超高真空(UHV)PECVD系统沉积a-Si1-XCX∶HK薄膜及其特性

本文研究了应用新型的超高真空等离子增强化学气相沉积 (VHV- PECVD)复合腔系统沉积a- Si1-XCX∶ HK薄膜及其特性。系统的真空度可达 10 -7Pa(10 -9Torr)以上。通过控制 H2 对常规用混合气体(Si H4 CH4 )的稀释程度以及相应的 CH4 比例 ,优化沉积工艺参数 ,制备出能带宽度范围变化较大的高质量非晶氢化硅碳 (a- Si1-XCX∶ HK)薄膜。通过 RBS、ERDA、IR和 Ramam光谱等方法分析和确定这种薄膜材料的基本特性。对 H2 氢稀释作用及其效应进行了分析。     

兰州重离子冷却储存环（HIREF—CSR）超高真空系统

为了减少真空系统中残余气体分子对离子束造成的损失,要求重离子冷却储存环的平均工作真空度达到3×10     

开拓超高真空的世界（四）：支撑高技术的基础

七、超高真空(一) 清洁真空的获得清洁真空与超高真空技术本章将要介绍清洁真空的获得问题,它与镀膜技术略有偏离。在超大规模集成电路制作中所要求的镀膜技术必然是生长清洁的薄膜,其不可缺少的条件是清洁真空的获得。清洁真空的获得离不开超高真空技术。清洁真空为什么是必要的?迄今为止,只是偶而提及,下面重新加以说明。无论是真空蒸发还是真空溅射,在基底上每平方厘米的面积上,每秒总有10~(15)个原子堆     

超高真空的获得—泵与抽气系统

在“超高真空”历史发展的几十年间,技术和用户需求两方面都发生了许多变化。甚至超高真空的含义也有些演变。问题的焦点是：从如何获得只有泵壁出气气体负载的最低压强的静态真空转向如何获得生产过程气体低污染和高纯度的动态真空。现在,想用一种全能的泵来实现这一设想是不实际的,因为不同的真空抽气技术有着更明显的应用范围。这种情况对传统的超高真空泵－离子吸气砂来说是一样的。在大多数情况下,在设计系统时离子吸气泵是     

开拓超高真空的世界（五）：支撑高技术的基础

九、不断发展的等离子体离子束应用技术现代半导体工厂第六章介绍了等离子加工中的溅射镀膜技术。第七、第八章介绍了作为清洁真空的基础的超高真空技术,并以表面科学和分子束外延为例说明了超高真空技术的应用。超高真空技术不仅仅是高技术,而且也是不断应用于实际的技术。这一章将介绍半导体工厂的超大规模集成电路生产中使用的硅片刻蚀工艺。超大规模集成电路的制造工序十分复杂,往往需要反复使用多种半导体制造装置才能完     

钛泵—不锈钢超高真空系统静态升压特性研究

由于真空器壁对气体分子的吸附作用, 钛泵－ 不锈钢超高真空系统的静态升压特性与普通真空系统有很大不同。用通常的办法估算其漏率是行不通的。基于作者的实验结果,对这类系统的静态升压规律作了探讨,并给出了估算“真实漏率”的公式。     

低碳含量a—Si1—xCx：H薄膜的Raman和荧光特性

采用Raman和荧光测量研究了低碳含量a-Si1-xCx:H(x≤20％（原子比）薄膜的结构特征，并选用两种同不波长的激光来激发这些材料，采用647．1nm光激发时，由于激发光能量接近于各样品的光学带隙，因而在样品中具有较大的透射深度，而488．0nm光激发时则被样品表面强烈吸刷，探测深度的变化造成了Raman谱和荧光有较大的差异，这些结果一方面表明样品的表面存在一层高深度的缺陷层，同时也证明样品体内存在着带隙的空间起伏，这两种空间的不均性成了高能激发时Raman谱的TO模频率和半主比低能激发时有大的红移和展宽，而荧光峰和半高宽则有小的蓝移和展宽，以上结果表明在a-Si1-xCx:H样品中，Raman荧光测量结果受激发波长的影响比较明显。     

用于超高真空的磁力耦合传动元件工作特性的研究

本文介绍了用于超高真空设备中的磁力耦合传动元件的工作原理与结构，以及与普通磁力传动的差别。利用集总参数法建立了磁路参数计算的数学模型和公式，并得出传动力和力矩的计算公式。针对一种实用元件画出其工作特性曲线。这些内容是指导磁力传动元件优化设计和合理选用的理论其础。     

rf—dc PECVD制备的a—C：H（N）薄膜的结构分析

采用射频－直流等离子增强化学气相沉积技术用Ｃ２Ｈ２和Ｎ２气的混合气体制备出ａ－Ｃ：Ｈ（Ｎ）薄膜,用ＴＥＭ、红外谱、ＸＰＳ等多种分析测试手段研究了薄膜的结构。结果表明ａ－Ｃ：Ｈ（Ｎ）薄膜中Ｎ与Ｃ原子可形成Ｎ－Ｃ、Ｃ＝Ｎ和Ｎ≡Ｃ键,而碳氢原子主要以ＣＨ２基的形式存在。且薄膜中存在具有理想化学配比的Ｃ３Ｎ４相,薄膜的结构是由Ｃ３Ｎ４相镶嵌在非晶态ＣＮｘ基体中组成。     

充入气体含水量对超高真空系统排气特性的影响

在未烘烤的超高真空系统中，真空室表面所吸附的水蒸汽是影响排气时间及极限真空度的关键因素。通过实验，对充气气体中水蒸汽含量及操作方式与真空系统排气特性的关系进行了测试，为超高真空系统操作工艺的确定提供了依据。     

一种新型的SiGe超高真空化学气相沉积系统

研制成功了一台超高真空化学气相沉积系统。该系统采用扁平石英管作为生长室 ,扁平石墨加热器进行加热。系统真空度用分子泵维持 ,本底真空度可达 2× 10 -6Pa。利用该系统所生长的SiGe外延层晶体质量良好 ,界面清晰平直 ;利用Ge组分渐变技术还能够实现低位错密度弛豫SiGe外延层的生长     

一种全自动超高真空电子束蒸发薄膜生长系统

由于薄膜生长均匀、沉积速率和膜厚易控、可制备大面积薄膜等特点,电子束沉积技术在超导薄膜、多层巨磁阻薄膜、超晶格薄膜中得到了深入研究.电子束沉积技术的关键是其薄膜生长和控制系统.本文基于微型计算机DA和IEEE 488接口技术,报道了一种全自动超高真空电子束蒸发薄膜生长系统,自动化程度高,使用方便,名义薄膜厚度测量分辨率可达0.1A精度,可实现双源共蒸发功能和程序预设定的多源多层薄膜自动沉积.     

超高真空CVD生长的Si1—xGex合金组分变化与表面偏析现象

系统分析了利用超高真空ＣＶＤ技术在Ｓｉ衬底上外延Ｓｉ－ｘＧｅｘ合金的体内组分分布情况和Ｇｅ的表面偏析现象。用ＳＩＭＳ对Ｓｉ和Ｇｅ的组分作了深度剖析。在生长过程中,组分均匀,在表面Ｇｅ浓度减小,Ｓｉ浓度没有明显变化。在不经ＨＦ酸清洗和在ＨＦ酸中去掉表面自然氧化层的两种情况下,用ＸＰＳ分别对外延层表面进行了定量分析,得到Ｇｅ的表面偏析与表面自然氧化相关的结论。     

用SiCl4／O2—PECVD技术低温沉积Si基厚SiO2薄膜

选取不含H2的SiCl4/O2混合气体作为反应源气体,并利用普通的PECVD技术来实现低温沉积Si基微米厚度的SiO2薄膜,测试并分析薄膜的红外吸收谱以及工艺参数对沉积过程的影响。     

超高真空CVD生长的Si1-xGex合金组分变化与表面偏析现象

系统分析了利用超高真空CVD技术在Si衬底上外延Si1-xGex 合金的体内组分分布情况和Ge的表面偏析现象。用SIMS对Si和Ge的组分作了深度剖析。在生长过程中 ,组分均匀 ,在表面Ge浓度减小 ,Si浓度没有明显变化。在不经HF酸清洗和在HF酸中去掉表面自然氧化层的两种情况下 ,用XPS分别对外延层表面进行了定量分析 ,得到Ge的表面偏析与表面自然氧化相关的结论