势进行了概述，介绍了引进腐蚀生产线的情况、电容器铝箔的研制及质量状况。     

低压电子铝箔耐蚀性的研究与应用

采用对比实验,研究了腐蚀工艺对低压电子铝箔耐蚀性的影响。当腐蚀溶液中w(HCl)为15%～25%、w(H2SO4)为10%～20%,温度为85℃,电流密度为0.40A/cm2,腐蚀时间为3min时,铝箔腐蚀效果最佳,其耐蚀性数值(腐蚀前后质量差值与原光箔质量之比)为0.70%～0.83%。该工艺可迅速准确地判断低压电子铝箔的耐蚀性,平均每个样品所花时间仅为26min。     

85℃3000小时系列焊片式铝电解电容器的开发研究

该次试验的目的是为了开发出85℃3000小时这种新的系列的焊片式铝电解电容器。为此，对该系列选取了最小电压200V的小容量和大容量，及最大电压450V的小容量和大容量的产品分别进行了设计和开发。开发过程中对阳极箔，阴极箔，电解纸，电解液等原材料进行了分析比较，并将四种设计分别做成产品并测试最薄弱的环节85℃3000小时的纹波电流试验，结果表明该系列的设计能很好地满足电性能要求。     

低压铝箔交流腐蚀研究

在３０Ｈｚ频率下，通过铝箔在ＨＣｌ＋Ｈ２ＳＯ４＋ＨＮＯ３＋Ｈ３ＰＯ４体系中的交流腐蚀，研究腐蚀液组成中腐蚀主体及缓蚀剂对铝箔腐蚀的作用，探讨腐蚀过程中电源频率、腐蚀液温度、电流密度及腐蚀时间对铝箔腐蚀的影响。腐蚀液组成的配比恰当，有利于比容的提高。在特定的频率下采用合适的腐蚀液温度、适宜的电流密度和腐蚀时间可以提高铝箔的静电容量。     

后处理对铝电解电容器阳极箔比容的影响

采用硫酸-盐酸体系环保型铝电解电容器用阳极箔腐蚀工艺,硝酸溶液作后处理液,结合SEM分析,探讨了硝酸后处理在阳极箔表面的清洗机理,研究了直流电侵蚀后,硝酸后处理对阳极箔比容的影响。结果表明:在硝酸溶液温度为65℃、清洗时间为250 s的条件下,阳极箔比容随着硝酸质量浓度的增加而增加,当硝酸质量浓度增至35 g/L时,阳极箔比容达到最大值0.70×10–6 F/cm2。硝酸质量浓度继续增加,阳极箔比容逐渐减小。最佳后处理参数为:硝酸质量浓度为35 g/L,处理温度为65℃,清洗时间为250 s。     

预处理对铝箔电蚀特性的影响

介绍各种预处理条件的功能及对铝箔电蚀性能和最终静电比容的影响。主要的预处理包括：表面清洗，热处理，表面氧化，阴极极化和金属元素的表面沉积等。预处理的作用是通过改善铝箔的结构，尤其是表面结构，提高其电蚀性能，达到充分扩大表面积的目的。大量的研究结果表明，预处理是提高腐蚀箔静电容量的有效措施之一。基于对文献的研究分析，总结出一些有利于提高腐蚀箔比容的预处理措施