光导器件及其背景限探测度

光导器件及其背景限探测度梁宏林，朱惜辰（昆明物理研究所昆明６５０２２３）碲镉汞（ＭＣＴ）作为红外热象仪探测器的优选材料，于６０年代初就开始为人们所发现。６０年代末，就有高性能的ＭＣＴ红外探测器研制成功，随之，多元ＭＣＴ红外探测器，ＭＣＴ焦平面器件都有...     

美国MCT的生产以及未来的发展计划

在美国从事ＭＣＴ研制的公司主要有三家。本文介绍了其中两家－－Ｈａｒｒｉｓ和ＳＰＣＯ公司ＭＣＴ的研制情况，其中Ｈａｒｒｉｓ是世界上最早从事ＭＣＴ研究，并且是全球唯一一家大批量生产ＭＣＴ的公司，它的研制、生产水平代表了ＭＣＴ的全球发展水平，因此Ｈａｒｒｉｓ公司ＭＣＴ的发展计划，可以说是ＭＣＴ器件的未来。     

MCT最大可关断电流的解析分析

通过对ＭＣＴ关断存贮期电流分布及变化的动态分析，利用电荷控制原理推导出ＭＣＴ最大可关断电流的解析表达式，并且同利用通用器件模拟软件对同一器件进行的数值分析结果进行对比，验证了所得解析表达式的可靠性     

用全扩散法制作MCT

使用普通Ｐ型硅片，用全扩散工艺制作ＭＣＴ．除开通与关断ＭＯＳ外，全部器件用常规晶闸管工艺制造．试制品主要电特性达到设计要求，说明了利用全扩散工艺制造ＭＣＴ的可行性．文中讨论了适合于全扩散工艺的器件结构设计思路，报道了样品的测试结果，并对试制工作进行了简单分析．     

新型功率器件MCT的计算机模拟

采用了合理的物理模犁和精确的数值解法，对ＭＣＴ进行了一维数值求解，得到了器件内部载流子分布和电场分布以及外部端特性。这些结果对ＭＣＴ的优化设计具有实际指导意义。     

Hg1—xCdxTe双色红外探测器装配工艺

简要介绍了研制叠层ＭＣＴ双色红外探测器的装配过程，对器件装配前后的测试结果进行了比较分析，发现部分双色红外探测器的探测率已接近背景限。表明叠层ＭＣＴ双色红外探测器的装配工艺是可行的。     

Hg_（1－x）Cd_xTe双色红外探测器装配工艺

简要介绍了研制叠层ＭＣＴ双色红外探测器的装配过程，对器件装配前后的测试结果进行了比较分析，发现部分双色红外探测器的探测率已接近背景限。表明叠层ＭＣＴ双色红外探测器的装配工艺是可行的。     

光导MCT60元线性阵列器件辐射冷屏蔽改进设计

光导ＭＣＴ６０元线性阵列器件辐射冷屏蔽改进设计航天工业总公司三院八三五八所许蓉使用辐射冷屏蔽来限制多元探测器的现场角，减少辐射通量，提高探测率Ｄ＊，经验公式由下式给出：本文通过不同冷屏开口，投射到线列上每一元的辐射通量的计算结果，应用上式计算出Ｄ＊（...     

SDB／MCT新型功率器件的研究

本文探讨了新型功率器件ＭＣＴ（ＭＯＳ控制晶闸管）的电参数设计和工艺设计，通过计算机模拟，采用ＳＤＢ（硅片直接键合）材料，在实验室制成了ＮＭＣＴ样品。测试结果表明，在－１２Ｖ的栅偏压下能在５μｓ内关断４２Ａ／ｃｍ＾２的阳极电流。     

新一代电力电子器件——IGBT

电力电子器件既是电力电子技术的基础，也是电力电子技术发展的强大动力，电力电子技术的每一次飞跃都是以新型功率器件的出现为契机的，ＩＧＢＴ是在功率ＭＯＳＦＥＴ工艺基础上发展起来的产物，它是兼有ＭＯＳＦＥＴ的高输入阻抗，高于关速度和ＧＴＲ大电流密度特性优点的混合器件，在大，中功率应用场合已经逐步取代传统的ＧＴＲ，ＧＴＯ器件，它和ＭＯＳＦＥＴ，ＭＣＴ一起，成为现代电力电子技术中最具有活力的功率开关器件，本     

MCT光导器件芯片室温电阻率不稳定因素探讨

重点讨论ｘ值在０．２７附近的ＭＣＴ光导器件芯片电阻率随时间变化的问题。认为：ＭＣＴ芯片中Ｈｇ原子的逐渐逸出，导致材料ｘ值随时间而变化是使芯片室温电阻率变化的主要原因；在某些条件下（如加温），芯片表面可以形成高浓度的ｎ型薄层，从而对芯片的室温电阻率产生影响。     

EPGA的新家族──3200DX系列

美国ＡＣＴＥＬ公司继１９８８年完成第一片ＦＰＧＡ产品进入可编程逻辑电路市场，早期开发的ＡＣＴ１、ＡＣＴ２、ＡＣＴ３、１２００ＸＬ系列已在国内得到广泛应用。今天数字系统的设计变得越来越复杂，系统时钟不断提高，电路的要求有时又是多任务的。还有，系统设计者可能还需要少量的ＲＡＭ，这是传统的ＦＰＧＡ所不能提供的。这样带来的后果是设计者为了满足高速译码和存储的需要，不得不在以ＦＰＧＡ为基础的设计中又加上一块高速ＰＬＤ器件和一小块ＳＲＡＭ，为了弥补这一个缺陷，ＡＣＴＥＬ公司新近推出了３２００ＤＸ系列，并且已…     

多元长波光导红外探测器组件通过攻关总结

多元长波光导红外探测器组件通过攻关总结由华北光电技术研究所任总师单位，联合８个兄弟厂、所共园协作攻关的多元红外探测器组件，圆满完成了预定任务，于今年２月通过部级攻关验收总结。多元长波光导啼镉汞（ＭＣＴ）红外探测器组件包括１６０元光导碲镉汞红外探测器、...     

碲镉汞材料的P,N型和其霍耳系数的正负

本文根据Ｐ、Ｎ型的定义和通用的霍耳系数公式对其作具体分析，表明在某些情况下，霍纱数为负值是，材料也可能为Ｐ型。在选择ＭＣＴ光伏器件的材料时，应引起足够的重视。     

MOCVD技术制备ZnS：MnACTFEL器件的进展

本文综述了用金属有机物化学气相沉积（ＭＯＣＶＤ）技术制备ＺｎＳ：Ｍｎ交流薄膜电致发光（ＡＣＴＦＥＬ）器件的发展历史及研究现状，对各种改进技术和使用的原材料进行了比较，并指出进一步的研究方向。     

低能离子束成结制作10．6μm碲镉汞光伏探测器

制作光伏型碲镉汞（ＭＣＴ）探测器ＰＮ结常用的方法是离子注入法。近几年的研究发现，低能离子束成结更适合制作长波光伏型ＭＣＴ探测器。本文报导了低能离子束成结的１０．６μｍ光伏型碲镉汞探测器的性能，衬底为载流子浓度在０．８～６×１０￣（１６）ｃｍ￣（－３）范围的Ｐ型ＭＣＴ材料，离子束能量范围为１００～６００ｅＶ，通过离子束处理，可在Ｐ型ＭＣＴ表面形成一薄层较低载流子浓度的Ｎ型区，而制成ＮＰ结，利用该技术成结制作的大面积、四象限１０．６μｍＭＣＴ探测器，在－２０ｍＶ的偏压，８０Ｋ的温度下，器件的峰值响应率和峰值分别为３２４．５Ｖ／Ｗ和１．１３×１０￣（１０）ｃｍＨｚ￣（１／２）／Ｗ，每元光敏面积为６．８８×１０￣（－３）ｃｍ￣２。     

光导器件及其背景限探测度

本文就ＭＣＴ光导型探测器作一总结性的讨论，对光导器件的扫出问题作了更详尽的阐述，并定义了扫出因子。关于背景限探测度提出了新的见解，认为背景限探测度不是不可逾越。     

8～12μm光导多元红外探测器的研制

８～１２μｍ光导多元红外探测器的研制王东（航天工业总公司８３５８所天津３００１９２）长波碲镉汞多元红外探测器可广泛用于精确制导、红外成象、卫星遥感等领域。本文通过对光导红外探测器的基本理论进行分析，总结出获得高性能红外探测器所需ＭＣＴ晶片参数指标，并...     

新型功率器件MCT的研究

探讨了新型功率器件ＣＭＴ（ＭＯＳ控制晶闸管）的参数设计和工艺设计及实施方法，通过计算机工艺模拟，采用ＳＤＢ（硅片直接健合），硅栅自对准工艺和多层介质隔离等技术，在实验室里制成了ＭＣＴ样品。测试结构表明，在－１２伏的栅偏压下能在５μｓ内关断４２Ａｃｍ＾２的阳极电流。     

MOS控制的晶闸管简介

本文简要介绍了ＭＯＳ控制的晶闸管（ＭＣＴ）结构及优点，较详细地介绍了Ｐ－ＭＣＴ的特点，同时对ＭＣＴ的发展作了一些探讨。