Cr/GaAs(100)界面形成和界面反应的SRPES研究

利用同步辐射光电发射研究了Ｃｒ／ＧａＡｓ（１００）界面形成和结构．室温下，当Ｃｒ覆盖度低于０．２ｎｍ时，Ｃｒ与ＧａＡｓ衬底的作用很弱，没有反应产物生成．覆盖度高于０．２ｎｍ时，开始发生界面扩散和反应，Ａｓ原子与Ｃｒ生成稳定的ＣｒＡｓ化合物，而Ｇａ原子则与Ｃｒ形成组分变化的ＣｒＧａ合金相，并居于界面处．提高界面形成温度可显著地加剧界面混合和反应，引起表面偏析Ａｓ的出现．芯能级谱的结合能与强度分析表明，反应产物可作为有效的势垒（化学陷阱），阻止衬底的Ｇａ的外扩散．此外还比较了Ｃｒ与ＧａＡｓ（１００）及ＧａＡｓ     

GaAs（100）表面钝化和Mg／S／GaAs界面的SRPES研究

应用同步辐射光电子谱（ＳＲＰＥＳ）表征了一种新的ＣＨ３ＣＳＮＨ２／ＮＨ４ＯＨ溶液体系处理的ＧａＡｓ（１００）表面的成键特性和电子态．结果表明，经过处理的ＧａＡｓ（１００）表面，Ｓ既与Ａｓ成键也与Ｇａ成键，形成了Ｓ与ＧａＡｓ的新界面，这说明ＣＨ３ＣＳＮＨ２／ＮＨ４ＯＨ溶液处理的ＧａＡｓ（１００）表面具有明显的钝化作用．钝化表面退火处理后，发现ＡＳ的硫化物不稳定，分解或反应生成Ｇａ－Ｓ成分和元素态Ａｓ；室温下，Ｍｇ淀积硫钝化的ＧａＡｓ表面的实验结果表明，Ｍｇ置换ＧａＳ的Ｇａ成为金属Ｇａ偏析到表面，而硫以ＭｇＳ     

Si/Co/GaAs体系中界面反应的竞争机制

本文采用AES、XRD和TEM等技术对Si/Co/GaAs三层结构的界面反应作了较详细的研究。结果表明:Si/Co与Co/GaAs两界面的反应具有一定的相似性,即当退火温度低于300℃时,两界面都保持完整;当退火温度高于400℃时,两界面都发生了化学反应,并形成相应的化合相。由于两界面的初始反应条件相近,因而界面反应存在着竞争机制,通过进一步的实验,结果表明;Si/Co界面的反应速度要比Co/GaAs的快,从而为在GaAs衬底上形成CoSi_2/GaAs金半接触提供了有利条件。     

表面处理降低GaAs界面态密度的研究

GaAs材料经机械研磨后，表层形成粗糙界面，用酸碱法表面处理GaAs，使Ga-O、As-O键断裂并修复粗糙界面，处理效果通过电导法测量界面态密度与XPS分析界面化合物价态来表征。结果表明酸碱处理均可降低界面态密度与表面Ga、As氧化物，且酸处理的效果优于碱处理，Ga-O化合物去除率高于As-O化合物去除率，界面态密度的降低可能主要与Ga化合物的减少相关。     

Cs／InP（100）界面相互作用性质的研究

我们用Ｘ光电子能谱（ＸＰＳ）和真空紫外光电子能谱（ＵＰＳ）研究了碱金属Ｃｓ／ＩｎＰ（１００）界面形成和电子结构特性．ＸＰＳ和ＵＰＳ测量表明，在Ｃｓ的覆盖度低于０．５ＭＬ时，Ｃｓ与衬底ＩｎＰ之间既没有化学反应也没有扩散．当Ｃｓ的覆盖度大于０．５ＭＬ时，Ｉｎ和Ｐ开始向表面扩散，且Ｃｓ与Ｐ发生弱的化学反应．饱和吸附的Ｃｓ／ＩｎＰ（１００）界面在不同温度退火时，一部分Ｃｓ脱附，一部分仍留在ＩｎＰ体内．     

硫化物钝化GaAs表面的研究进展

叙述用硫钝化GaAs表面的研究动态,包括表面处理工艺,已取得的效果及表面钝化的机理,并指出今后的研究内容。     

Mn／GaAs（100）界面磁性的光电子能谱研究

利用Ｘ光电子谱（ＸＰＳ）和紫外光电子谱（ＵＰＳ），对室温下Ｍｎ在ＧａＡｓ（１００）清洁表面淀积后的电子结构进行了研究．实验结果表明，当锰的覆盖度θ≤θｃ（θｃ≈０．２５ｎｍ）时，界面体系是半导体性的；而当θ＞θｃ时，界面表现出金属性．我们认为这是铁磁交换积分导致３ｄ能带分裂的结果．另外，从Ｍｎ３ｓ芯能级的多重分裂来看，至少从θ＞０．４ｎｍ开始，Ｍｎ的原子局域磁矩大小就不再变化．     

InSb／GaAs界面的高分辨电镜研究

InSb因具有高的迁移率,长的电子平均自由程及窄的带隙而受到重视。如能在与它有大错配度的GaAs衬底上外延生长出缺陷少的高质量薄膜,可望在光电器件上得到应用。在GaAs(001)面上长出同取向的InSb,其错配度高达14.6%,只能进行半共格生长。分子束外延法已能成功地制备出高质量的InSb膜,其中缺陷随膜厚增加而明显减少。图1a是半导体所用分子束外延法在GaAs衬底上长出的InSb膜沿〈110〉取向的复合电子衍射图。一对斑     

硫钝化对Fe/GaAs(100)界面电子结构和磁性质的影响

利用同步辐射和铁磁共振研究了使用 CH3CSNH2 硫钝化的 Ga As( 1 0 0 )表面铁超薄膜的电子结构和磁性 .实验结果表明 ,硫钝化能阻止 As向铁薄膜层的扩散 ,减弱 As和 Fe的相互作用并增强了在 Ga As( 1 0 0 )表面生长的铁超薄膜的磁性 .     

硫钝化对Fe/GaAs(100)界面电子结构和磁性质的影响

利用同步辐射和铁磁共振研究了使用CH3CSNH2硫钝化的GaAs(100)表面铁超薄膜的电子结构和磁性.实验结果表明,硫钝化能阻止As向铁薄膜层的扩散,减弱As和Fe的相互作用并增强了在GaAs(100)表面生长的铁超薄膜的磁性.