3通道短波红外光谱可识别列阵探测器的研制

用掩模分离方法或薄膜刻蚀方法制作出多波段微型滤光片列阵，交过类微型焦平面色散元件与列阵探测器结合，构成光谱可识别列阵探测器，报道了3通道短波红外滤光片列阵的设计和制作，以及4元3通道光谱可识别探测器的研制。     

可编程高光谱红外焦平面列阵

红外探测器可产生用于温度测量和热探测的热图像。它们可以用于军事、工业和医学等不同领域。从结构上看,红外探测器又可分为单元、小列阵、长线列阵或者二维列阵。 本发明提供的是一种量子阱红外焦平面列阵,它是     

双色红外探测器的现状与发展

双色红外探测器是红外探测器发展的方向之一，现已有多种双色红外探测器投入使用。本文简要综述了国内外研制双色红外探测器的技术途径、现状和发展方向，从探测器材料看，多数采用ＨｇＣｄＴｅ或ＨｇＣｄＴｅ＋ＩｎＳｂ。从探测器光敏元的排列方式看，多数采用并列和上下重叠结构。从探测器的工作原理看，多数以光导和光伏模式工作。今后，双色红外探测器将继续向集成化、焦平面、大列阵、小型化和多色化等方向发展并获得更为广泛的     

探测器及相关的信号处理（SPIE Vol．5251）

一、光探测器。1．红外光学探测器的回顾（Daniel Esteve等）。2．碲镉汞线列阵及其相关的硅读出（Fiodor F．Sizov等）。3．致冷型大规格红外凝视列阵：走向第三代（Elisabeth Brochier等）。4．高性能红外探测器模块（Joachim Wendler等）。5．SOFRADIR公司的长波红外探测器（Alain Manissadjian等）。6、负发光红外器件与工作温度较高的探测器（Geoff R．Nash等）     

固定在印制电路板上的红外图像探测器系统

本发明提供一种固定在印制电路板上可与诸如红外相机之类红外成像系统一起使用的红外图像系统。该系统由半导体芯片、印制电路板以及热沉等部件组成。半导体芯片的第一表面上装有一个红外探测器列阵和多个连接点,它固定在印制电路板上,并以电学方式与印制电路板上的电连接点相连。半导体芯片的第二表面与热沉相连。另外,印制电路板上有一个可以安置红外图像探测器列阵的窗口,这样,入射在印制电路板另一侧的红外辐射便可以透过该窗口到达红外图像探测器列阵上。这种将红外图像探测器系统固定在印制电路板上的方法的优点是,制作成本低,制成的探测器系统的可靠性高。     

红外探测器的进展

红外探测器的发展基础是物理学和技术科学的进展。目前的热点是ＨｇＣｄＴｅ和非致冷焦平面列阵。广阔的军事和民用市场需求驱动探测器技术进一步发展。     

红外探测器材料与器件

一、红外焦平面列阵1．适合空间和地面应用的多色长波红外焦平面列阵技术（Latika S．R．Becker）2．长波HgCdTe焦平面列阵用高性能辐射硬化增透膜的设计与研制（Ashok K．Sood）3．多色探测器列阵的设计与研制（Ashok K．Sood）4．在硅上研制大规格红外焦平面列阵（Nibir K．Dhar等）     

伪随机红外模糊列阵

美国专利US6469304 (2002年10月22日公布) 红外成像敏感器(即,焦平面列阵或焦平面列阵探测器)通常由成千上万个探测器元件组成。这些探测器元件都定位在光学系统的焦平面上,它们是通过一条合适的光路来观察一个场景并产生与该场景相对应的电输出的。     

带前放和读出装置的8元长波HgCdTe组件

本文报道了８元长波红外Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ光导探测器列阵组件的结构，制作工艺和主要性能参数。     

能同时获取可见光和红外图像的双波长图像传感器

本发明提供一种能同时获取高分辨率可见光图像和高灵敏度红外图像的双波长图像传感器。它包括一个含有许多可见光探测器和许多非致冷红外探测器的列阵。该列阵中的可见光和非致冷红外探测器是均匀分布的。每个可见光探测器相当于可见光图像上的单个像素。非致冷红外探测器被分成多个具有N个探测器的组,这里的N为一个至少是2的整数。每一组都具有N个串联的非致冷红外探测器,它们共同构成红外图像上的一个像素。     

室温型热释电红外探测器焦平面列阵新进展

文中介绍了目前室温工作的热释电红外探测器焦平面列阵的国外进展，混合型铁电陶瓷焦平面列阵已进入批量生产阶段，这类焦平面列阵制作的热像仪已于１９９５年进入商品市场，而单片式铁电薄膜红外探测器焦平面列阵还处在实验室研究阶段。     

GaAs／AIGaAs量子阱红外探测器的发展

半导体超晶格量子阱红外探测器的研制近年来取得了引人注目的成果,其中 GaAs/AlGaAs 红外器件的发展最快。本文在简要综述其单元探测器的基础上,着重介绍这种材料用于红外探测器列阵和焦平面的新成果。     

1～3μm HgCdTe光伏型列阵探测器的研制

报道了用于红外高分辨率扫描仪的1～3μmHgCdTe光伏型列阵探测器的研制和性能.     

多用途探测仪

本发明提供一种多用途红外探测仪。该探测仪由被动红外探测器列阵、光学会聚装置、信号处理装置以     

能同时探测可见光和红外的新探测器(下)

3.2 碲镉汞探测器在短波红外谱区的性能 适合敏感可见光的短波红外列阵探测器在短波红外谱区的性能也得到了测量.人们特地测量了这种探测器在0.9μm至3μm范围内的光谱响应.     

红外探测器的发展现状

简略评述国外近年来在红外探测器方面的研究及发展工作,包括焦平面列阵、HgCdTe及有关材料、超晶格等。文末对国内这一领域的工作提出几点建议。     

用离子注入法研制低暗电流和高性能的Hg0.57Cd0.43Te红外探测器

本文介绍美国雷神视觉系统(RVS)公司和AVYD器件公司在提高红外探测器性能方面所获得的成果。这两家公司联合验证了一些具有高可操作性和高性能的甚大规格成像焦平面列阵,它们将在未来的近红外和短波红外成像应用中发挥应有的潜能。这种探测器的设计理念可能会使像元间距小到5μm的大规格焦平面列阵达到衍射限分辨率。本文报导雷神视觉系统公司的先进样品制造厂把该公司的Hg_(1-x)Cd_xTe材料生长和探测器操作工艺方法与AVYD公司的p型离子注入方法结合起来在制作平面探测器列阵晶片方面所做的工作。同时综述像元间距为20μm的1024×1024元短波红外焦平面列阵的性能。这种探测器列阵是用响应波段为从近红外至2.5μm截止波长的Hg_(1-x)Cd_xTe材料制作的。通过柱状焊接互连技术,探测器列阵与雷神视觉系统公司的天文学级读出电路片焊接在一起。这些焦平面列阵在整个光谱范围内呈现出极佳的量子效率和均匀性,并呈现出中值为每秒0.25个电子的甚低漏泄电流。用来制作探测器列阵的工程级Hg_(1-x)Cd_xTe外延层是用经过改进的液相外延方法在CdZnTe衬底上生长的,并经过了复合的钝化/离子注入/钝化处理。本文详细评论探测器的性能数据,其中包括测试结构的电流-电压特性曲线、截止光谱曲线、焦平面列阵的量子效率和漏泄电流。     

混成红外探测器列阵与改善动态范围的CMOS读出电路

美国专利US7551059 (2009年6月23日授权)本发明提供一种混成图像传感器,它包括一个CMOS读出电路和一个红外探测器列阵。CMOS读出电路通过铟柱焊接与红外探测器列阵的至少一个探测器连接。CMOS读出电路包括两个放大器电路,这     

红外探测器

法国Ulis SAS公司向市场投放了一系列像元间距为25μm的硅红外探测器。UL 02 15 2型探测器是一个160×120元的列阵,其热时间常数相似文献   

美国制成世界上最大的量子阱红外探测器列阵

据美国宇航局(NASA)网站报道,由NASA领导的一个研究小组于今年2月制备出了世界上第一个100万像元的量子阱红外光电探测器列阵并对其进行了测试。这种新型探测器有望成为用于各种科学和商业应用的常规红外探测器技术的一种低成本替代技术。